ram和nand 都是存储器，但RAM，ROM，闪存，硬盘怎么分？

发布时间 : 2024-11-28

作者 : 小编

访问数量 : 23

扫码分享至微信

都是存储器，但RAM、ROM、闪存、硬盘怎么分？

曾经有一段时间，我对电脑、手机上的RAM、ROM、内存、闪存、运行内存、机身内存、存储空间等都"傻傻分不清楚"，后来花了不少时间，才把这几者的来龙去脉分清楚。

总的来说上面那些算是存储器，从存储器的材质来看，大概可以分为三种，分别是磁性的机械硬盘、DVD和蓝光类的光盘，而第三种则是今天要讲的主人公，半导体存储器，顾名思义，它是用半导体集成电路工艺制成的存储数据信息的固态电子器件。

如果光看"存储器"这个名字的话，可能很多人会把它们都当作U盘、存储卡、硬盘等永久存储数据的器件，其实这是片面的。说到这，还要从电脑（手机）的内部结构说起。存储器是电脑中的重要部件，主要分为以RAM和ROM为代表的内存（主存储器），和以机械硬盘和闪存为代表的外存（辅存储器）。

很多人都知道内存是用来运行程序的，但未必了解其实内存和外存都会存储数据，只不过是分工不同。内存的英文名为Memory（记忆），可以理解成它是用于即时任务的短暂记忆体。处理器需要处理数据，不是直接和外存（硬盘或闪存）交换数据，而是外存先把数据放入到内存中，再由内存和处理器对接。

内存主要有RAM和ROM这两种。RAM（Random Access Memory），中文名为随机存储器，与CPU直接对接，特点是可以随时读取写入数据、运行速度快，缺点是一但断电就会丢失数据。ROM（Read-Only Memory），中文名为只读存储器，数据出厂前被存入ROM并永久保存，只能读出，不能再写入或删除，掉电后数据也不会丢失。ROM一般用于存放计算机的基本程序和数据。

人们经常弄错的第二个疑惑点，就是人们把RAM和ROM区分成了运行内存和存储空间这两样不同的东西，特别是在手机上。说到这里，就要说起手机的存储结构了，在手机里面RAM和电脑的一样，也是（运行）内存，但ROM却和存储空间产生了联系，手机中的ROM有一部分空间是用来存储系统信息和软件，但大部分空间都被用来当作硬盘的存储空间了。

外存（辅存储器），英文名为"Storage"（存储），是作为存储空间的永久记忆体。常用的外存设备主要有硬盘（多指机械硬盘）、闪存（半导体）。闪存既可被多次擦除或写入内容，又可断电以后数据也不会丢失。

闪存下面还有相关分类，其中应用广泛的就是NAND闪存。NANAD闪存拥有体积小、读取速度快、空间大等优点，因此多被用来作固态硬盘和手机存储。以固态硬盘为例，它主要由控制芯片+（NAND）闪存颗粒组成，速度的快慢很大程度上取决于闪存颗粒的如何。闪存颗粒的发展也经历了SLC、MLC、TLC、QLC等多个阶段，目前比较先进的有像希捷酷鱼120这种装载了3D TLC NAND闪存的，它能缩短系统、软件、文件的启动和读写时间，顺序读写速度分别高达560MB/秒和540MB/秒。

说了这么多，区分内存、存储空间、RAM和ROM，其实可以简单地分为两方面来记忆区分，一是分清电脑上的内存（运行内存条）和外存（机械硬盘或固态硬盘），二是分清手机上的RAM代表运行内存、ROM代表存储空间就可以了。

ReRAM：DRAM和NAND的最强继任者？

存储器是半导体产业的重要分支，约占全球半导体市场的四分之一至三分之一。存储器已经形成主要由DRAM与Flash构成的超千亿美元的市场。尽管存储器产品品类众多，但从产品营收贡献的角度来看，DRAM和Flash（NAND、NOR）的营收占比超95%。

DRAM与Flash虽然在存储器领域近乎“绝对垄断”，但是，人工智能、物联网、5G到来，都加速了数字化浪潮来袭。在这个背景下，数据处理的需求量呈指数级上升，半导体从业者纷纷加大对存储技术的研发与投资，想实现成本更低、速度更快、效能更好的存储。

龙头也有短板

存储市场中，最常见且被广泛应用的存储器为DRAM与NAND。近年来随着半导体制程持续朝更小的技术节点迈进，DRAM与NAND严重面临尺寸微缩挑战，DRAM目前已接近微缩极限，而NAND则全力朝3D架构转型。

