国产闪存突飞猛进！三星扩大中国NAND产能：投463亿

为了打破韩国在闪存上的垄断，国内公司都在努力，之前长江存储曾宣布，2019年开始量产64层堆栈的3D NAND闪存，而今年他们还将出样32层NAND闪存。

这消息足以让人振奋，但就算一切进展顺利，三星等厂商是在今年内全面开始量产64层堆栈闪存，所以国产与其差距也要在2年以上， 而真正达到相抗衡的条件，恐怕还要等的更久。

面对国产闪存疯狂追击，三星自然不敢懈怠，其今天宣布将扩大中国西安工厂的NAND闪存芯片产能，未来三年投资70亿美元。

其实在这之前，三星已经在韩国投资186.3亿美元，以巩固其在内存芯片和下一代智能手机领域的领先地位。除了三星，东芝和SK海力士也已投入了数百亿美元来推动NAND闪存的生产，不过随着高端存储产品的普及，NAND芯片的短缺问题更为严重。

三星现在也在通过更大规模的投资来扩大闪存、内存的产能，毕竟智能手机制造商越来越倾向选择更大存储。

消息称三星客户已包下V8-NAND 2025年产能

【消息称三星客户已包下V8-NAND 2025年产能】《科创板日报》28日讯，三星电子西安厂升级至第八代V-NAND制程进度正加快推进。三星原本积极催促客户采购第八代 V-NAND，但近期已释出消息，2025年产能几乎被客户包走，整体销售力道强劲，主要采购动能来自于数据中心，部分则来自于手机客户。（台湾电子时报）

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