dream NAND flash 重拳！美芯片巨头美光在华遭禁售，福州法院裁定诉中禁令立即生效

发布时间 : 2025-03-16

作者 : 小编

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重拳！美芯片巨头美光在华遭禁售，福州法院裁定诉中禁令立即生效

近期牵涉多家中国企业与美国企业之间的半导体专利侵权诉讼纠葛纷扰不断，但，就在昨天，整起事件出现重大惊人进展。

图丨福建晋华官方发布消息

7 月 3 日福州中级法院裁定对美国芯片巨头美光（Micron）发出“诉中禁令”，美国部分闪存 SSD 和内存条 DRAM 将暂时遭禁止在中国销售，虽不是最终判决，但似乎暗示美光确实有侵权之嫌。而这是中国发展半导体一路被指称“窃密”和“侵权”以来，首次成功重拳回击！

或许受此次负面消息影响，美光今日遭受大跌，跌幅超过 6%。

图丨美光股价

福州市中级人民法院 3 日裁定美光半导体销售（上海）有限公司立即停止销售、进口十余款 Crucial 英睿达固态硬盘、内存条及相关芯片，并删除其网站中关于上述产品的宣传广告、购买链接等信息。同时，也裁定美光半导体（西安）有限责任公司立即停止制造、销售、进口数款内存条产品。

福建晋华指出，通过先进实验室逐层剖析，发现美光的十余款自有品牌产品涉嫌侵害晋华专利，包含数款 DDR4 笔记本等，以及 MX500 系列的 2TB 、 1TB 、 500GB 、 250GB 2.5 英寸的固态硬盘和相关侵权芯片，确定该等产品的技术方案落入晋华专利要求的保护范围。

晋华主张，美光明知此前热销的 MX 300 固态硬盘存在侵权疑虑，仍继续在目前热销的主流产品 MX 500 系列上延续使用侵犯晋华专利的技术方案。

阿里巴巴、华为等互联网企业大量采用美光服务器SSD，“禁令”后果不堪设想

美光是全球三大内存供应商之一（另两家为三星和 SK 海力士），也是位居全球六大闪存芯片供应商之列（另五家为三星、SK 海力士、东芝、西部数据、英特尔），美光将近 50% 的营收都来自中国，一旦美光部分产品在中国禁止销售，恐形成重击。

更重要的是，美光是国内阿里巴巴、华为、腾讯、百度等互联网企业的服务器 SSD 模组供应商，应用在云端存储系统中，若是美光供应给这些大厂的存储产品涉及侵权问题，那在中国数据中心服务器存储的最大供应货源恐怕会陷入“急冻”状态。

近两个月来，《华尔街日报》和《纽约时报》不约而同出现同一论调的报道，指出中国通过大量网罗台湾半导体产业人才，以及“窃取”相关技术来发展自主芯片计划。

这样的控诉和论调其实源自于美光从 2017 年初以来，对于大陆 DRAM 厂福建晋华的诉讼指控。

这其中包括，美光有两名子公司的离职员工因携带技术资料到福建晋华任职，因此在台湾被控告侵犯营业机密。而福建晋华因为与台湾晶圆代工厂联电合作 DRAM 技术开发，导致联电也因为“未善尽管理之责”而同步列为被告，且美光同步在美国加州对两家公司提出民事诉讼。

今年初，福建晋华和联电在福州中级法院反告美光旗下的闪存和内存产品侵犯其四项专利，其中包括晋华与联电各自拥有的两项专利，共计四项。经过六个月的审理，3 日福建中级法院正式裁定“诉中禁令”，暂时禁止美光的部分闪存 SSD 和内存 DRAM 在中国销售。

“诉中禁令”不等同于司法判决，但裁定结果一送达即可立刻执行。当事人在收到裁定之日起，10 天内可以申请复议，简单地说，如果当事人认为自己并未侵权，可以进行合理抗辩，一旦被法院采纳，可以声请禁售期间所遭受损失的赔偿，但声请复议的期间该禁令将会继续执行，且仅有一次申请复议的机会。

而以福州中级法院的裁定来看，此一“诉中禁令”的裁定意义，在于法院在审理过程中，认为原告福建晋华和联电主张美光侵权确有理由，美光的确具有侵犯福建晋华和联电专利的可能性，整个事件发展至此，确实是业界始料未及的。若是美光无法提出有力的证据抗辩，其长期以来制造福建晋华和联电“偷窃技术”的手法，恐将不攻自破，也等于是重重被打了一个巴掌！

业界分析，联电在半导体产业将近有 30 年历史，虽然擅长领域是逻辑制程技术，也就是晶圆代工业务，但联电和存储技术也是颇有渊源。

当年日本唯一仅存的内存供应商尔必达 ( Elpida) 在转进 65 纳米铜制程技术时遇到瓶颈，曾找过联电帮忙，当时的铜制程转换是半导体产业很头痛的天险，联电也吃过不少苦头，之所以会“帮助”尔必达，是因为联电荣誉副董事长宣明智和当时尔必达社长坂本幸雄交情甚笃，这才让联电在关键时刻出手相助。由此也可看出，联电在存储技术领域确实具有不容小觑的实力。

