spi串联nand NOR Flash主要厂商及产品

发布时间 : 2025-03-17

作者 : 小编

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NOR Flash主要厂商及产品

一、2020第一季NOR Flash厂商市占排名

据集邦咨询2020第一季NOR Flash厂商市占数据，NOR Flash营收市占第一是旺宏，其制程在业界相对领先，目前采用55nm制程生产，月产能约在20K左右。由于该公司NOR Flash产品线完整，从低容量至高容量齐备，尤其看中未来5G基站的商机，512Mb的NOR Flash将是旺宏生产的主要产品之一，为产业当中少数提供大容量的解决方案。

排名第二的华邦电紧追在后，目前是使用58/90nm制程，每月产能约在18K。

排名第三则是中国的兆易创新，近几年无论在产品质量与产出量方面都有明显跃进，甚至拿下Apple的AirPods订单，其研发实力已被肯定，月产能约9K，分别在中芯国际（SIMC）与华力微投片生产。值得注意的是，兆易创新集团与长鑫存储（CXMT）有紧密合作，意味着兆易创新集团同时握有中国NOR Flash与DRAM的自主研发能力，扮演中国半导体发展的重要角色。

二、NOR 市场增量来源

带动NOR Flash市场增量的原因主要有以下三点，首先，TWS近几年出货量上升，2020E年TWS耳机出货量接近250百万副。

其次全球智能手机面板与OLED也是带动增量的重要原因， 2020E年智能手机出货量达到1788百万台，此外，AMOLED出货量达到715.2百万颗，带动NOR 市场增量443.42百万元。

AI-IoT的高速发展也为NOR市场增量助力，带动增量2600.78百万元。最后，5G的普及率提高，成为NOR市场增量的主要推手，其贡献市场增量达6011.84百万元。

三、NOR主要厂商及产品

电子发烧友梳理了NOR Flash主要厂商及其产品，其中旺宏、华邦、武汉新芯等厂商在NOR Flash领域占有重要地位，英飞凌收购Cypress后，其Serial NOR Flash产品运用于汽车导航与娱乐系统。此外，国内的兆易创新NOR Flash营收排在第三位，具有研发、生产、销量NOR相关产品能力，具体详情见下表。

旺宏

旺宏电子从512KB到256Mb的密度在一个8-pin SOP（采用150mil，200mil）或16引脚SOP封装（300 mil）的串行闪存产品。这些设备，在X1组织提供，支持读取，擦除和编程操作。这些产品采用串行外设接口（SPI）协议。旺宏串行闪存不仅有利于系统的硬件配置，但也降低了系统设计的复杂性。我们的操作过电压范围为2.7V至3.6V 3V产品。现在可从512KB到256Mb的所有产品。

此外，旺宏电子与双I / O和四I / O操作，它的两倍和四倍读取性能到300Mbits/second的高端消费类应用，还提供了高性能的串行闪存产品。在时钟的上升沿和下降沿触发，DTR（双传输速率）模式，进一步提高读取速度400Mbits/second。多个I / O产品提供容量为8MB及以上。旺宏电子也提供了一系列低电压，1.8V和2.5V的双I / O和四I / O接口的串行闪存产品。

旺宏电子为3V，1.8V和5V的行业标准并行快闪记忆体产品提供了一个广泛的产品线，从2Mb到1Gb密度。这些产品具有引导和统一的部门架构在x8，x16，和x8/x16可选配置。旺宏快闪记忆体，为客户提供符合成本效益，高性能和可靠的产品，提供低功耗，高耐用性和可靠性。

旺宏电子3V并行闪存产品都可以在两个的版本：MX29LV系列（标准的读访问）和MX29GL MX68GL系列（页面模式访问）。旺宏电子还提供了1.8V以下并行闪存产品：MX29SL（标准访问），MX29NS（突发模式下，AD-MUX），和MX29VS（突发模式，同步读写，AD-MUX）。

