三星带头，NAND Flash“涨声”响起！

8月17日，据Digitime报道称，国内的NAND Flash模组厂近日已暂停报价及接单，将配合原厂（三星）报价调高8~10%。此举将有望拉动NAND Flash价格逐步回升到制造成本线。

值得注意的是，8月初，业内就传出消息称，三星已通知客户，打算将512Gb NAND Flash晶圆的报价提高到1.60美元，比2023年初的1.40美元的价格上涨了约15%，这一变化最早可能在8月中旬反映在现货市场价格中。而这似乎也与最新的“模组厂将配合原厂报价调高8~10%”的传闻相呼应。

据供应链最新消息称，三星已暂停第六代V-NAND成熟制程型产品报价，低于1.6美元全面停止出货。已有厂商私下证实这一消息，并表示“先前该产品1.45～1.48美元低价位，未来不会再出现了”。

TrendForce的数据显示，在下半年供应商大幅削减产量后，NAND Flash 现货价格不再出现低价交易，连续数周出现止跌趋势；本周现货市场 512Gb TLC wafer 现货上涨 0.28%，来到1.440 美元。

日系投资机构也表示，从本周起，中国大陆NAND Flash模组制造商开始合力支撑价格。江波龙（Longsys）和佰维科技（Biwin）等领先 NAND Flash模组厂已开始停止降价，NAND Flash晶圆厂也在减少供应。另外，金士顿指出，由于价格便宜，从 8 月起拒绝客户降价，并且会重建部分 NAND Flash库存。

日系投资机构认为，NAND Flash价格短期内进入底部和拐点，后续有望上涨 5%~10%。

一位存储供应链从业者对芯智讯表示：“此番NAND Flash原厂酝酿涨价背后的主要原因有三点：一是‘再全球化’期间全球芯片制造供应链的重构导致的成本增加；二是存储价格跌破成本线，给各家原厂带来了巨大的财务压力；三是头部原厂在主动持续减产之后，三季度NAND Flash的价格目前已经触底。”

TrendForce的数据显示，2023年第一季NAND Flash价格跌幅将自2022年第四季度的20~25%收窄至10~15%。2023年二季度NAND Flash下跌幅度将进一步收窄至5%至10%，已经跌破了制造成本。

因此，我们可以看到，去年下半年NAND Flash大厂铠侠就率先宣布了减产，随后美光、SK海力士在遭遇严重亏损后也纷纷跟进。即便是一向逆周期扩张的三星也不得不在一季度半导体业务巨亏后，于4月首度宣布减产。

为了在三季度实现NAND Flash价格的止跌企稳，美光、三星、SK海力士等原厂自二季度以来纷纷扩大减产规模或进一步拉长减产时间。

6月底，美光在（截至2023年6月1日）2023财年第三财季的财报会议上表示，其DRAM和NAND晶圆将进一步减少近30%，预计减产将持续到2024年。

在7月下旬的二季度的财报会议上，为了加速存储市场的触底企稳，三星宣布下半年继续削减NAND Flash为核心的存储芯片产量。SK海力士也宣布下半年将再减少5%~10%的NAND Flash产量。

随着NAND Flash供给量的持续缩减，以及下半年市场需求的缓慢回温，特别是随着iPhone 15系列上市、“双11”、圣诞促销季的带动，厂商需要提前在三季度进行备货，NAND Flash供过于求的局面正在转变。

NAND Flash控制器大厂群联CEO潘健成曾在7月上旬表示，NAND Flash原厂自二季度就开始陆续放出将涨价的信号，其中包括7月启动新订单调涨价格、或既有订单重新议价，代表NAND原厂不堪亏损。近期还出现部分NAND Flash控制芯片急单需求，甚至略微供不应求，反映出市场正逐步回暖的信号。

Yole Intelligence公布最新报告也显示，NAND Flash市场将中止近两年的下滑趋势，将于今年第三季度出现再次增长。

国内存储厂商会如何跟进？

在NAND Flash市场逐步回暖，龙头大厂三星酝酿涨价背景之下，国内相关存储厂商也很难不跟进。

目前国内的模组/品牌厂商的存储晶圆主要来源于三星、SK海力士、美光、铠侠、西部数据和长江存储。其中，美光占比相对较高。

不过，在5月21日中国网络安全审查办公室对于美光产品做出“不予通过网络安全审查的结论”，并要求关键信息基础设施的运营商停止采购之后，国内部分存储模组/品牌厂商为规避风险，大幅降低了美光晶圆的采用比例。加大了对于国产NAND Flash厂商长江存储采购比例。

