中国首款NAND闪存下半年将上市 填补国内空白

据报道，长江存储科技联席首席技术官称，中国首款国产NAND芯片将于2020下半年上市。公司联席CTO程卫华在刚刚于上海召开的SEMICON China2020上表示，长江存储将依靠自有解决方案，在今年下半年向大众依次推出更多产品，推出对象包括个人消费者、企业存储、云计算、高端智能手机、平板电脑和其他消费电子产品在内。

我国存储芯片主要依赖进口，市场规模近千亿美元，占我国芯片进口总额比重超过四分之一，规模超过CPU、手机基带等热门芯片。此次长江存储NAND闪存量产上市，不但填补了该领域的国内空白，也极大缩短了与国际领先厂商的差距，为国内存储器今后的生产研发自主化打下了坚实的基础。

相关上市公司：

有研新材：已成为长江存储、中芯国际、台积电、英特尔等在内的众多国际一流集成电路企业金属靶材的稳定供应商；

华天科技：我国领先的集成电路封装测试企业，也是唯一与长江存储有战略合作的国内封测企业。

三星预测1000层以上的NAND将于2030年上市

IT之家 6 月 30 日消息，根据韩媒 The Elec 报道，三星存储业务高管近日参加了电子工程师协会 2023 年夏季会议，表示 2030 年 V-NAND 可以叠加到 1000 多层。

三星预测 V-NAND 的竞争将持续到 1000 层以上。三星于 2013 年推出 24 层开始，在过去 10 年间，已经发展到 200 多层。

IT之家注：三星最初推出的 V-NAND 每个 die 容量都有 128Gb（16GB），通过 3D 堆叠技术可以实现最多 24 层 die 堆叠，这意味着 24 层堆叠的总容量将达到 384GB。

图源：The Elec

三星高管表示正因为 V-NAND 的存在，延续了 NAND 的历史，是韩国国家创造技术和生态系统的少数成功事例。

三星高管表示为了推动 1000 层的 NAND 技术，就像建设摩天大楼一样，需要考虑坍塌、弯曲、断裂等诸多稳定性问题，此外还需要克服连接孔加工工艺、最小化电池干扰、缩短层高以及扩大每层存储容量等挑战。

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