提供8位、16位、8位/16位可选的数据传输方式。电源电压有5V，3V和1.8V。MX29GL系列产品提供先进的页模式接口，在读访问和编程操作上都进行了优化，用户可以使用页模式连续读取多个数据。

华邦

1.2V Serial NOR Flash

华邦推出支援最新业界标准低电压1.2V，且能支援dual、quad SPI 和Quad Peripheral Interface (QPI) 的NOR Flash是前所未见的。W25QxxND 1.2V系列产品跟既有3V和1.8V的闪存产品具有相当的操作效能，且能进一步的节省功耗。对于由电池供电且设计空间有限的装置，像是行动装置、物联网和穿戴式装置，和对于需要省电且低功耗的闪存，W25QxxND 1.2V系列产品提供2mm x 3mm USON8、narrow 150mil SOP8、6x5mm WSON 8-pin封装和KGD (Known Good Die)。1.2V系列产品可延伸操作到1.5V，利用单颗干电池即可运作，不像一般需将两个电池串联到3V才可操作的设计。

2、W25X 与W25Q

台湾华邦的W25X 与W25Q SpiFlash® Multi-I/O记忆体支援通用的SPI介面，容量从512Kb 到 512Mb，具有小容量分割的可擦除区块与业界操作效能。W25X系列支援Dual-SPI双线输出入模式，相当于将原本标准SPI的操作频率变为两倍。

W25X系列支援Dual-SPI双线输出入模式，相当于将原本标准SPI的操作频率变为两倍。W25Q系列是25X系列的进阶版，可支援Quad-I/O SPI四线输出入模式提供更高的效能，操作频率104MHz同等于416MHz(50M-Byte/S传输率)，相当于是一般单线SPI操作的4倍效能。W25Q系列不但效能超过Parallel flash，还提供更少脚位的封装。

更快的传输率代表控制器可以直接透过SPI介面与闪存做晶片内执行(XIP, eXecute In Place)，或是加快复制代码到RAM使开机速度加快。除此之外，部分SpiFlash®支援QPI (Quad Peripheral Interface)让指令集可更快的传输，加快XIP的传输效率。另外更小的封装，更利于对设计空间有限的手持和行动装置应用。

武汉新芯

武汉新芯推出50nm Floating Gate工艺SPI NOR Flash宽电压产品系列XM25QWxxC。该产品系列支持低功耗宽电压工作范围，适用于物联网、可穿戴设备和其它功耗敏感应用产品设计方案。

XM25QWxxC系列产品的读速在1.65V至3.6V电压范围内可达108MHz（在所有单/双/四通道和QPI模式下均支持），提供比其他供应商更快更强的性能，在电源电压下降后，时钟速度没有任何减慢。其传输速率优胜于8位和16位并行闪存。在连续读取模式下可以实现高效的存储器访问，仅需8个时钟的指令周期即可读取24位地址，从而实现真正的XIP（execute in place）操作。

XM25QWxxC系列flash芯片支持SOP8和USON8封装，适用于便携式产品设计。

XM25QH256B

单一电压供应，电压：2.7V至3.6V，用于快速读取操作最高为133 MHz，灵活的存储体系结构，扇区大小：4K字节

兆易创新

GigaDevice 提供超低功耗闪存系列，具有零深度待机电流

GIGADEVICE 提供 GD25WD 系列，具有零深度待机电流和低有源读取电流，适用于低功耗应用。GD25WD 系列亮点包括零待机电流和 1.65 V 至 3.6 V 的宽电压范围。128 位唯一 ID 功能还为低功耗应用提供增强的安全性。电压为1.65 V 至 3.6 V，密度为512 Kb ~ 8 Mb，采用单/双 SPI接口，双 SPI 数据传输速率高达每秒 160 Mb，还有灵活的内存架构（扇区大小：4K 字节，块大小：32/64K 字节），高可靠性，20 年数据保留和 100,000 次编程/擦除周期。