此外，随着数据量的爆发增长，DRAM及NAND在耗电量及数据访问速度上已无法跟上需求的脚步。他们在需要高速运算的应用场景中也有一些阻碍。

基于这些原因，下一代存储技术为了补位，出现在大家的视野中。

新生代存储：PCRAM、MRAM、ReRAM

经过各个厂商数十年的不懈努力，下一代存储已经出现了几位极具潜力的种子选手：PCRAM、磁阻式内存MRAM、以及电阻式内存ReRAM。这些新兴存储的技术性能也各有差异。

PCRAM（相变随机存储器）

PCRAM是一种利用相变材料作为存储介质，通过相变材料在电流的焦耳热作用下，在结晶相态和非晶相态之间快速并可逆的转换时，会呈现出的不同电阻率这一特性来实现数据存储的技术。

与NAND相比，PCRAM在写入更新代码之前不需要擦除以前的代码或数据，所以在速度方面，比NAND有优势，读写时间较为均衡。然而，PCRAM虽然读写速度比NAND有所提高，但冷却过程会带来更高功耗。其次，为了使相变材料兼容CMOS工艺，PCRAM必须采取多层结构，因此存储密度过低，在容量上无法替代NAND。

PCRAM早已逐渐步入产业化进程。

2006年，英特尔和美光成立IM Flash Technologies，开始合作研发新的存储器技术。2012年，双方开始合作3D XPoint存储项目，3D XPoint技术也是PCRAM的一种。2015年7月，美光和因特尔联合发表了发表双方共同研发的存储器技术：3D XPoint存储器技术。

MARM（磁性随机存储器）

MRAM（磁性随机存储器）靠磁场极化而非电荷来存储数据，存储单元由自由磁层、隧道栅层、固定磁层组成。自由磁层的磁场极化方向可以改变，固定层的磁场方向不变，当自由层与固定层的磁场方向平行时，存储单元呈现低电阻；反之呈高电阻，通过检测存储单元电阻的高低，即可判断所存数据是0还是1。MRAM拥有SRAM的高速读取写入能力，以及DRAM的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。

MRAM最大的缺点是存储单元之间存在干扰，当对目标位进行编程时，非目标位中的自由层很容易被误编程，尤其是在高密度情况下，相邻单元间的磁场的交叠会愈加严重。

从开始研究到现在，MRAM已经有20多年历史了。

上世纪末，前沿半导体公司已经开始对MRAM的研究。1995年摩托罗拉（其芯片部门后独立成为飞思卡尔半导体，飞思卡尔半导体在2015年被恩智浦收购）演示了第一个MRAM芯片，并生产出了1MB的芯片原型。

20多年来，IBM、TDK、STT、Intel、格芯、ST意法半导体等公司相继入局，都在MRAM的商用产品上有了自己的产品或技术。今年1月份，三星公司成功开发出新的MRAM阵列。

ReRAM（阻变存储器）

ReRAM（阻变存储器，也称忆阻器）是当下最有前景的新型非易失性存储技术之一，其器件结构简单，操作方式简捷，具有尺寸易于缩小，高速度，低功耗，低成本，易与CMOS工艺兼容等诸多特点。

典型的ReRAM由两个金属电极夹一个薄介电层组成，介电层作为离子传输和存储介质。在上下电极间施加电压，中间的阻变层中会形成一条导电通道。通过改变上下电极间的电压来控制导电通道的状态，进而使得存储器件的电阻值发生变化。不同的电阻值代表不同的存储状态，即使去掉电极上的电压信号，电阻值仍然会继续保持，因此可以实现非易失性存储。

ReRAM的单元面积小，读写速度是NAND的1000倍，同时功耗可以降低15倍。

ReRAM工艺也更为简单。以Crossbar为例，Crossbar的ReRAM能够使用标准的CMOS工艺与设备，对产线无污染，整体制造成本低，可以很容易地让半导体代工厂具备ReRAM的生产制造能力，这对于量产和商业化推动有很大优势。

从密度、能效比、成本、工艺制程和良率各方面综合衡量，ReRAM存储器在目前已有的新型存储器中具备明显优势。

多点开花的ReRAM应用领域

ReRAM的优越性能也让其应用也十分广泛。

AIoT：效能与安全是要义

AIoT主要由微型设备组成，供电能力弱且需要数据实时交互，因此不仅要求存储器件低功耗，也需要高速度和低延迟。ReRAM在读写速度和功耗几倍到几百倍的提升，并可实现更高的存储密度。

AIoT的数据要求具备基本的信息安全和隐私保护能力。一些厂商的ReRAM都带有PUF密钥，每颗存储芯片都拥有唯一信任根和唯一主动标识ID，结合通用密码算法，实现数据和程序的防复制和防篡改能力。

