长江存储再次在美国起诉美光

日前，据美国科技网站Tomshardware报道，中国存储芯片厂商长江存储再度在美国加州北区对美光提起诉讼，指控这家美国公司侵犯了其11项专利，涉及3D NAND的各个方面。长江存储请求法院下令，要求美光停止在美国销售其闪存，并向其支付专利使用费。

长江存储表示，美光的96层（B27A）、128层（B37R）、176层（B47R）和232层（B58R）3D NAND存储器以及美光的部分DDR5 SDRAM产品（Y2BM系列）侵犯了其在美国提交的11项专利或专利申请，它们涵盖了3D NAND和DRAM功能的基本方面。

2022年底，美国商务部根据所谓的“证据”，以威胁其国家安全为由，将长江存储列入了实体清单，使其不能从美国获得128层及以上的3D NAND的晶圆制造设备和技术。

这次起诉，并非长江存储在美国的第一次“反击”。2023年11月，长江存储在美国加州北区地方法院，对美光及子公司美光消费类产品事业部提起诉讼，指控美光侵犯8项与3D NAND Flash相关的美国专利。

2023年11月,长江存储指控美光侵犯8项与3D NAND Flash相关的美国专利X@lithos_graphein

另外，今年6月7日，长江存储在美国加州北区联邦地区法院提起诉讼，指控受美光资助的丹麦咨询公司Strand Consult及副总裁雷顿（Roslyn Layton）散布虚假信息，破坏长江存储的市场声誉和商业关系。

此外，长江存储仍在努力利用国内技术和原有设备继续发展其3D NAND存储器。该公司的Xtacking3.0闪存已投入量产（其中一些设备甚至不违反美国制裁），具有高达2400 MT/s的接口。

今年早些时候，长江存储表示已成功将3D QLC NAND的耐用性大幅提高到3D TLC NAND的水平（达到4000次编程/擦除周期），这显著改善了廉价SSD的特性。

Patriot Memory的Viper PD573 SSDTomshardware

值得一提的是，媒体6月报道，美国的Patriot Memory正在准备一款高端新产品——Viper PD573 SSD ，基于中国联芸科技的控制器和长江存储的3D NAND闪存，其读取速度高达14GB/s，写入速度达到 12GB/s。这一合作进一步证明了长江存储在3D NAND闪存市场上的重要地位。

本文系观察者网独家稿件，未经授权，不得转载。

美光发布第五代3D NAND闪存 堆叠达到176层

闪存峰会召开之际，美光也发布了该公司的第五代 3D NAND 闪存，可知其创下了 176 层的堆叠纪录。 作为与英特尔分手后开发的第二代产品，美光已将存储单元设计从浮栅改成了电荷陷阱方案。之所以在上一代的 3D NAND 中采用了 128 层的过渡节点，也是该公司希望借此搞定技术切换可能遇到的任何问题。

据悉，美光的 128 层 3D NAND 在市面上的占有率极地。因此在很大程度上，最新一代的 176 层 3D NAND 将直接取代 96 层的版本。

目前已知的是，美光首批 176 层 3D NAND 采用了将双 88 层融合到一起的设计（堆叠 512Gbit TLC 闪存）。至于更多细节，还请耐心等到本月下旬。

换用电荷陷阱存储单元的方案，似乎也极大地降低了每一层的厚度。目前的 176 层裸片仅为 45 μm，与美光的 64 层浮栅 3D NAND 相同。

16 管芯堆叠式封装的厚度不到 1.5 mm，适用于大多数移动 / 存储卡使用场景。此外与上一代美光 3D NAND 一样，芯片外围的大部分逻辑组件，也是通过阵列下 COMS（简称 CuA）工艺制造的。

结合两方面的优势，美光预估其 176 层 512Gbit 裸片的厚度，将较三星等竞争对手再精简 30% 左右。性能方面，其支持 1600 MT/s 的接口，高于 96 / 128 层 3D NAND 的 1200 MT/s 。

读写延迟方面，分别较 96 / 128 层 NAND 改善了 35% / 25% 以上。总体混合工作负载方面，176 层 3D NAND 也较 96 层 UFS 3.1 模组领先 15% 左右。

最后，美光现已开始 176 层 3D NAND 的量产，首批颗粒已在英睿达（Crucial）品牌的消费级 SSD产品中得到使用。

尽管美光尚未披露有哪些型号已在使用（大部分还是 128 层），但我们有望在明年迎来更多 3D NAND 存储芯片替换。

相关问答

美光本周在新加坡举办了庆祝Fab10工厂扩建顺利完成的仪式。尽管新的洁净室不会增加该公司每月的晶圆产能,但却能让美光技术使用更先进的3DNAND工艺技术,...

美光(Micron)旗下的消费级存储品牌雷克沙(Lexar),发展已停滞一年半左右。不过在本届移动世界大会(MWC2019)上,该公司似乎认为消费级存储卡市场将会重新...美光...

过去存储器技术每隔几年或十来年,就会出现全新的存储器芯片技术,但是自从25年前NAND存储芯片问世后,已经有超过25年存储器技术没有革新。但同时的CPU技术,却...

美光的5210IONSSD是世界上首款QLCSSD,早在今年5月份就发布了,然而到了近段时间美光才宣布它开始大规模量产并被合作伙伴广泛使用,在此期间已经有几款消费级...

与此同时,闪存价格仍在一路下跌。有鉴于此,包括威刚在内的一些厂商,也在积极扩充现有的产品线——比如为XPGSX8200Pro系列PCIe3.0x4M.2SSD引入...

谢谢邀请美光公布1300系列固态硬盘,从公布参数来看有M.2/SATA两种接口形态。美光1300系列SSD提供了256GB、512GB、1TB、2TB四种容量,M.2由于受限于尺寸问题,...

大数据应用推动了“让内存更接近计算资源”的架构需求,而人工智能和机器学习则进一步证明了硬件和硬件架构在成功部署中发挥的关键作用。不过有一个关键问题——...

慧荣的SM2262EN控制器是SM2262的改良版本,它拥有4个ARMCortex-R5内核,支持8条NAND通道,每条通道最高速度为800MT/s,支持ONFI4.0和ToggleDDR3....

3条回答:【推荐答案】SLC以前在64G固态有,因为闪存性能很低,排放占用位置大,闪存芯片单面储存,读写使用寿命低已淘汰,现在Intel与镁光研发新的3DNAND堆叠技术...

都达到一定规模。如南大光电达到年产25吨193nm光刻胶产品,未来还将会攻关EUV光刻胶的技术瓶颈。还有就是解决光刻难题从非核心开始起步。国内要发展半导体产...