长江存储128层TLC闪存拆解:存储密度高达848Gbmm²,远超三星等
去年4月,国产存储芯片厂商长江存储(YMTC)宣布其128层3D NAND 闪存研发成功。包括拥有业界最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量的1.33Tb 128层QLC 3D NAND闪存,以及512Gb 128层TLC闪存。
近日,国外权威研究机构Tech Insights对长江存储的128层TLC 3D闪存进行了芯片级的拆解,发现其存储密度达到了目前业界最高的8.48 Gb/mm²,远高于三星、美光、SK海力士等一线NAND芯片大厂。
据介绍,Tech Insights拆解的是Asgard(阿斯加特)的PCIe4.0 NVMe1.4 AN4 1TB SSD,其内部采用的正是长江存储的128层TLC 3D NAND 闪存芯片,这也意味着长江存储128层TLC 3D NAND 闪存芯片已量产。该SSD硬盘的PCB上总共四颗256GB NAND闪存,单个封装内是4颗芯片,也就是说单颗芯片容量为512Gb。该NAND闪存的型号为YMN09TC1B1HC6C(日期代码:2021 9W)。
△长江存储512 Gb 128层3D TLC NAND 芯片的外观,型号为YMN09TC1B1HC6C
根据长江存储此前公布的数据显示,在传统3D NAND架构中,外围电路约占芯片面积的20~30%,这也使得芯片的存储密度大幅降低。而随着3D NAND技术堆叠到128层甚至更高,外围电路所占据的芯片面积或将达到50%以上。而Xtacking技术则是将外围电路置于存储单元之上,从而实现比传统3D NAND更高的存储密度。
所以,长江存储512Gb 128层Xtacking 2.0 TLC芯片同样也是采用了两个晶圆来集成3D NAND,因此拆解后可以找到两个die,一个用于NAND阵列的die,另一个用于CMOS外围电路的die。
△长江存储512 Gb 128层Xtacking 2.0 3D TLC NAND die标记 ( CDT1B)
△长江存储512 Gb 128层Xtacking 2.0 3D TLC NAND芯片COMS外围的die标记(CDT1A 或 CDT1B)
作为对比,上一代的64层 Xtacking 1.0架构的TLC NAND die标记为(Y01-08 BCT1B) 和 CMOS外围电路die 标记为(Y01A08 BCT1B)。
根据Tech Insights的实测,长江存储512Gb 128层Xtacking 2.0 TLC的die尺寸为60.42mm²,这也意味着其单位密度增加到了8.48 Gb/mm2, 比 256Gb 64层的Xtacking 1.0 die 高出了92% 。读取速度达到了7500 MB/s,写入速度也高达5500 MB/s。
△长江存储512Gb 128层Xtacking 2.0 TLC NAND的die平面图
CMOS外围电路die则集成了页缓冲器、列解码器、电荷泵、全局数据通路和电压发生器/选择器。
△长江存储512Gb 128层Xtacking 2.0 TLC NAND芯片的CMOS外围电路die平面图
Tech Insights称,长江存储128层Xtacking 2.0单元体系结构由两个通过层接口缓冲层连接的层组成,这与KIOXIA 112L BiCS 3D NAND结构的过程相同。单元大小、CSL间距和9孔VC布局与以前的64L Xtacking 1.0单元保持相同的设计和尺寸(水平/垂直方向间距)。门的总数为141(141T),包括用于TLC操作的选择器等。
△垂直方向的长江存储3D NAND单元结构,以及注释为32L(T-CAT带39T)、64L(Xtacking 1.0带73T)和128L(Xtacking 2.0带141T)的门的总数。
Tech Insights表示,长江存储128层Xtacking 2.0上层有72个钨闸门,下层有69个闸门。包括BEOL Al、NAND die和外围逻辑管芯在内的金属层总数为10,这意味着与64L Xtacking 1.0工艺集成相比,外围逻辑管芯中增加了两个铜金属层。通道VC孔高度增加一倍,为8.49µm。
△长江存储三代3D NAND的比较:Gen1(32L)、Gen2(64L,Xtacking 1.0)和Gen3(128L,Xtacking 2.0)。
与三星 (V-NAND)、美光 (CTF CuA) 和 SK海力士(4D PUC) 的现有128层512 Gb 3D TLC NAND 芯片的die尺寸相比,长江存储512Gb 128层Xtacking 2.0 TLC NAND芯片的die尺寸更小,单位密度最高。
长江存储128层TLC NAND die平面布置图和两层阵列结构与美光和SK海力士相同,但长江存储的每个字符串的选择器和虚拟WL数为13,小于美光和SK 海力士(两者均为147T)。由于长江存储所采用的Xtacking混合键合方法,使得其使用的金属层数量远高于其他产品。
△128层512 Gb 3D TLC NAND产品的比较,包括刚刚发布的YMTC 128L Xtacking 2.0 3D NAND。
从上面的对比数据来看,长江存储512Gb 128层Xtacking 2.0 TLC NAND芯片的单位存储密度达到了8.48b/mm²,远高于三星的6.91Gb/mm²、美光的7.76Gb/mm2、SK海力士的8.13Gb/mm²,达到了目前业界最高单位存储密度。