“价格操作”反垄断调查如火如荼进行中，中国、美光彼此究竟想要什么？

去年起，中国反垄断机构陆续调查全球三大内存供应商三星、 SK 海力士、美光企图操纵 DRAM 价格，这三家掌握全球 95% 的市场份额，过去两年因为控制扩产，导致价格数倍上扬，去年底开始，引发中国手机厂的强烈不满，进而演变成近来持续延烧的反垄断调查风暴。

更严重的是，美光因为阻止福建晋华发展 DRAM 技术，企图通过多个途径“制裁”福建晋华，其中包括向部分半导体设备供应商施压，要求其不得销售设备给晋华来做 DRAM 开发。

行业内人士推测，对于福建晋华和合肥长鑫两家 DRAM 厂，美光特别忌惮福建晋华能成功开发 DRAM， 因为其主导者出身美光体系，加上联电长达 30 年的半导体经验，该阵营的胜算不小。因此，美光对于福建晋华特别"另眼相待", 就是要趁着晋华“长大成人”前先“斩草除根”。

美光究竟要什么？难道只是希望中国能终止 DRAM 自主研发计划吗？

行业内人士分析，美光口袋里的另一套计划，恐怕是希望福建晋华能屈服，除了停止研发计划外，还能向美光授权其 DRAM 技术，把福建晋华的角色变成旗下众多的代工厂之一，当成“殖民地”来控管。

不能重蹈台湾地区的覆辙

过去美光以“华亚模式”大量与台湾半导体厂合作，但最后证明这是一个失败的模式，台湾发展 DRAM 产业二十年却不具备任何技术，最后只留下一堆晶圆厂低价卖给外企，DRAM 变成一场“DREAM”。

所谓的“华亚模式”是由台湾台塑出钱盖晶圆厂，旗下的南亚科技和美光合资成立子公司华亚科技（该公司前身是南亚科与德国奇梦达 (Qimonda) 合资成立，奇梦达破产后由美光接手），美光可分享扩产的 DRAM 产能，却不用花钱盖厂。

在此模式下，美光授权 DRAM 技术给华亚科生产制造，每年华亚科都要付出一大笔的专利授权费用，但却不拥有独立技术，如果当年度 DRAM 市场供过于求导致价格崩盘，华亚科母公司之一南亚科，也会因为认列投资亏损而连带大亏。

现在的情况是，美光告福建晋华和联电侵害其营业机密，而福建晋华和联电反告美光侵犯其半导体专利。 此案进入“诉中禁令”阶段，美光可以在十日内提出抗辩，表达其专利并未侵权，但只有一次机会，如果美光抗辩失败，最后恐怕是需要寻求与福建晋华和联电达成和解。

但不要忘了，除了美光自己的专利现在有侵权之嫌疑外，目前台湾 DRAM 南亚科和力晶生产的 DRAM 产品都有使用美光的技术，万一当中也内含侵犯福建晋华和联电手上的四项专利，这项侵权官司案恐怕将由野火般蔓延开来。

不过，福建晋华和联电告美光的初衷，应不是为了再产业大打专利诉讼战役，其目的是希望美光不要再营造其“窃取”技术的形象，并且能撤回控告其侵犯营业机密一案。

这个案子的出现，恐怕对于现在处于供过于求的 NAND Flash 内存市场，以及处于价格高点的 DRAM 产业，恐将投下一个“深水炸弹”。

美光若因侵权无法在中国销售，对全球存储价格是一枚深水炸弹

若是最后判决结果是美光有侵权的事实，如果美光不和解，那未来美光的 DRAM 和 SSD 将无法在中国销售。 美光的业务极度依赖中国市场，尤其是中国互联网企业大量采用美光的服务器 SSD，这些大厂未来势必不敢采用美光产品，这对于现在手上一堆 NAND Flash 库存的三星，将是率先受惠获得转单。

然这个巨大的商机对于三星而言，恐怕也是如履薄冰。因为即使有天上掉下来的订单出现在眼前，身陷反垄断调查的三星、SK 海力士等也不敢因此而随意涨价，DRAM 已经被中国控告操控价格，万一针对 NAND Flash 涨价，恐怕再记上一笔，且被抓到证据。

比较不好的后续结果是，美光无法在中国销售的内存和闪存产品，可能会拿到其他国家销售倒货，那也会把整个存储市场的价格压下来，成为未来存储产业的一枚炸弹。

这次美光被福州中等法院因为“诉中禁令”，导致部分产品暂时禁止在中国销售，等同是中国、美国半导体专利侵权大战方酣之际，剧情急转直下的来了一出“中国厂商抢先得分，美国企业意外吃鳖”，情节已经脱离先前外界预想的剧本。