人工智能：亟需打破存储墙

人工智能不断发展，对存储和计算提出了更高的要求。目前计算机还是依然延续冯·诺依曼结构，存储单元和计算单元独立分开，

现有冯·诺伊曼计算系统采用存储和运算分离的架构，存在“存储墙”与“功耗墙”瓶颈，严重制约系统算力和能效的提升。“能效比低”已经成为人工智能芯片的瓶颈问题。

ReRAM可以直接在芯片上集成处理逻辑，从而实现全新的以内存为中心的SoC架构。ReRAM的优越特性有助于解决这些算法所需的性能和能源挑战。通过减少存储和计算之间的性能差距。

数据中心：高速计算提出更高要求

DRAM读写速度很快，但是无法下电保存数据，NAND密度高，可以下电保存数据，但是读写速度延迟高。高速计算、5G、万物互联等应用场景正在推动数据中心、智能终端的高速增长和转型，对数据中心和智能终端提出了性能的更高要求。

通过利用ReRAM密度高、能耗低、读写速度快及可下电数据保存的特点，能帮助用户大幅提升数据中心性能，降低能耗，达到运营成本的大幅降低。

国内外厂商的ReRAM布局

ReRAM相比MRAM和PRAM，研究要稍晚。2000年，夏普购买了美国休斯敦大学的相关专利后，才引起学术界和业界的研究。由于ReRAM独特的优势，主流存储器厂商也纷纷投入力量，开始对ReRAM的研究。ReRAM也已经由实验室阶段进入到企业的研发阶段。

松下在2013年开始出货ReRAM，成为了世界第一家出货ReRAM的公司。

2016年11月，富士通半导体开始销售其与Panasonic共同开发的4兆字节（MB）ReRAM芯片。今年4月，富士通推出12Mbit ReRAM MB85AS12MT，这是富士通ReRAM产品系列中密度最大的产品。

ReRAM技术的领导者Crossbar成立于2010年。Crossbar将其技术作为现成的或定制的IP内核授权给SoC和内存公司。Crossbar也在积极发展其生态系统硬件和软件合作伙伴。2021年7月，Crossbar它宣布将其ReRAM设备用于PUF应用。

Intrinsic是伦敦大学学院的一家衍生公司，旨在将新型忆阻ReRAM器件商业化。今年2月份，Intrinsic及其合作伙伴imec已将Intrinsic的ReRAM技术扩展到50nm。

今年3月，Weebit宣布，借助CEA-Leti，将其ReRAM技术缩小到22nm。两家公司正在设计一个完整的IP内存模块，该模块集成了一个针对先进的22nmFD-SOI工艺的多兆位ReRAM块。Weebit也正在迅速加快其开发计划。

实质上，除去专门研究生产ReRAM的存储厂商，还有一些存储厂商采取的是两边下注的策略。因为他们要确保一旦DRAM和NAND不能再满足市场发展需求，必须有一些研究成果可以取而代之。

2016年，西部数据就宣布将在即将推出的专用SSD中使用3D ReRAM，以取代NAND闪存。

国内在ReRAM领域的研究也有了一些成果。

今年2月16日，由昕原半导体主导建设的大陆首条28/22nm ReRAM 12寸中试生产线顺利完成了自主研发设备的装机验收工作，实现了中试线工艺流程的通线，并成功流片。

实际上，昕原半导体专注于ReRAM领域，是一家集核心技术、工艺制程、芯片设计、IP授权和生产服务于一体的新型IDM公司。该公司的核心产品覆盖高工艺嵌入式存储、高密度非易失性存储、存内计算及存内搜索等多个领域。

除了IDM厂商外，代工厂商也积极发展先进技术以配合ReRAM的发展与生产。

2016年，中芯国际与Crossbar签订一份代工协议，基于中芯国际40纳米CMOS制造工艺，为Crossbar生产ReRAM。2017年，中芯国际正式出样40nm工艺的ReRAM芯片。

2021年，台积电40nmReRAM进入量产，28nm和22nmReRAM准备量产。

ReRAM未来前景光明，近几年，也是ReRAM发展最关键的时期。在新兴的存储技术中，ReRAM技术对于降低存储器计算的能耗、提高成本效益至关重要，因而极具发展前景。然而，要想把握这些机会，真正成为DRAM和NAND的继任者，ReRAM还有很长的路要走。

都是存储器，但RAM、ROM、闪存、硬盘怎么分？

ReRAM：DRAM和NAND的最强继任者？

龙头也有短板

新生代存储：PCRAM、MRAM、ReRAM

多点开花的ReRAM应用领域

国内外厂商的ReRAM布局

关于我们

产品中心

服务与支持