东芝西数新晶圆厂启用 量产新一代96层3D NAND Flash

日本存储器大厂东芝存储器与西数于19日宣布，共同在日本三重县四日市的6号晶圆厂（Fab 6）举行开幕仪式。该厂为新设先进半导体制造厂区，并设有存储器研发中心。

图片来源：东芝官网

东芝存储器自2017年2月开始兴建6号晶圆厂，是3D NAND Flash快闪存储器的专用生产厂区。东芝存储器与西数已针对沉积（deposition）与蚀刻（etching）等关键生产制程开始部署先进制造设备，新厂已经在9月初开始量产新一代96层3D NAND Flash。

鉴于3D NAND Flash在企业服务器、资料中心及智能手机的需求不断成长，未来几年这些需求将持续扩大的情况下，为因应市场趋势，未来可望进一步投资扩大产能。

此外，与6号晶圆厂相毗邻的存储器研发中心，也已经于2018年3月开始营运，主要负责研发及推动3D NAND Flash的发展工作。

东芝存储器进一步指出，将与西数持续推动并扩展双方在存储器事业的市场领导地位，积极开发各项计划以强化竞争力，推动3D NAND Flash的共同开发，并根据市场趋势规划资本的投入。

对此，东芝存储器社长暨执行长成毛康雄表示，东芝存储器很高兴有这个机会能为新一代的3D NAND Flash开拓更广阔的市场。而6号晶圆厂和存储器研发中心能让东芝存储器在3D NAND Flash市场中维持领先地位，而且相信与西数的合资事业，将能协助四日市的工厂继续生产市场上最先进的存储器。

西数的执行长Steve Milligan也同时指出，很荣幸能与西数的重要合作伙伴──东芝存储器一起为6号晶圆厂和存储器研发中心揭开序幕。

近20年来，两家公司合作无间，带动了NAND Flash技术的成长和创新。此外，双方也正积极提升96层3D NAND Flash的产能，以因应从消费性、移动应用到云端资料中心等终端市场的各式商机，且6号晶圆厂具备先进技术设备，将进一步提升东芝存储与西数在业界技术领先和成本领导的地位。

已开始准备IPO事宜 最快2年内上市

东芝存储器(Toshiba Memory)20日表示，公司已经在准备IPO(首次公开招股)事宜，最快将在2年内上市。

成毛康雄(Yasuo Naruke)19日表示，他并不担心近期的存储器芯片价格下滑，并重申公司计划在两三年内上市。

成毛康雄说：“短期内的价格波动是供需平衡的体现，但东芝关注的是市场长期需求，这些需求将受到智能手机和数据中心所带来的数据存储量增长的推动。”

去年9月，东芝同意以2万亿日元(约合180亿美元)的价格将旗下芯片业务部门(即东芝存储器)出售给贝恩资本财团。贝恩资本财团成员还包括苹果、戴尔和其他几家公司。

根据协议，东芝将持有约东芝存储器40%的股份。其他贝恩联盟的成员包括苹果公司、韩国芯片制造商SK海力士、戴尔科技、希捷科技、以及金士顿科技等。

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)数据显示，今年第二季度由于NAND Flash仍是供过于求，平均价格跌幅达15-20%。基于营收，今年第二季度东芝和西数总计占据全球NAND闪存市场33.8%的份额，而三星电子为36.4%。

此外，成毛康雄还表示，东芝存储器仍坚持“尽快上市”的计划。而且，公司目前已开始了IPO(首次公开招股)的初步筹备工作。成毛康雄说：“我们的计划没变，希望在两三年内上市。”

备注：本文根据TechNews科技新报和新浪科技相关文章整理。

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美光宣布96层3D NAND下半年量产

IT之家6月24日消息 美光最新公布了2018财年第三季度的结果，同时也公布未来的发展方向，预告在2018年下半年96层3D NAND技术将会开始批量出货，全新96层是第三代3D NAND技术，可进一步增加每个芯片的储存容量，从而能够打造出更小，更节能的设备。

目前的大多数SSD通常采用32层或64层NAND闪存，全新的96层3D NAND技术已是第三代，Micron并已计划打造超过120层的第四代3D NAND.Micron表示，与目前采用的64层NAND相比，96层的价格也会更便宜，将有望能够降低SSD的价格。

同时，Micron已报告准备为客户提供适用于汽车行业的类型GDDR6显存，采用1x-nm技术制造，低功耗的首款GDDR6显存，能为车载系统如“自动驾驶”提供更佳的解决方案。

在技术层面方面，全新的GDDR6遵循GDDR5和GDDR5x显存的发展道路，但底层架构将会有所变化。美光的资料提到，在性能测量可确定GDDR6显存可能会超出16.5 GB / s的范围。

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