11个NS大病的解决方案，希望大家都用不到

平时玩NS的时候，时不时会遇到这样那样的问题。有的看上去是硬件出了故障，有的则是软件上的问题。

如果你也不幸遇到了下面的这些问题，不要慌，跟着我们的解决方法来，让你少走弯路，避免损失！

如果你的Joy-Con和Pro手柄都无法无线连接到NS，或是系统设置中一个Wi-Fi都搜索不到，那么很可能是无线模块坏了。（由于蓝牙和Wi-Fi有共用的芯片，运气不好可能会两个一起坏）

这时建议不要“重启”来尝试解决问题，因为可能会过不了开机自检。还有更不要进行系统升级的操作，升级过程中不过自检，会有很大概率出问题。记得保存好你的游戏，然后去线上或线下找一家NS维修店即可。

当然，如果你不急着修，也没啥联网需求的话，掌机模式下玩玩倒也问题不大。只是记得及时充电，否则没电了之后可能就开不了机了。

除了上面说的蓝牙/Wi-Fi故障外，其他硬件如果出现烧坏、短路等问题，都可能导致NS开机黑屏、卡LOGO，或是一整块屏幕显示橙色（也可能是其他纯色）。

那这个时候就不得不去维修了。

导致这些问题比较常见的，有供电芯片损坏、视频输出芯片损坏、内置储存(NAND)损坏等等。

如果只是芯片损坏，一般维修费用不会很高，单个芯片更换的费用基本不会超过100（当然，最核心的SoC坏了那就完蛋了，维修成本会变得特别高。不过一般这个也不会坏就是了）。

但如果运气不好点，NAND损坏了的话，那这个机器就很难被救活了（因为系统在里面加密的，还和主板对应）。这时维修店老板一般会问你要不要整个主板换掉，这成本就会高很多了

连上电源后瞬间开不了机了

上面提到的供电等芯片，很多时候都是因为短路才会被烧坏。而短路的其中一个罪魁祸首，很有可能就是NS的尾插。如果你观察过这个插口，一定发现了里面有密密麻麻好多针脚。

而随着NS下面这个USB-C口的频繁插拔，会有相对较高的概率，导致里面的针脚松动。这时你把充电线捅进去，很容易就会把针脚折弯导致短路。

所以如果你是一位重度掌机模式玩家，强烈建议多检查一下NS的尾插。可以拿手机的LED灯往里面照着看看，如果发现问题，及时送修，避免引起更大的损失呀！

电池充不进电？

如

果你的NS吃灰了很～久很久，拿出来的时候可能已经是一滴都没有了。一般情况下，只要拿功率足够的充电器（18W以上，建议用原装），放着充一晚上就可以了。

如果运气不好的话，可能一晚上也救不回来，那就只能换电池了。自己网上买块电池（一般不会有假），然后找个附近的手机电脑维修店就行。拆都拆了，建议再买一支好点的硅脂给换上，加强一下散热效率～

摇杆皮飞了

Joy-Con除了漂移问题外，还经常会遇到摇杆皮脱落的问题。这一般是玩久了，或是搓的时候太用力了导致的。

一般拿镊子给它塞回去就可以，虽然可能手感会不太一样，但至少勉强能用了。网上也可以买到专门用于修复的工具，也得讲究胆大心细。

避免这个问题最好的方法，还是搞个摇杆帽，又好看，还能防止这层皮损坏～

掌机模式温度异常高

有不少玩家喜欢边玩游戏边抽烟，但是烟里面大量的颗粒物，会在游戏机运行的时候被风扇带入内部。

如果边玩边吸很频繁的话，不出两年，你的NS内部就会非常恐怖了。这会导致掌机模式下机器非常烫，随便玩个什么游戏，风扇都能狂转不止。

这时就只能拆机清理了，甚至可以直接换个新风扇。还是建议大家少抽烟呀～

电视模式下杂音、花屏

如果在电视模式下出现杂音、花屏等情况，可以检查一下HDMI线是否连接稳定，或者换一根HDMI线尝试一下。

如果还有问题，可能是有信号干扰导致的。如果你使用的是第三方底座，或是拿原装改造的底座，在HDMI接口处的屏蔽罩可能会没有或者被拆掉了，这在某些环境下可能会影响信号传输。

其实如果不是为了带出门，在家的话还是用原装底座比较好。改成便携底座真不会对散热有多少影响，更不会对游戏有任何影响。

最坏的可能，就是电视机或者NS的视频芯片出了问题，那就只好去送修了......