Micron

Micron Technology 串行 NOR 解决方案专为满足消费电子、工业、有线通信和计算应用需求而设计。Micron 的行业标准封装、引脚分配、指令集和芯片组兼容性易于为设计采用，节省了宝贵的开发时间，同时确保与现有和未来设计的兼容性。

多 I/O（单、双和四通道）串行 NOR 线路具有吸引人的读取性能（高达 54 MB/s）、灵活的存储器分区（均匀 64 KB 和 4 KB）、小型封装尺寸以及宽封装支持。N25Q 基于 65 nm 技术，采用 1.8 V 和 3 V 电源供电，也提供汽车级版本。N25Q 可兼容 M25P 和 M25PX 系列。

英飞凌

对于专注于保护信息和维护系统完整性的客户来说，拥有安全的连接系统是头等大事。随着系统越来越依赖外部NOR Flash来保护连接系统中的代码和数据，对内存中添加高级密码安全性的需求也越来越大。英飞凌表示，它的Semper Secure NOR Flash架构为其功能安全的Semper产品添加了一个安全子系统，以实现端到端的持久保护，并有效地保护系统不受损害。

Semper Secure NOR Flash系列包括AEC-Q100汽车认证设备，扩展温度范围为-40°C至+125°C，支持1.8-V和3.0-V工作范围，并提供128 Mb、256 Mb和512 Mb的密度。Semper Secure NOR Flash的设计完全符合ISO 26262标准，并符合ASIL-B标准，可用于ASIL-D之前的系统中。实施的EnduraFlex架构通过优化高耐久性或长数据保留分区简化了系统设计。设备提供四串行外围接口（SPI）、八进制SPI和hybibus接口。八进制和超总线接口设备符合用于高速x8串行NOR闪存的JEDEC扩展SPI（xSPI）标准，并提供高达400mbps的读取带宽。

恒烁

恒烁半导体可提供具有通用SPI接口的Flash存储器，主要产品为1.8V工作电压的ZB25LD/ZB25LQ系列，3.0V工作电压的ZB25VQ/ZB25D系列，以及1.8/3.3V宽工作电压的ZB25WD/ZB25WQ系列。可供选择的容量大小为1Mbit到256Mbit。

配合最高133MHz的工作频率，和标准、双口和四口的工作模式，恒烁半导体的SPI NOR Flash产品可支持高达到（Dual）266MHz和（Quad）532MHz的数据交换速度。

恒烁半导体SPI NOR Flash产品的静态电流最低至1uA，数据保持时间20年，擦写次数可达10万次，工作温度范围-40℃～105℃。产品具有可靠性高，功耗低，和先进的安全特性，应用范围涵盖了DVD/CD drives，STB，DPF，Desktop和Notebook PC，DVD Recorders，WLAN，DSL，LCD Monitors，Flat Panel TV，Printers，GPS，MP3等等。

复旦微电子

复旦微电子拥有丰富的NOR Flash设计经验，现可提供通用SPI接口Flash存储器:2.3V~3.6V工作电压范围的FM25F/FM25Q系列及1.65V~3.6V款工作电压范围的FM25W系列。产品具有高可靠性及高安全性，应用范围涵盖了手机，网通、安防，PC，物联网，显示面板，办公设备及工控产品等。

产品特性：

● 容量: 0.5Mbit到256Mbiit

● 多种接口模式：SPI，Dual SPI，Quad SPI，QPI

● 工作电压：1.65V-3.6V（FM25WXX），2.3V-3.6V(FM25FXX/FM25QXX)

● 可靠性：数据保持时间20年，擦写寿命10万次

● 小型化封装：SOP8(208mil)，SOP8(150mil)，DFN8，WLCSP

● 安全特性：硬件写保护，32Byte安全扇区，128bit UID

中天弘宇

中天弘宇集成电路有限责任公司拥有丰富的NOR Flash设计经验，现可提供通用SPI接口Flash存储器，工作电压在1.08V~3.6V的范围。产品具有高可靠性及高安全性。