然而芯片产业的发展是长期的，美光是非常“政治性”的企业，且一向以“好斗”闻名，这次会否轻易投降，恐怕还很难说，因为这关系着美光最大依存的中国市场未来商机。

得罪中国，对美光没有好处，但中国的 DRAM 技术若做出来，美光恐怕将彻夜难眠，未来要看彼此手上还有什么底牌，以及两大阵营背后力量的角逐，这出戏，恐怕还很长！

速度提升千倍，它们是SSD的终结者

SSD发展现状

随着社会、科技的不断的发展人们越发的注重电脑的速度了。要提升电脑速度，操作体验，就必须升级电脑的短板——电脑储存设备。固态硬盘迎合了人们的需求。SSD的速度是HDD望尘莫及的。因此SSD受到越来越多的追捧，逐渐普及起来。

本以为SSD取代HDD是理所当然，大势所趋。但是随着SSD的发展，却出现了以下的这些问题：

1.价格昂贵

从16年开始，由于全球晶圆紧缺，SSD价格开始一路飙升。时至今日，SSD几乎涨价一倍。大容量的SSD价格不菲。这使得SSD消费市场出现了前所未有的萎缩，这也使得我们消费者只能把SSD当成一种辅助，对于HDD我们仍旧是无法舍弃。

2.速度慢

SATA SSD的读写速度的极限也只有600MB/S。而大多消费级SSD的速度大多在100-500MB/S。依然是电脑的短板。另外支持NVMe的SSD，读写速度虽然能够达到上千，但是发热量大的问题至今悬而未决。

3.安全性较低

虽然时至今日，大多数SSD的安全性是能够我们的需要。但是相对于HDD来说SSD的安全性能还是略有不足的。SSD的容错相对于HDD还是太低。这是一部分人对SSD不感兴趣的一个重要原因。

相对于大多数人来说，其实SSD的速度、安全性已经OK了。享受现在，用几年再升级新的硬盘，符合我们的需求。真正最大的问题是，SSD的价格，太贵。

为了解决SSD的价格昂贵这个问题，3D TLC NAND FLASH来了。

3D TLC NAND FLASH比TLC NAND更加优秀。相对而言它拥有更快的速度，单位体积更低的价格等等。

3D TLC NAND FLASH一经上市，人们便对其寄予厚望。3D TLC NAND FLASH纸币TLC NAND好一点，我们接受。只希望它的出现会使得SSD价格降下来。

但是，现在3D TLC NAND FLASH的产量已经突破NANDFLASH的产量的50％了。3D TLC NAND FLASH也在SSD中广泛运用了。然而，SSD的价格依然在增长中。而3D TLC NAND FLASH的SSD价格居然更高！

说好的救世主呢？3D TLC NAND FLASH不过来客串了一把。但是它吃掉的不仅仅只是盒饭！

3D TLC NAND FLASH吃掉的是我们那“SSD回归性价比”的梦想。

3D TLC NAND FLASH还不算完，继3D TLC NAND FLASH过后，万恶的QLC又被重新提起。今年又传出东芝、WD正共同研发QLC的消息。

有点欺人太甚啊！鬼才再买！那些捧过3D TLC NAND FLASH的臭脚的玩家，早已血槽空了。

SSD的终结者们

人生最大的迷茫是，I have a dream, but I don’t know where the future is 。

SSD的未来在哪里？

一、相变内存（PCM）

PCM结合了DRAM内存的高速存取，以及闪存在关闭电源之后保留数据的特性，被业界视为未来闪存和内存的替代品。

PCM功耗更低，单位体积的容量更大，并且PCM可以不擦除现有数据而写入新的数据，可以写入10万次以上，比现在的闪存寿命更长，并且它的速度比闪存快1000倍。

2017年3月，Intel 公司发布了旗下 Optane 闪腾系列的第一个产品线 SSD DC P4800X。英特尔号称使用了PCM技术，并且称这是一款打破了内存和闪存界线的产品，它的速度比SSD 快1000倍。32GB 版本的最高速度为 1600MB/s，写入速度 500MB/s，4K 随机读写 300K/120K IOPS。请问1000倍在哪里？另外这款SSD的价格却是比一般SSD的三倍。

从目前来看相变内存技术还有待发展。但是未来PCM确实有望成为SSD、HDD、内存条的终结者，打破硬盘和内存的界限，让它们合而为一。

二、磁性内存（MRAM）

1995年摩托罗拉生产出一个MRAM芯片。2007年IBM和TDK，采用自旋扭矩转换(spin-torque-transfer , STT)的新型技术开发出新一代的MRAM。

MRAM是一种非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，也拥有动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。MRAM记录密度是DRAM的成百上千倍，速度也比所有现有的内存技术都要快得多。大密度、快访问、极省电、可复用和不易失是磁阻内存的五大优点。

MARM的优秀远超现在和正在研究当中的所有储存技术，可说是一枝独秀。