TrendForce 报告：NAND闪存市场格局将发生变化 终于出现复苏迹象

随着供应商的有效减产，存储器价格回升，半导体存储器市场终于出现了复苏的迹象。从市场动态和需求变化来看，作为两大存储器产品之一的NAND Flash正在经历新一轮的变革。自 23 年第三季度以来，NAND Flash 芯片价格已连续数月上涨。TrendForce认为，在2024年市场需求前景保守的前提下，芯片价格走势将取决于供应商的产能利用率。

NAND闪存产业链动态频出，部分厂商表示有提价或提高产能利用率的意愿。NAND闪存供应商SIMO总经理Wallace C. Kou表示，第二季度NAND闪存的价格已经尘埃落定，将上涨20%；部分供应商第一季度已经开始盈利，第二季度后大部分供应商都将盈利。

PHISON公司首席执行官Pua Khein Seng认为，SSD固态硬盘价格的进一步上涨可能会大大降低市场需求。如果价格过高，需求可能又会开始动摇。他建议 NAND 制造商停止减产，开始满足需求，而不是任由低供应、高需求推高价格。

从产业链的角度来看，三星西安晶圆厂已经大幅提高了开工率，Kioxia也在考虑调整减产计划。

三星方面，据韩国媒体"The Elec"报道，三星电子位于中国西安的NAND闪存工厂已将开工率恢复到70%左右。23 年下半年，三星将该工厂的开工率降至 20%-30%。这是自 2022 年下半年内存价格和需求开始下滑以来该工厂的最低点。

西安晶圆厂是三星电子在韩国以外唯一的内存半导体生产基地，月产能为 20 万片 300mm 晶圆，占三星整体 NAND 产量的 40%。

三星电子计划将西安 NAND 闪存工厂升级为 236 层 NAND 工艺，并启动大规模扩产。据了解，该公司将于 2024 年在西安工厂逐步引进能够生产 236 层 NAND 的设备。

至于 Kioxia，该公司最近表示，将重新评估自 2022 年起实施的电子设备中使用的内存介质闪存的减产计划，并提高产量。Kioxia预计，到今年3月，其NAND工厂的利用率将恢复到90%左右，这取决于需求。

不过，TrendForce指出，先前预测NAND Flash在第1季的合约价格季增率约为20-25%。尽管第二季度的整体需求前景仍然保守，但NAND闪存供应商已经从23年第四季度末和24年第一季度初开始调整产能利用率。

此外，NAND 闪存买家已开始逐步补充第一季度的库存。因此，第二季度 NAND 闪存合同价格的季度环比增幅将收敛至 10-15%。

市场格局：三星仍占主导地位，两大制造商或将合并

目前，NAND 闪存市场仍由五大厂商主导，其中三星和 SK Hynix 占据了绝大部分份额。

根据TrendForce 3月6日的调查，23年第四季度，三星仍牢牢占据着NAND闪存市场的头把交椅，市场份额从上一季度的31.4%增至36.6%；其次是SK集团，市场份额从上一季度的20.2%增至21.6%。

紧随其后的是西部数据，其市场份额从上一季度的 16.9% 降至 14.5%；Kioxia，其市场份额从上一季度的 14.5% 降至 12.6%；美光，其市场份额从上一季度的 12.5% 降至 9.9%。

值得注意的是，西部数据与 Kioxia 的合并计划自 2021 年开始实施，目前尚未结束。据日本媒体 47news 报道援引消息人士的话称，合并谈判遭到了竞争对手的反对，导致谈判终止。日本媒体朝日新闻早些时候的报道指出，双方可能在 4 月底恢复合并谈判。

据报道，贝恩资本正在与相关公司进行谈判，以重启西部数据与 Kioxia 的合并谈判。如果合并成功，新成立的公司将控制全球三分之一的 NAND 闪存市场。

如果合并成功，西部数据和 Kioxia 成立的新公司的市场份额将超过 30%，从而导致 NAND 闪存市场格局的变化。

近日，西部数据再次出手。3月5日，该公司宣布分拆NAND闪存业务后，将保留原名，专注于核心硬盘业务。该公司还表示，分拆交易预计将在下半年完成。

根据公告，西部数据现任全球运营执行副总裁 Irving Tan 将担任剩余独立硬盘公司的首席执行官，继续以西部数据品牌运营。现任首席执行官大卫-戈克勒（David Goeckeler）将被调往新成立的公司负责 NAND 闪存部门，并担任新公司的首席执行官。

西部数据将剥离长期受供过于求困扰的 NAND 闪存业务，这一消息引发了业界的广泛讨论。但该公司认为，此举将加速创新，带来新的发展机遇。同时，由于资本结构独立，两个实体的运营效率将高于统一的公司。

展望：第一季度 NAND 闪存行业收入或将环比增长 20%

在产业营收方面，根据 TrendForce 的最新研究显示，NAND Flash 产业营收在 23 年第 4 季达到 114.9 亿美元，较前一季成长 24.5%。

这主要得益于年末促销带来的终端需求回暖，以及元器件市场因涨价带来的订单扩大，以及比特出货量较去年同期旺盛。同时，各公司继续发布 2024 年需求表现将好于 2023 年的观点，并已开始战略备货。