值得一提的是，早在今年5月，网上就有传闻称国产NAND Flash大厂——长江存储已经将面向企业级的NAND Flash进行涨价，涨价幅度大约在3-5%左右，比如256G已上涨4-5美元左右。虽然，这个传闻后续并未得到进一步的证实，但也侧面反应出了长江存储可能收到了更多来自企业级方面的需求。

但是在美方拉拢日本、荷兰对中国的半导体产业的联合限制之下，长江存储的正常发展已经受到了严重影响。

今年6月底的SEMICON China 2023期间，长江存储执行董事长兼CEO陈南翔博士就曾表示，在欧美推动下，半导体产业正在经历一个新阶段——“再全球化”，各国都在追求把控产业链，使芯片“本地制造”，这也使得目前行业的全球化被破坏，未来有高度的不确定性，并且如今半导体产业也仍处于低谷。

以长江存储为例，由于美方的限制，不仅相关生产设备及零部件的获取受到了影响，而且此前购买的一些设备也面临不能交货或无法使用困境。美方的相关举动不仅影响到了国内相关的正常生产运营，同时也给相关厂商带来了巨大的成本和财务压力。即便是能够切换其他可以采购到的设备，也必然会影响到生产，并且会带来额外的成本。对此知乎上也有网友提出了类似的问题。

所以，对于长江存储来说，其不仅面临着与三星等原厂一样的NAND Flash市场需求持续下滑、价格的持续下跌所带来的巨大财务压力影响，同时还面临着美方持续打压所带来的严峻的供应链挑战。

即便NAND Flash市场回暖，长江存储在持续的供应链和财务压力之下，恐怕也难以向国内模组/品牌厂商提供足够的产能供应和更有竞争力的价格，为他们提供与国外头部存储大厂议价的筹码。

在此背景之下，国产存储模组/品牌厂商很难在三星等头部NAND Flash大厂的涨价之下不去跟进。

一位存储模组厂商高管告诉芯智讯：“国内NAND Flash模组厂将配合原厂涨价消息属实，涨是肯定要涨的，但目前大家都在观望，不知道涨多少合适，5%，10%，还是更高？主要还是要看市场是否接受，强拉肯定是不行的。”

时创意电子董事长兼总经理倪黄忠向芯智讯回应称，“价格OK就接单”。

江波龙董事长蔡华波则并未直接回应芯智讯的问题，仅表示“决定市场价格的不是模组厂，是供需。”

确实，决定NAND Flash市场价格的是供需。但是需求往往是不可控的，而供应则是可控的。要知道仅三星和SK海力士两家韩国厂商就占据了全球超过50%的NAND Flash市场，他们的决策对于NAND Flash市场价格走势的影响无疑是巨大的。

编辑：芯智讯-浪客剑

Biwin佰维：根深存储产业链，打造eMMC领军企业（干货）

引言：中国是全球电子产品的制造大国，近年来亦成为全球最大的半导体产品消费市场，为了摆脱对外的依赖，政府积极扶植当地半导体产业，由上到下打造一条龙式集成电路产业链，全力扶持晶片设计、制造、封装、测试等领域，深圳作为全球电子制造中心，我国规模最大、整体水平最高的电子信息产业重要基地，半导体行业的发展一直走在行业前端。

随着智能硬件，物联网行业的高速发展，硬件产品的更新迭代与产业链上每个构件持续的科研投入密切相关，产业链上单个产品对整个行业有什么重大影响？在高新技术企业高手如云的深圳南山区以eMMC存储研究的企业为何会获得政府授予领军企业的称号？

一、eMMC的发展历程

1989年，东芝公司发表NAND flash结构。NAND Flash的存储单元发展经历了从SLC, MLC到TLC三个进程。从最初的SLC（ Single Layer Cell）, 到2003年开始兴起MLC (Multi-Layer Cell), 发展至今，SLC已经淡出主流市场，主流存储单元正在从MLC向TLC（Triple Layer Cell）迈进。随着存储产品技术的不断发展，eMMC主控制器很好的解决了对MLC和TLC的管理，更好的实现ECC纠错机制、区块管理、平均抹写存储区块技术、指令管理、低功耗管理等功能。使得同样大小的芯片有更高密度和更多的存储单元，Flash得以在容量迅速增加的同时，还大幅降低了单位存储容量的成本。