产品特性：1）很小的单个bit颗粒，面积可达4F² 2）规划产品容量256Mbit到4Gbit 3）接口模式：SPI，Dual SPI，Quad SPI , DDR 4）工作电压：1.08V-3.6V 5）可靠性：数据保持时间20年，擦写寿命10万次 6）小型化封装：SOIC，VSOP , WSON, USON, PDIP

东芯

东芯串行NOR FLASH系列产品可提供具有通用SPI接口不同规格的NOR Flash，容量从2Mb到256Mb，3.3V/1.8V两种电压，支持Single/Dual/Quad SPI和QPI四种指令模式以及多种封装方式，可适应多种应用场景。专注在中小容量，性价比高，广泛应用于对存储空间需求不高的设备中。

芯天下

芯天下技术提供业界标准的25 系列串口NOR Flash产品，小型化封装、多容量选择，兼容的指令集，宽电压和高可靠性全面覆盖消费，通讯、工业和个人电脑等应用领域。

1．超低功耗，深度睡眠电流典型值低至 60nA；2．BP位保护、OTP保护、独立block区域保护确保代码安全；3．高可靠性，确保10万次擦写，数据保存时间长达20年；4．支持 1.65~2.1V, 2.7~3.6V, 1.65~3.6V 宽电压，容量1Mb~1Gbit；5．DFN 1.2x1.2x0.40mm，2x3x0.40mm，4x3x0.55mm 等小尺寸封装；6．提供 KGD 产品与服务支持SiP合封需求。

时代芯存

产品概况和性能参数介绍：采用先进的40纳米CMOS工艺制程，芯片尺寸13.74 mm2，存储数据前无需进行擦除动作工作电压+1.8V—+3.6V，SPI接口，最大工作频率133MHz。

产品可靠性参数介绍：产品耐擦写次数大于10^5次，强大的抗辐射性能，25℃数据保存时间20年，工作温度-40℃—+85℃，2kV ESD防静电保护能力。

扬贺扬微电子科技

NOR Flash系列的2M（HY25D02IEIAAG）和4M的HY25D04IEIAAG采用的都是USON 2x3mm工艺，8M、16M、32M、64M、128M系列都采用的是SO-8 208mil。

工作电压范围是2.7至3.6V，工作温度-40℃—+85℃。

芯泽电子科技

芯泽电子科技可提供具有通用SPI接口的Flash存储器，主要产品为ZD25Q和ZD25LQ系列，工作电压为1.8V和3.3V，可供选择的容量大小分别为2Mbit到128Mbit，最高支持105MHz的工作频率，可在双口和四口模式下工作，芯泽电子SPI NOR Flash产品的静态电流最低至1uA，数据保持时间20年，擦写次数可达10万次，工作温度范围-40℃～+85℃。产品具有可靠性高，功耗低，和先进的安全特性，应用范围涵盖了DVD/CD drives，STB，DPF，Desktop和Notebook PC，DVD Recorders，WLAN ，DSL，LCD Monitors，Flat Panel TV，Printers，GPS，MP3 等等。

豆萁科技

豆萁科技SPI NOR FLASH系列产品遵循国际JEDEC标准中关于接口及控制模式的规定，按照JEDEC相关标准进行严格测试。公司采用先进设计技术，优化存储单元的读写操作，实现低功耗和高性能：运行速度快，支持多种擦写模式，擦写次数高达10万次，数据可保存20年以上。通过与上下游密切合作，提供SOP，VSOP，TSSOP，DIP, WSON, BGA，USON等多种封装形式以满足在消费类、工业级和医疗电子等多种应用领域需求。

博雅科技

目前，正在研发的3.0V及1.8V，512 Kbit～256 Mbit高端通用芯片系列产品属国家重点鼓励发展的核心芯片，代表性产品SPI串行闪存已经完成研发设计，性能参数指标已全面通过客户的验证，进入大规模量产阶段。博雅BY25Q128AL工作温度范围为-40至+85℃，采用VSOP8 208mil封装，容量为128M。

