1TB的iPhone 16 Pro机型可能采用QLC NAND 读写速度降低？

据DigiTimes报道，1TB存储空间的iPhone 16 Pro机型可能会降低读写速度，以降低成本。这一变化是苹果可能为其1TB iPhone型号改用更高密度四层单元(QLC)NAND闪存的一部分，据说该公司目前正在“积极评估”。

苹果目前使用的是更昂贵的三层单元(TLC)NAND。使用QLC NAND将允许苹果在更小的空间内塞进更多的存储空间，而且价格更低，但缺点是读写速度较慢。

与TLC NAND相比，QLC NAND的持久性和可靠性也较低，处理持续写入操作的效率较低。

当然，苹果可以寻求通过具体的优化来缓解这些问题。

该报道补充说，采用QLC NAND可能会使提供高达2TB存储空间的iPhone首次成为可能。在可预见的未来，拥有128 GB、256 GB和512 GB存储空间的新款‌iPhone‌极有可能坚持使用TLC NAND。

尽管TLC NAND在行业中仍很普遍，但从2023年下半年到2024年上半年，QLC NAND预计将占所有NAND出货量的20%左右，这表明尽管存在缺点，但其使用量仍在增长。

性能最多相差78倍！揭开存储卡的速度之谜

我们都知道，NAND闪存是一种比机械硬盘内的磁盘更快、更安全、更稳定的存储介质，并已攻陷了包括硬盘、闪存盘、存储卡、智能手机、平板电脑、智能电视等内置存储空间的设备（市场）。

问题来了，既然都是将NAND作为存储单元，为何存储卡和SSD硬盘之间的读写性能会存在极大的差异呢？

简单来说，存储卡、手机和SSD固态硬盘内置闪存芯片的封装标准各不相同 ，比如SSD内的闪存芯片表面积就已经和一些闪存盘的大小相当，存储卡内置的闪存芯片尺寸则更迷你。

一般来说，同容量但封装尺寸更大（所以SSD性能先天占优）或单芯片容量越大（内部可组成类似双通道的工作模式）的闪存芯片具备更好的性能潜力，性能越好。

此外，NAND闪存自身也是在不断迭代进化的 ，2021年主流闪存的性能肯定要比几年前的闪存强很多。

影响闪存自身性能的因素有很多，比如制程工艺、闪存架构、3D堆叠技术等 。其中，闪存架构即我们熟悉的SLC、MLC、TLC和QLC，目前中高端闪存均以TLC为主，而QLC虽然性能有所降低但凭借成本优势正在逐渐蚕食TLC闪存的市场。制程工艺和3D堆叠技术相辅相成，最新工艺+96层或144层的3D NAND技术可以将1TB容量封装进一颗NAND闪存芯片里。

如今很多1TB SSD的PCB主板上仅需1颗闪存芯片

下面，咱们就先来了解一下存储卡的速度之谜，如果你对闪存盘感兴趣，可以关注CFan的后续报道。

存储卡的速度之谜

存储卡包含Secure Digital Memory Card（SD）、Micro SD Card（又称TF）、Compact Flash（CF）、Memory Stick（MS）等诸多形态，但如今依旧流行的则只剩下了SD和MicroSD（TF），并逐渐衍生出了SDHC（SD2.0）、SDXC（SD3.0）和SDUC（SD7.0）标准。

虽然存储卡轻巧迷你，但它也算“五脏俱全”，除了裸露在外的金手指外，内部还同时封装了主控芯片和闪存芯片 。

不过，存储卡的主控只需要实现最基础的功能即可，并不像SSD硬盘那般需要针对闪存颗粒进行读写优化、写入策略优化等，所以尺寸和功耗极低，没什么存在感 。

一款存储卡的性能，主要看它采用的SD规范标准以及总线接口 。以通用性最好的MicroSD存储卡为例，目前市面上多以SDXC+UHS-I为主，读取速度普遍在100MB/s~170MB/s之间。

采用UHS-II或UHS-III总线标准的存储卡速度可以媲美SATA SSD，但它们的价格昂贵，而且采用了双排金手指，兼容这类存储卡的设备也多以专业单反相机和摄像机为主。

SD7.x是最新的SD卡规范标准，它们引入了PCIe总线和NVMe协议，读取速度理论可达985MB/s，目前威刚已经推出了符合该标准的Premier Extreme SDXC SD Express存储卡，但SD7.x存储卡的价格更是吓人，兼容这种存储卡的设备也是凤毛麟角。

总的来说，存储卡是NAND介质存储产品中速度（相对）最慢的，其性能更加依赖终端设备（如手机、相机、笔记本）身上的的读卡器以及控制芯片，而相关的OEM厂商并不愿意在这方面增加预算，所以哪怕存储卡已经有了超高速的SD7.x标准，但至今连UHS-II还未大规模普及，普通用户更是很难接触到。

相关问答

答:不可以虽然NAND不能同时执行读写操作,它可以采用称为"映射(shadowing)"的方法,在系统级实现这一点。NAND闪存阵列分为一系列128kB的区块(block),...

1、存储架构不同NORFlash架构提供足够的地址线来映射整个存储器范围。这提供了随机访问和短读取时间的优势,这使其成为代码执行的理想选择。另一个优点是100%...

NAND是一种非易失性存储器,用于存储数据和程序。它的工作原理基于一种称为“隧道效应”的物理现象,其中电子可以穿过绝缘层而不是通过它。NAND存储器由多个...

固态硬盘(SSD)使用闪存芯片作为存储介质。在闪存芯片中,数据以0和1的形式存储,这些0和1的物理表示方法是基于浮栅晶体管(FloatingGateTransistor,FG)结...

1.nand版本和emmc版本有一些区别。2.nand版本是一种闪存技术,它使用了非易失性存储器来存储数据。它的读取速度相对较快,但写入速度较慢。而emmc版本则是一...

...栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层,用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。采用这种结构,使得存储单元具有了电荷保持能力,就像是装进瓶子里的水,当你倒入水...

内存是指内部存储,通常和外部存储对应,外部存储指硬盘、U盘、磁带机等可以拆卸的设备。内存通常是计算机主板或主处理器的一部分,不能拆除。只读存储器英文的...

&这是和号运算符,在公式中起到连结合并两个内容的作用,与函数CONCATENATE函数功能相同比如在A1中写入"我",B1中写入"们",C1写入...

NS(NANDflashstorage)读写速度是指在存储芯片中进行读取和写入数据的速度。它通常以MB/s(兆字节每秒)或GB/s(千兆字节每秒)为单位来衡量。具体的NS读写速...

nandflash和norflash的区别如下:1、开发的公司不同:NORflash是intel公司1988年开发出了NORflash技术。NOR的特点是芯片内执行(XIP,eXecute...