展望 2024 年第一季度，TrendForce 认为，在供应链库存水平显著改善、价格仍在上涨的情况下，客户继续增加采购订单，以避免供应短缺和成本上升的风险。

因此，TrendForce 预估，尽管目前为传统淡季，但由于订单规模持续扩大，刺激 NAND Flash 合约价格平均上涨 25%，第一季 NAND Flash 产业营收仍将较去年同期成长 20%。

2020年全球NAND闪存市场竞争格局分析，3D NAND成发展主流「图」

一、NAND闪存行业发展概况

在众多的存储芯片中，应用最为广泛的为内存DRAM和闪存NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM一般作为计算机CPU实时处理数据时的存储介质，NAND一般用作大容量存储介质，Nor一般用作物联网设备中的小容量存储介质。内存不同于闪存，虽然它们都是处理器处理所需数据的载体，但是内存的作用是提供了一个处理当前所需要数据的空间，它的空间容量较闪存小，但读取数据的速度更快，就像VIP通道一样，它为当前最需处理的数据提供了快速的通道，使得处理器能够快速获取到这些数据并执行。

半导体存储器分类

资料来源：公开资料整理

NAND属于非易失性存储芯片，储存容量大，应用广泛。存储芯片根据断电后数据是否丢失，可分为非易失性存储芯片和易失性存储芯片，前者包括Flash（NOR和NAND），后者包括RAM（DRAM和SARM）。NOR Flash存储容量较小，但读取速度快，主要用于存储代码。NAND以块的子单元进行重写和擦除，可以实现更快的擦除和重写，且存储容量大，广泛用于SSD（固态硬盘）、手机、平板、服务器、USB驱动器和存储卡等。

资料来源：英睿达官网，华经产业研究院整理

2020年，NAND Flash占全球存储器市场的比例为42%，是存储器分支中市场规模第二大的产品。

资料来源：公开资料整理

二、NAND闪存行业发展现状

受疫情影响，2020年全球NAND产值达560亿美元，同比增长约30%。在5G以及企业云建设带动下全球NAND Flash产值将会持续增长，预计到2026年NAND Flash产值将达到860亿美元左右，2021至2026年CAGR为4.2%。

资料来源：Yole，华经产业研究院整理

NAND Flash下游应用众多，从分布领域看，移动终端和SSD为NAND Flash需求主要来源，第三是移动存储，包括USB和闪存卡，目前市场份额较低。

资料来源：公开资料整理

相关报告：华经产业研究院发布的《2021-2026年中国NAND闪存卡市场深度分析及投资战略咨询报告》

三、NAND闪存行业竞争格局

国内NAND市场需求巨大，中国作为全球最大的电子产品制造中心，拥有全球最大的NAND芯片消费市场，2020年我国NAND闪存市场销售规模占全球比重的37%，销售占比全球排名第一；美国市场紧随其后，销售占比达31%；此外，日本及欧洲的市场占比较低，均为4%。

资料来源：Yole，华经产业研究院整理

NAND芯片市场呈现出寡头垄断的供给格局，2021年一季度，三星排名第一，市场份额为33.5%；出身东芝半导体的铠侠占据18.7%的市场；西部数据市场占有率为14.7%，排名第三。行业第四名的SK海力士于2020年10月宣布将支付90亿美元收购行业第六英特尔NAND闪存及存储业务，如收购顺利完成，SK海力士的规模将与铠侠相当，NAND芯片市场集中度再度提升。

资料来源：TrendForce，华经产业研究院整理

四、NAND闪存行业进入壁垒

NAND行业进入门槛高，存在技术、产业整合、客户认可、资金和规模、人才五大壁垒。NAND Flash生产对性能和产品指标要求高，且需要与先进封装技术和工艺制程相互协同，具有一定的技术壁垒和产品整合。行业前期投入研发费用高昂，对投入资金、高端人才和企业规模均提出了更高要求。由于产品验证周期长，各厂之间的合作关系稳定，新厂商进入难度大。

资料来源：公开资料整理

五、NAND闪存行业发展趋势

NAND从2D到3D是大势所趋，可突破存储容量限制瓶颈。2D在平面上对晶体管尺寸进行微缩，从而获得更高的存储密度，但晶体管尺寸微缩遇到物理极限，现已面临瓶颈，达到发展极限。为了在维持性能的情况下实现容量提升，3D NAND成为发展主流。3D NAND把解决思路从单纯提高制程工艺转变为堆叠多层，成功解决了平面NAND在增加容量的同时性能降低的问题，实现容量、速度、能效及可靠性等全方位提升。

1、分类

垂直沟道3D结构搭配MLC和TLC颗粒类型，为主要产品类型。3D NAND一般使用MLC（每单元存储2比特数据）或者TLC（每单元存储3比特数据）闪存颗粒。随着每单元存储bit数增加，闪存颗粒的容量逐渐增大，但是擦写速度和寿命都会减少，价格也随之降低。3D NAND结构可以分为简单堆叠、VC垂直沟道和VG垂直栅极三种，目前市面上3D NAND主要为垂直沟道形式。

资料来源：Wikipedia，华经产业研究院整理

2、竞争格局

铠侠与西数联合研发的新一代产品BiCS5增加了横向密度和存储层，在BiCS4基础上芯片存储容量提升至少40%，I/O性能加快近50%。铠侠在新开发的半圆形存储单元设计中用浮栅电荷存储层代替电荷陷阱型电荷存储层，通过将圆形单元的栅电极分割为半圆形以减小单元尺寸，以较少的单元堆叠层数实现更高的位密度。

资料来源：Tech Insights，华经产业研究院整理

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