兆易创新：MCU只是个“过渡故事”

A股市场向来热衷炒作预期。投资者乐于为概念买单，愿意给一家公司提前多年的估值。国产半导体设计龙头兆易创新 (SH:603986)，就曾是一个被预期打满的例子。

2020年初，兆易创新市值一度突破1200亿。然而19年和20年，它才只有25亿和38亿营收。过度估值的结果就是，当抱团瓦解，两年之内兆易创新股价经历三次大起大落。

图片：兆易创新刚到千亿市值，到如今来源：雪球

当下，作为A股闪存设计龙头的兆易创新，再一次试图向千亿市值发起了冲击。这一次，它有什么新故事吗？

01 基本面往事

要想看清楚兆易创新的新故事，看清公司的核心能力，我们还得从发展的历史上来把握。

2005年，从海外归来的朱一明带着一份名为“超高速静态随机存储技术”的神秘专利回国创业，创立了兆易创新的前身——芯技佳易。这个技术是用于SRAM的设计图，SRAM是一种高速缓存芯片，作用功能有点类似今天我们说的内存条（DRAM）。

在当时，最流行的SRAM设计需要6个晶体管才能实现功能，而朱一明手上这份专利，只需要两个。这就意味着他们的方案可以将成本缩小三分之二。

很快，市场开始用行动认可了这份不同寻常的芯片图纸的价值。成立不到半年，瑞芯微（SH:603893）给了芯技佳易一笔10万元订单，用于SRAM IP的授权。瑞芯微当时看中的就是新型SRAMIP低功耗及低成本的优势。

图片：经典6-TSRAM的设计中需要6个晶体管来源：网络

虽然手握SRAM产品获得了第一桶金，但芯技佳易却把未来的方向定在了NOR FLASH。选择NOR方向，一方面是因为该芯片用途广泛且不容易被替代；另一个原因则可能是因为NOR FLASH的电气原理与SRAM有些相似。

NOR FLASH芯片主要应用在手机、PC、DVD、网络设备及物联网设备等领域。特点是容量较小、读取速度快、静态功耗低、数据存储可靠。相较于SRAM，市场规模也要大得多，不过当时几乎没有国产厂商涉足。

2008年5月，芯技佳易推出了国内第一款8M SPI NOR Flash芯片。

很快，在中国一枝独秀的芯技佳易很快引来的国外公司的注意。美国ISSI储存公司提出想要以1000万美元收购。而另一家NOR FLASH巨头，飞索半导体喊了更高的价格。但朱一明都拒绝了。

2010年，公司512K~32M容量芯片产品全部实现量产，公司存储类产品销售约1亿颗。同年公司改名为兆易创新。

2011年，兆易创新64M~128M容量芯片产品实现量产，同时将工艺节点水平提升至90nm。2012年，成功将工艺节点水平提升至65nm。2013年，公司65nm的产品开始大规模销售，存储类产品销售约8.1亿颗，累计出货超17亿颗。

图：NORFLASH和一种2-TSRAM设计原理；来源：网络

2013年，存储芯片大获成功之后，兆易创新盯上了SPI NAND FLASH和MCU，进行再一次的闪存外延扩张。NAND FLASH的原理其实就是把在NOR FLASH上并联排布的晶体管重新按照串联的方式组合，从而实现更大的存储空间。

而MCU类似电脑，做的是输入命令-进行运算-输出命令。MCU的使用可以实现控制模块的小型化，而为了能够快速执行命令，MCU的结构中就包含CPU内核和闪存模块。

恰巧当时ARM cortex-M系列的推出，直接拉低了兆易创新进入32位MCU领域的门槛。截止至2021年度，公司MCU已实现24.5亿元营收，对应66%的毛利。

图：MCU原理图，来源：方正证券

2016年，兆易创新登陆A股。但IPO仅仅20天之后就因为重大重组停牌——兆易创新想要拿下当初想要收购他们的ISSI，希望吞并下DRAM的产品能力。但事与愿违的是，准备了一年之后，ISSI最终被北京君正(SZ:300223)收入囊中。