目前长江存储Xtacking 2.0架构的512Gb 128层TLC NAND芯片已量产。虽然三星、SK海力士、美光等厂商也在致力于开发176层3D NAND闪存芯片,但是他们目前最先进的量产产品还是128层。
作为一家成立仅数年的国产NAND Flash闪存芯片厂商,长江存储在国外巨头已领跑数十年的存储技术领域,能够在如此短的时间内追赶上来,并且取得技术上的领先,实属不易。
编辑:芯智讯-浪客剑 资料来源:Tech Insights
芯片级解密YMTC NAND Xtacking 30技术
长江存储YMTC自从2016年成立以来,一直在吸引外界的关注。作为NAND国产厂商,被寄予厚望。在2018年FMS闪存峰会发布了Xtacking 1.0的NAND架构,凭借该技术荣获了“最具创新初创闪存企业”。
在2019年又发布了Xtacking 2.0的NAND架构。根据官网介绍,Xtacking 2.0进一步提升了闪存吞吐速率和提升系统级存储综合性能。
在2022年8月的FMS闪存峰会上,YMTC发布了基于Xtacking 3.0架构的X3-9070 TLC NAND。
2022年,对于YMTC长江存储也是一个惊心动魄的一年,先是有进入iphone14 NAND颗粒供应的振奋,后又有被M国限制的低落。根据YMTC的官网消息,NAND架构Xtacking 3.0现已上市。第一个使用Xtacking 3.0架构的产品是长江存储的消费级PCIe 4.0 SSD固态硬盘TiPlus 7100 。基于TLC NAND,PCIe Gen4x4,采用DRAM-less无缓存架构。NAND接口速率达到2400 MT/s,与上一代相比速度提高50%,支持HMB机制和SLC缓存。
YMTC NAND Xtacking 3.0被视为2022年最具颠覆性的技术之一。针对第一个使用NAND Xtacking 3.0的产品,TechInsights团队购买了512GB和1TB容量的TiPlus7100 SSD,并进行了详细的芯片分析,我们一起来看看,有没有惊喜的发现?下图是TiPlus7100 1TB包装图片。
针对1TB容量的TiPlus7100 SSD先来个正面照,看起来PCB有4个NAND die槽位,其中两个槽位是空闲的,间隔有两个512GB的NAND Die Package,主控来自联芸科技Maxio-Tech。
NAND Die采用132-pin BGA MCP封装,尺寸大小18.0 mm× 12.0 mm × 0.9 mm。
从颗粒丝印信息看到NAND Die封装日期是22年第37周,也即9月上旬。这个时间正好是在2022 FMS闪存峰会正式发布Xtacking 3.0架构的1个月之后。
每个NAND Die Package封装了8个CDT2A标记的NAND Die。CDT2A NAND Die拥有2x2 Plane的架构。与之前YMTC 128L NAND 1x4 Plane的布局不同。
TechInsights的分析显示,YMTC CDT2A芯片实际上还是YMTC 128L 3D NAND,总门数Gates为141, 而并非官网宣传的Xtacking 3.0架构 。
不知道是TechInsights获取到的TiPlus7100 SSD不是正规来源?还是不够幸运?
Xtacking技术到底是什么?有什么样的魅力,我们一起回顾下:
根据YMTC官网的介绍,与传统的单片晶圆CuA(CMOS Under Array)的结构不同,Xtacking技术是两个晶圆独立制造CMOS外围电路和NAND存储阵列,在通过金属互联通道VIAs完成两片晶圆的键合,最终成为一个整体。
从Xtacking 1.0到Xtacking 3.0中包含的主要变化点有哪些?
Xtacking 1.0使用晶圆到晶圆键合 ,相比传统3DNAND架构,Xtacking技术创新的将外围电路置于存储单元之上,从而实现比传统3D NAND更高的存储密度,芯片面积可减少约25%。同时利用存储单元和外围电路的独立加工优势,实现了并行的、模块化的产品设计及制造,产品开发时间可缩短三个月,生产周期可缩短20%。此外,这种模块化的方式也为引入NAND外围电路的创新功能以实现NAND闪存的定制化提供了可能。Xtacking 2.0使用NiSi替代WSi ,让CMOS外围电路有更好的器件性能,进一步提升闪存IO吞吐速率、也使得系统级存储的综合性能得到提升。Xtacking 3.0采用了存储单元晶圆的背面源连接 (BSSC,back side source connect), 好处是对工艺进行了简化,最终得到了降低成本的优势。根据2022年FMS上的介绍,基于Xtacking 3.0架构的NAND芯片X3-9070,采用了2x3的6 Planes架构。每个Plane在中央位置具有独立的X-DEC解码器,可以实现multi-plane独立异步操作,使得Xtacking 3.0的IO速率提升50%。与edge X-DEC相比,Center X-DEC设计将WL电容减少了一半,并降低了RC负载和RC延迟(tRC), 最终性能相较edge X-DEC得到15~20%的提升。
Xtacking 3.0架构,预计应该是232L NAND芯片出现,期待早日在市场看到Xtacking 3.0应用的大规模成品。
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