三星第九代V-NAND闪存本月量产，时隔两年微软解决了驱动兼容故障

三星第九代V-NAND闪存本月量产：

据韩媒Hankyung报道，三星预计将在本月内宣布第九代V-NAND闪存量产的消息。

TechInsight称三星第九代V-NAND为280层堆叠，而Hankyung则称之为290层。当前量产的三星第八代V-NAND为236层堆叠。

三星第九代V-NAND将延续自第七代以来的2-deck结构。而在此之外三星还开发了一款单deck的V6 Prime版本（133层堆叠），并被应用到了三星990 EVO当中。预计明年问世的第十代V-NAND闪存将通过3-deck实现430层堆叠。

时隔两年微软终于解决了驱动兼容故障：

早在2021年的时候，微软和英特尔发现第11代酷睿平台上的英特尔智能声音技术驱动（SST）的某些版本存在不兼容问题，可能会导致Windows 11蓝屏。微软在2021年11月提供了一个临时的缓解方案：阻止安装有特定SST驱动版本的电脑升级到Windows 11，引导用户去英特尔官网下载新版驱动。

没想到这个临时方案一用就是两年多，在此期间Windows 11 21H2、Windows 11 22H2、Windows 11 23H2三大版本都对受影响的电脑关闭大门。直到上周末，微软终于将这个影响部分英特尔第11代酷睿用户升级的驱动兼容性问题彻底解决，Windows Update可以更新正确的驱动并升级到Windows 11。

SD NAND与eMMC优劣势对比

　　最近我们接触到一些客户，本来客户计划使用eMMC，但总觉得哪里不满意。后来跟客户做了深入沟通。你们真实的想要什么样的eMMC呢？他们给出的答案有：尺寸最小的eMMC; 最方便焊接的eMMC; 最小容量的eMMC; pin脚最少的eMMC; 功耗最低的eMMC; 擦写寿命最长的eMMC; 使用SLC NAND 晶圆的eMMC; 性能最稳定的eMMC等。

　　我们根据客户的要求进行了分析，觉得CS创世 SD NAND更适合这些客户。CS创世 SD NAND是迷你型eMMC; 6*8mm 尺寸小巧; 容量最小128MB,成本更优; 8pin脚,方便焊接; 内置SLC晶圆,10万次擦写寿命; 兼容SDIO,即贴即用; SD NAND和 eMMC在架构上，类似亲兄弟，都是内置NAND Flash晶圆+NAND Flash控制器+Firmware。

　　关于CS创世 SD NAND详细信息可以参考链接：http://www.longsto.com/product/31.html。那SD NAND和eMMC又有哪些不一样呢？在这里把CS创世 SD NAND和eMMC特性列出来：

　　可以看到客户有如下需求时，选择SD NAND会比eMMC更合适一些:

　　1：需要芯片尺寸小。贴片式SD卡是 6*8mm；eMMC是11.5*13mm；

　　关于它们的尺寸大小和封装，给大家看一张这个产品实物图的对比（从左往右）

　　2：要求小容量。SD NAND是128MB-4GB；eMMC容量≥16GB；

　　3：要求擦写寿命长，耐擦写。SD NAND是内置SLC NAND Flash晶圆,擦写次数可以达到5~10万次； eMMC使用MLC晶圆，擦写寿命3千次 （非主流），TLC晶圆，擦写寿命一般是500次左右（主流）。

　　4：要求方便焊接，pin脚少的。 SD NAND LGA-8封装，机贴手帖都方便； eMMC是153 Ball，BGA封装，焊接难度加大了不少。

　　5： 客户采用的CPU本身不支持eMMC接口，又需要大容量存储。这点在MCU平台上经常会碰到。这时候CS创世 SD NAND是不二选择 。

　　6：对PCB板层数要求比较少。很多客户做一些类似玩具，小家电等产品。基本上2层板就够用了。如果这个时候使用eMMC，那PCB板至少要变成4层。会增加硬件的布线难度和PCB的成本。

　　那什么情况下使用eMMC比较合适呢？

　　1，容量需求比较大。>= 8GB时。

　　2，主控支持eMMC。

　　3，PCB板面积够大且层数> 4层。使用eMMC，需要预留11.5*13mm的空间‘PCB至少4层板，需要埋盲孔；BGA 153个ball，0.5mm的pin间距。

　　想了解CS创世 SD NAND更多信息，请点击链接:http://www.longsto.com/product/31.html。

　　亲爱的卡友们，欢迎光临雷龙官网，如果看完文章之后还是有疑惑或不懂的地方，请联系我们，自己去理解或猜答案是件很累的事，请把最麻烦的事情交给我们来处理，术业有专攻，闻道有先后，雷龙发展专注存储行业13年，专业提供小容量闪存解决方案。

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