Joy-Con灯不亮/SLSR失灵

相信有许多玩家都曾遇到过，明明手柄有电，侧面的LED灯却不亮；或者是连着NS，但侧面两个小的SL/SR按键怎么也没用。

这是因为手柄内部排线是以对折 的形式设计的（主要是右手柄），用久了非常容易断裂。如果平时不会分享手柄玩的话，倒也没太大必要去修就是了，不影响使用。

我自己帮朋友修东西，一年能遇到十几个这种！任天堂！改改你的Joy-Con设计吧！

忘了游戏在哪个地区买的？

有不少小伙伴喜欢创建好多不同地区的账号，哪便宜就用哪个号买。买的时候虽然是方便了，但在某些情况下却会很头疼。

例如在购买DLC的时候，可能需要确认游戏本体是哪里买的；游戏连图标一起删掉后，想再下回来就得一个个账号翻过去。

其实，只要在你的邮箱里，看一眼老任发给你的账单，就可以很容易地通过邮件语言、结算货币来判断你的游戏是哪里买的了！

机器弄丢了？

老任给你的邮件里，不仅有账单信息，还有登陆信息，这在一些特殊情况下能成为救命稻草！

如果你哪天非常倒霉地把NS弄丢了，除了赶紧回过头找找外，别忘了先前往任天堂的设置网页https://accounts.nintendo.com，把自己的账号和主机强制解绑。

强制解绑是限制半年一次的，如果距离上次解绑还没到半年，可以在邮箱里，找到NS的序列号，然后拿着序列号去找客服来帮你解绑！

游戏经常报错，数据损坏

如果你的下载版游戏，在运行时经常出现闪退，除了可能是游戏自身有问题外，也可能是你的数据出了错误。

这时可以在【系统设置-数据管理-软件管理-出问题的游戏】中，选择数据校验。如果真的是数据有问题，一般重新下载即可。

但还有一种比较倒霉的情况，就是你的SD卡出现了坏点，里面的一部分数据在物理层面损坏了。SD卡出现坏点一般是无解的，只能换新卡了。

虽然如今NS的存档都在机器自带的储存里，SD卡坏了也就坏了，大不了游戏重新下载，但这一过程还是非常折磨人的。并且你的游戏截图和小视频也都可能损坏，这种情况还是非常难受的！

上面提到的这一堆大大小小的问题，祝大家永远也不要遇到

NAND Flash与NOR Flash究竟有何不同｜半导体行业观察

来源：内容由 微信公众号 半导体行业观察 （ID：icbank） 翻译自「embedded」，作者 Avinash Aravindan，谢谢。

嵌入式系统设计人员在选择闪存时必须考虑许多因素：使用哪种类型的Flash架构，是选择串行接口还是并行接口，是否需要校验码（ECC）等。如果处理器或控制器仅支持一种类型的接口，则会限制选项，因此可以轻松选择内存。但是，情况往往并非如此。例如，一些FPGA支持串行NOR闪存、并行NOR闪存和NAND闪存来存储配置数据，同样，它们也可以用来存储用户数据，这使得选择正确的存储器件更加困难。本文将讨论闪存的不同方面，重点放在NOR闪存和NAND闪存的差异方面。

存储架构

闪存将信息存储在由浮栅晶体管制成的存储单元中。这些技术的名称解释了存储器单元的组织方式。在NOR闪存中，每个存储器单元的一端连接到源极线，另一端直接连接到类似于NOR门的位线。在NAND闪存中，几个存储器单元（通常是8个单元）串联连接，类似于NAND门（参见图1）。

NOR Flash（左）具有类似NOR门的架构。NAND Flash（右）类似于NAN

NOR Flash架构提供足够的地址线来映射整个存储器范围。这提供了随机访问和短读取时间的优势，这使其成为代码执行的理想选择。另一个优点是100％已知的零件寿命。缺点包括较大的单元尺寸导致每比特的较高成本和较慢的写入和擦除速度。

相比之下，与NOR闪存相比，NAND闪存具有更小的单元尺寸和更高的写入和擦除速度。缺点包括较慢的读取速度和I / O映射类型或间接接口，这更复杂并且不允许随机访问。值得注意的是，NAND Flash中的代码执行是通过将内容映射到RAM来实现的，这与直接从NOR Flash执行代码不同。另一个主要缺点是存在坏块。NAND闪存通常在部件的整个生命周期内出现额外的位故障时具有98％的良好位，因此，器件内需要ECC功能。

存储容量

与NOR闪存相比，NAND闪存的密度要高得多，主要是因为其每比特成本较低。NAND闪存通常具有1Gb至16Gb的容量。NOR闪存的密度范围从64Mb到2Gb。由于NAND Flash具有更高的密度，因此主要用于数据存储应用。

擦除/读写

在NOR和NAND闪存中，存储器被组织成擦除块。该架构有助于在保持性能的同时保持较低的成本，例如，较小的块尺寸可以实现更快的擦除周期。然而，较小块的缺点是芯片面积和存储器成本增加。由于每比特成本较低，与NOR闪存相比，NAND闪存可以更经济高效地支持更小的擦除块。目前，NAND闪存的典型块大小为8KB至32KB，NOR Flash为64KB至256KB。

