日媒称半导体存储器掀起涨价浪潮 两年半以来首次涨价

【手机中国新闻】12月25日，据日媒报道，DRAM的11月价格在2年零5个月以来首次上涨。由于韩国三星电子和美国美光科技等盈利情况恶化的存储器企业减产，库存过剩迹象减退。一般来说，半导体存在繁荣和衰退每隔3～4年就交替出现的“硅周期”。

据统计，11月DRAM大宗交易价格中，DDR4型8GB产品的单价约为1.65美元，环比上涨11％，这是自2021年6月以来首次出现价格上涨。与此同时，NAND型闪存的指标产品TLC（三层单元）256GB产品的单价约为1.85美元，比上一季度上涨12％。

事实上，自2021年秋季以来，半导体存储器的价格呈现下跌趋势。随着疫情下“宅家需求”的减弱，个人电脑和智能手机等主要用途的市场需求逐渐下滑。同时，物价上涨导致个人消费能力受到制约，进一步加剧了半导体存储器市场的困境。

有分析认为，中国大陆和台湾的电子制造服务（EMS）企业已经预见到半导体存储器价格的上涨，并开始抢先进行采购。这些企业通常会提前与存储器厂商签订长期供货协议，以确保稳定的供应。

据了解，半导体存储器的用途十分广泛，主要用于个人电脑、智能手机、数据中心的服务器设备。DRAM用于临时存储数据，NAND型闪存用于长期存储数据。

复旦微电：公司存储产品线尚无HBM产品

金融界6月14日消息，有投资者在互动平台向复旦微电提问：董秘你好，贵公司有没有HBM等高附加值DRAM芯片的技术储备。

公司回答表示：公司存储产品线产品线拥有电可擦除只读存储器（EEPROM）、NOR 型闪存存储器（NOR Flash）和 SLC NAND 型闪存存储器（NAND Flash）等存储器产品。目前，公司存储产品线尚无HBM产品。

本文源自金融界AI电报

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