第一次收购失败不到3个月后，兆易创新又因重大资产重组事项而停牌，此次收购标的是上海思立微。思立微主要是做指纹识别传感器产品，今天我们熟悉的手机屏下指纹识别如OPPO、华为就是采用的思立微的方案。思立微在当时触控芯片全球占比第四，指纹识别全球占比第三。

收购思立微可以兆易创新可以获得人机交互领域的核心技术和产品，在已有的微控制器MCU、存储器基础上，补齐人机交互技术和产品，推进“存储+MCU+传感器”产业协同。2021年，兆易创新在传感器业务的营收为5.46亿元，对应24%的毛利。

图：兆易创新与思立微的协同效应；来源：中信建投

兆易创新热望DRAM的版图，并没有完全押注在ISSI的收购上——2017年10月，公司宣布与合肥市产业投资控股(集团)有限公司签署了《关于存储器研发项目之合作协议》，将开展19nm制程工艺存储器(含DRAM等)的研发项目，预算约为180亿元人民币。

整个项目通过合肥长鑫、长鑫存储、睿力集成三个运营主体进行。为了确保项目的顺利进行，朱一明甚至跑到长鑫做起了董事长。至此，兆易创新完成了存储器领域的全面布局。

图：存储器分类；来源：兆易创新招股书

从发展历程来看，不难发现，兆易创新的存储版图都是围绕着闪存这项技术而布局。从最开始的SRAM到FLASH，然后推出MCU，再到为了整合客户和生产商吞并指纹传感器，以及如今开始量产的DRAM，是一个“1到N”的行业落地案例。

得益于前瞻性的战略布局以及应对市场供需变化的快速反应能力，2021年兆易创新实现了经营业绩高速成长。2021年公司实现营业收入85.10亿元，比2020年同期增长89.25%，归属于上市公司股东的净利润23.37亿元，比2020年同期增长165.33%。

02 传统业务低调发育

对于兆易创新来说，其目前将自己的披露产品线划分为传感器、存储芯片和微控制器。其中传感器这部分是通过思立微来达成，这部分的营收占比只有6%且毛利较低，故暂时不考虑该业务放量增长的可能性。

故而，我们将从兆易创新的存储芯片和微控制器来入手，看看它的未来增长空间。

首先是存储芯片。NOR FLASH这块，兆易创新近几年来稳居世界第三的位置。根据IC Insights预测，2021年全球NOR Flash市场规模约占整个存储市场的2%（约31亿美元），兆易创新目前对应市占率为17.8%。营收虽高，但这NORFLASH这块基本大局已定，市场空间有限且主要玩家目前相对稳定（CR3约为75%）。

这是因为NORFLASH虽然具备不可替代性，但其市场空间过小。整体增速水平几乎和存储整体市场保持一致，在10%左右。市场增量空间有限，并且入局壁垒相对不高并且具有理论制程上的限制，没办法提升制程进行更新迭代。

近年来，存储巨头们纷纷在放弃或者减产这部分产品，就是因为NORFLASH属于这种“一眼能看到底的业务”。

图：NOR FLASH市场规模；来源：银河证券

然后是存储芯片的DRAM。2021年，兆易创新的存储芯片整体营收位54.51亿元。假设21年兆易创新NORFLASH市占率保持不变。可以得到兆易创新在除了NOR FLASH以外的部分总营收约为17.8亿元。有趣的是，根据公开资料显示，兆易创新不仅与长鑫合作开发DRAM，同时也为长鑫进行分销。

在21年2月，兆易创新和长鑫签订了一笔总价值3亿美元的采购订单，截止到11月，该订单已执行金额为1.89亿美元。其中代销采购金额为1.59亿美元，自研产品的采买仅为0.3亿美元。在DRAM产品端，官网现实公司目前只有４GB ddr4能够量产，而用途更加广泛的ddr3l系列仍处于样品阶段。