随着近年平板电脑、智能手机、智能设备产品在全球热潮来袭，嵌入式存储eMMC在微型化产品小轻薄发展趋势的推动下得到广泛瞩目。

EMMC将主控芯片、闪存晶圆及周边分离器件封装在一个颗粒芯片，它看起来和普通的闪存颗粒没什么两样。之前市场上流通的eMMC产品主要出自国外的厂商三星、东芝等。深圳佰维科技有限公司1995年成立以来专注存储与电子产品微型化研究，在存储领域凭借多年经验积累2011年在国内第一个推出eMMC产品，完全自主研发和封装测试，降低了产品从研到产的中间差价和沟通成本，使客户获得更优性价比。此后佰维对eMMC不断增加科研投入，目前佰维eMMC能够提供覆盖2G~128G满足不同产品需求。卓越的市场远见先人一步加适用市场与时俱进是佰维在eMMC领域保持世界级领先水平的两大法宝。

二、eMMC物理属性

EMMC的解决方案由标准MMC封装接口、主控制器（控制芯片）、快闪存存储器设备（Nand flash芯片）三部分构成。采用eMMC5.1和eMMC4.51接口规范，接口速度高达每秒400MB/S，另外，BIWIN eMMC具有快速、可升级的性能，同时支持1.8V及3.3V电压。

Nand flash是最重要的存储部件。佰维多年来与闪存原厂达成战略合作伙伴关系。基于其优秀的Nand flash供应保障能力，有效保证佰维产品的稳定性，用户数据的安全，在目前闪存缺货，全线涨价的形式下保障最优性价比。

EMMC主控主要由佼佼者厂商慧荣提供，佰维拥有自己核心的FLASH控制软件技术。

主控性能---Secure Trim

Secure Trim能优化并整理无效数据，当有写入请求时，从“空闲区块池”中分配新的区块。包换无效数据的区块被清理，并把对应的地址信息添加到“空闲区块池”。

主控性能---动态Wear-Leveling

Wear-Leveling，就是让系统平均的读写每一个数据块；分为动态和静态两种。

动态W-L算法保证数据的写入会被均匀的分布在NAND所在的区块中，之所以成为动态是因为每次都在缓冲区出来数据，然后写入内存，主要是为了避免重复不断地对同一个存储区进行擦除/写入，从而让该存储单元出现损坏。

当出现一个写入请求时，动态W-L就会启动，该算法会先对空闲块进行浏览，寻找一个擦除数值最小的块单元并写入数据，同时将该块的物理地址和主机逻辑地址建立映射。

主控性能---静态Wear-Leveling

在特殊情况下，如数据写入闪存并保持相当长的时间甚至无限期的动态W-L无法起到作用。此时就需要静态的W-L技术。

静态W-L会自动侦测不活动块单元的保持时间，如果时间过长就会启动检测机制，寻找在数据块中擦除次数最小的单元，以及空闲区块中擦除次数最大的块单元。

检查完后，第二个机制会把两种情况相减，当差值过大时，W-L机制会把擦除次数最小的块单元的数据搬移到空闲块中擦除次数最多的块单元中，然后改变映射地址。

三、eMMC应用场景及未来

EMMC体积超小、低复杂度、高度集成、低布线难度使得他在智能硬件设备领域应用越来越广泛。佰维适应市场主流标准规范，封装尺寸有11.5*13*0.9mm（BAG153)， 12*16*1.0mm（BAG169)，14*18*1.0mm（BAG169)等规格。已与国内多家智能手机、平板电脑、智能电视、游戏机、机顶盒、及车载多媒体终端等物联网领域厂商合作，从定制化设计研发到封装测试一步到位，缩短了客户产品生命周期，加快了他们产品上市。

EMMC规格的标准从eMMC4.5时代发展到eMMC5.1时代，eMMC下一个时代将会由UFS(Universal Flash Storage)规格接棒，预期未来将在智能型手机及平板计算机等消费类智能型移动装置上，成为嵌入式储存媒体的主要的应用标准之一。UFS将提供极高的速度，以即时高速存储大型多媒体文件，同时在消费电子设备上使用时降低功耗。有了新的标准，用户存储时间将更短。

云计算、大数据、可穿戴、人工智能、无人机应用正在形成爆发式增长态势，以集成电路为核心的现代信息技术产业有望成为经济发展的加速器。智能硬件强大的供应链体系，完成了智能硬件高质低价的平民化路线。市场时机逐渐成熟、国家不断加大政策扶持和引导力度的时代背景下，积极拥抱新思想学习新知识，才能一直保持领军的地位。

Biwin 佰维主页：http：//www.biwin.com.cn

官方微信公众号：佰维科技（Biwin-storage）

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