NAND闪存中的擦除操作非常简单，而在NOR闪存中，每个字节在擦除之前都需要写入“0”。这使得NOR闪存的擦除操作比NAND闪存慢得多。例如，NAND闪存S34ML04G2需要3.5ms才能擦除128KB块，而NOR闪存S70GL02GT则需要约520ms来擦除类似的128KB扇区。这相差近150倍。

如前所述，NOR闪存具有足够的地址和数据线来映射整个存储区域，类似于SRAM的工作方式。例如，具有16位数据总线的2Gbit（256MB）NOR闪存将具有27条地址线，可以对任何存储器位置进行随机读取访问。在NAND闪存中，使用多路复用地址和数据总线访问存储器。典型的NAND闪存使用8位或16位多路复用地址/数据总线以及其他信号，如芯片使能，写使能，读使能，地址锁存使能，命令锁存使能和就绪/忙碌。NAND Flash需要提供命令（读，写或擦除），然后是地址和数据。这些额外的操作使NAND闪存的随机读取速度慢得多。例如，NAND闪存S34ML04G2需要30μS，而NOR闪存S70GL02GT需要120nS。因此，NOR比NAND快250倍。

为了克服或减少较慢读取速度的限制，通常以NAND闪存中的页方式读取数据，每个页是擦除块的较小子部分。仅在每个读取周期开始时使用地址和命令周期顺序读取一页的内容。NAND闪存的顺序访问持续时间通常低于NOR闪存设备中的随机访问持续时间。利用NOR Flash的随机访问架构，需要在每个读取周期切换地址线，从而累积随机访问以进行顺序读取。随着要读取的数据块的大小增加，NOR闪存中的累积延迟变得大于NAND闪存。因此，NAND Flash顺序读取可以更快。但是，由于NAND Flash的初始读取访问持续时间要长得多，两者的性能差异只有在传输大数据块时才是明显的，通常大小要超过1 KB。

在两种Flash技术中，只有在块为空时才能将数据写入块。NOR Flash的慢速擦除操作使写操作更慢。在NAND Flash中，类似于读取，数据通常以页形式编写或编程（通常为2KB）。例如，单独使用NAND闪存S34ML04G2 写入页面需要300μS。

为了加快写入操作，现代NOR Flashes还采用类似于页面写入的缓冲区编程。例如，前文所述的NOR闪存S70GL02GT，支持缓冲器编程，这使其能够实现与单词相似写入超时多字节编程。例如，512字节数据的缓冲区编程可以实现1.14MBps的吞吐量。

能耗

NOR闪存在初始上电期间通常需要比NAND闪存更多的电流。但是，NOR Flash的待机电流远低于NAND Flash。两个闪存的瞬时有功功率相当。因此，有效功率由存储器活动的持续时间决定。NOR Flash在随机读取方面具有优势，而NAND Flash在擦除，写入和顺序读取操作中消耗的功率相对较低。

可靠性

保存数据的可靠性是任何存储设备的重要性能指标。闪存会遭遇称为位翻转的现象，其中一些位可以被反转。这种现象在NAND闪存中比在NOR闪存中更常见。出于产量考虑，NAND闪存随附着散布的坏块，随着擦除和编程周期在NAND闪存的整个生命周期中持续，更多的存储器单元变坏。因此，坏块处理是NAND闪存的强制性功能。另一方面，NOR闪存带有零坏块，在存储器的使用寿命期间具有非常低的坏块累积。因此，当涉及存储数据的可靠性时，NOR Flash具有优于NAND Flash的优势。

可靠性的另一个方面是数据保留，这方面，NOR Flash再次占据优势，例如，NOR Flash闪存S70GL02GT提供20年的数据保留，最高可达1K编程/擦除周期，NAND闪存S34ML04G2提供10年的典型数据保留。

编程和擦除周期的数量曾是一个需要考虑的重要特性。这是因为与NOR闪存相比，NAND闪存用于提供10倍更好的编程和擦除周期。随着技术进步，这已不再适用，因为这两种存储器在这方面的性能已经很接近。例如，S70GL02GT NOR和S34ML04G2 NAND都支持100,000个编程 - 擦除周期。但是，由于NAND闪存中使用的块尺寸较小，因此每次操作都会擦除较小的区域。与NOR Flash相比，其整体寿命更长。

表1提供了本文中讨论的主要内容摘要。

NOR闪存和NAND闪存的主要特性与一般和具体比较数据的比较。

通常，NOR闪存是需要较低容量、快速随机读取访问和更高数据可靠性的应用的理想选择，例如代码执行所需。NAND闪存则非常适用于需要更高内存容量和更快写入和擦除操作的数据存储等应用。

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