IT之家学院:谈谈固态硬盘的二三事
今天和大家聊聊固态硬盘。
固态硬盘的三大部件:闪存、主控、缓存。本文主要讲闪存。
固态硬盘使用的闪存颗粒主要有SLC、MLC和TLC。其中,SLC价格最贵,速度最快,存储密度最小,寿命最长;TLC价格最便宜,速度最慢,存储密度最大,寿命最短;MLC介于两者之间。QLC是一种比TLC还要廉价的颗粒,但由于寿命短的可怜,还需要很长时间的改良。随着3D NAND的投产,TLC逐渐代替了MLC成为市场主流。从2016年年中开始,由于智能手机存储容量翻倍等原因导致供不应求,闪存价格一路走高,一些一线厂商只能降低产量,固态硬盘、U盘、存储卡等均大幅涨价,这就给了某些厂商可乘之机。
成本上涨的另一个原因就是制程的进步带来的良品率的降低。目前各家厂商都在努力提高新制程的良品率,相信闪存的价格未来也会得到适当的控制。
闪存颗粒由晶圆制成,晶圆是非常薄的圆形高纯度硅。搭载闪存的晶圆会被按照着要求切成许多矩形,那些不完整的,不稳定的边角料会按照废品处理掉,叫做“黑片”。合格品封装成颗粒,封装后检测不合格的叫做“白片”,也要当作废片处理。最终合格的NAND颗粒称为“原片”。目前国内没有任何一家可以自行生产闪存颗粒。
固态硬盘的成本主要集中在闪存颗粒上。一线的固态厂商基本都在使用原片,成本虽然高,但是经过严格筛选,质量过硬,自然赢得了消费者的信赖。而某些厂商出于价格的考虑,会购买废弃的白片,这已经是公开的秘密了。筛选质量较好的白片制成的固态硬盘价格比原片低得多,对于一些不愿意花太多钱的人来说诱惑很大,各种硬件论坛上关于原片和白片的争论也很多,但是,对于黑片,人们的反应很一致:垃圾就是垃圾。
毕竟需求摆在那里,一线厂商削减产量给了二三线厂商可乘之机。许多不知名的固态硬盘厂商大肆使用黑片和回收的固态硬盘,导致大量质量低劣的固态硬盘流入消费市场。在以往,黑片大多被他们用来生产U盘和存储卡,最常见的就是假冒金士顿的三无U盘,几块钱能买一大把,这些U盘的质量完全无法和真正的金士顿U盘比。黑片被这些厂商封装后,打上原厂的标志,做成固态硬盘等产品流入市场,根本就没有经过严格的检测,容量缩水,寿命奇短,专门靠华丽的广告和低廉的价格欺骗那些对此并不了解的小白。目前这已经形成了一条黑色链条,很多企业的出货量甚至超过了长期处于领先地位的一线厂商,而这上面的中国企业足足有上百家之多。
这些固态硬盘的主要流通方向是实体店、网店和OEM厂商。近年来各种互联网电脑品牌如雨后春笋般出现,这其中不乏有使用劣质零部件以降低成本,而绝大多数消费者对此并不了解,也不知道这其中的危害有多么可怕,被商家五彩斑斓的广告忽悠一通儿,就被拽上了“贼船”。
金钱有价,数据无价,购买这些劣质的固态硬盘等存储品无异于一场豪赌,因此,请看到这篇的朋友们,选择正规渠道,购买国际一线厂商的产品,切勿拿数据开玩笑。
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MLC与TLC同根生,Intel 3D NAND技术大揭秘
现在每一个闪存厂家都在向3D NAND技术发展,我们之前也报道过Intel 3D NAND的一些信息,昨天5月14日,Intel & Richmax举办了一场3D Nand Technical Workshop技术讲解会,在会议上Intel的技术人员给在场人员具体的讲解了Intel 3D NAND的计划以及一些技术上的细节。
3D NAND的好处自然就是能够比现在的闪存提供功能大的存储空间,存储密度可以达到现有闪存的三倍以上,未来甚至可以做出10TB以上的2.5寸SSD出来。另外还有一个重要特性,就是(每单位容量)成本将会比现有技术更低,而且因为无需再通过升级制程工艺、缩小cell单元以增加容量密度,可靠性和性能会更好。
Intel在现在2D NAND时代是没有做TLC闪存的,但是在即将到来的3D NAND时代,Intel将推出自己的TLC闪存,另外还有一个非常重要的就是,TLC与MLC其实都是同一块芯片,这点和现在三星的3D NAND差不多,Intel的客户可以根据自己的需求选择闪存是工作在MLC模式还是TLC模式。在MLC模式下每Die容量是256Gb,而TLC模式下每Die容量是384Gb。
Intel 3D NAND目前会使用32层堆叠,电荷存储量和当年的50nm节点产品相当,第二第三代产品依然会保持这样的电荷量,以保证产品的可靠性,会议上并没有明确说明3D NAND到底是使用那种工艺,只说了用的是50nm到34nm之间的工艺。
Intel的3D NAND代号是L06B/B0KB
L06B是MLC产品的代号 ,采用ONFI 4.0标准,Die Size 32GB,16k Page Size,使用4-plane设计,虽然会带来额外的延时,但同时也提供了比目前常见的2-plane设计闪存高1倍的读写吞吐量,闪存寿命是3000 P/E。
B0KB则是TLC产品的代号 ,由于是同一芯片所以许多东西都是L06B一样,当然容量、性能与寿命什么的肯定不同,Die Size 48GB,闪存寿命是1500 P/E,由于是TLC所以需要ECC标准是更高的LDPC。
Intel 3D NAND全部会使用132-Ball BGA封装,L06B可以从256Gb(32GB)到4096Gb(512GB)的产品,具体的请看上表,不过这款闪存的CE数其实是可以调的,这样可以更容易的做出更大容量的SSD。
闪存有三种工作模式
MLC工作的模式有2-pass和1-pass两种编程模式,默认的是2-pass编程模式,第一次编程lower page的数据写入到NAND阵列里面,而第二次编程则会把upper page的数据写入。
而1-pass编程模式的意思当然就是指一次编程就把lower page与upper page的数据都写入到NAND阵列里面,这样可以节省15%的编程时间,但是用这种算法的话闪存寿命会比两步编程模式时低一些,低多少并没有具体说明。
而TLC的编程算法则要复杂很多了,第一步和MLC的一步编程模式相类似,就是直接把lower page与upper page一齐写入到NAND阵列里面,第二步则是写入extra page的数据,由于算法复杂,第二部编程时需要对数据进行ECC校验。
上面所说闪存的2-pass MLC、1-pass MLC与TLC工作模式是可以用使用指令随时切换的,这对厂家来说闪存的使用会变得非常灵活,当然了产品的用户是不能这样乱改工作模式的。
至于Intel的3D NAND什么时候会开始供应,今年Q3中旬会开始相各个合作伙伴提供测试样品,MLC/TLC的都有,2015年Q4末开始大规模供货,产品的定价会根据那时的市场情况再决定。
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