兆易创新DRAM产品的现状其实说明的是，公司要想以其获得高营收增速，还得往后稍稍。

最后是存储芯片的NAND FLASH。如果兆易创新在自研DRAM的销售上，符合公司预期的最低30%毛利。假设代销的DRAM产品按照原价售出的话，兆易创新在NAND FLASH的营收最多5.2亿元，占存储芯片总收入的10%左右。兆易创新主要做的是SLC NAND FLASH，这部分市场占总体NAND FLASH市场只有2%左右。

而这部分市场未来增速同样不会很高，大概只有个位数的样子。从逻辑上来看，除非兆易创新能够实现当年其在NORFLASH上遇到的大厂纷纷退出的千载难逢的时机，不然兆易创新很难获取更多的市场份额。不过就算真的出现这种情况，当前国内玩家如普冉股份(SH:688766)、东芯股份(SH:688110)也会挑起更激烈的竞争。

那也就是说，如果只看存储芯片本身的话，NOR FLASH、NAND FLASH增长缓慢，而DRAM这边又还不成气候。兆易创新近几年想要创造新的增长曲线是否就只能指望MCU了？

03 新故事仍处过渡期

兆易创新MCU产品已经成为业绩增长最快的产品线，2021年实现营业收入24.56亿元，同比增长225.36%。

MCU突然增长背后的逻辑其实很简单：

首先是MCU这个行业本来就很景气。今年3月，IC Insights表示供应紧张的市场导致MCU在2021年的平均售价上涨10%，达到近25年来最大上涨。这边， MCU销售额随着2021年经济复苏增长23%。IC Insights预计，2022年全球MCU销售额预计还将再增长10%。

图片：中国MCU市场预测情况来源：长江证券

显然，智能汽车对于兆易创新来说是一个非常好的切入口。

一是因为，近年来兴起的汽车电动化为MCU拓展了增量空间。根据IC Insights数据，2020年全球车规级MCU市场规模为61亿美元，预计2025年有希望达到116亿美元。兆易创新的MCU产品适量非常多，在21年总数超过354款，其中以工业用途居多。

工业MCU和车规级MCU具有很多类似的要求，例如适应温度、抗干扰能力、质量过硬等等。这就使得兆易创新的MCU在很多层面上比起新晋竞争者更加容易合规。3月24日，兆易创新的第一颗车规级MCU产品已流片并进入客户送样测试阶段，预计2022年中左右实现量产。

二是因为，汽车的智能化未来会更加需要存储芯片，届时结合兆易创新的MCU会形成协同效应。

首先，智能座舱应用将产生大量的数据交互。车载存储市场以DRAM和NAND为主，占比约为57%和23%。在中端车型中，2~4G DRAM和32~64G NAND FLASH这样的搭配比较多。

其次，自动驾驶的普及也将推动NAND需求指数级上升。根据美光官网显示，L1/L2级别的自动驾驶需要8G的NAND容量，而L3为256G，到L5的时候需要1T。目前，兆易创新GD5F全系列SPI NAND Flash已通过AEC-Q100车规级认证。

最后，依托MCU兆易创新可以开拓更多芯片类型，再次实现公司“1到N”业务布局模式。例如兆易创新顺着MCU“摸向”了模拟芯片。例如GD 30 PMU产品线，主要做的是电源管理芯片。目前，公司模拟芯片可以做到耳机充电盒管理、电机驱动、锂电池充放电管理。

不过特别需要注意的是，MCU并非芯片领域的高精尖板块，容易形成产能拥挤进而成为竞争蓝海。故而总体来说，MCU只是兆易创新这个老龙头的过渡选项，未来如何在存储领域做强做大仍是它的主逻辑。

NOR Flash主要厂商及产品

兆易创新：MCU只是个“过渡故事”

01 基本面往事

02 传统业务低调发育

03 新故事仍处过渡期

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