华邦与新思科技达成合作，提供完整高容量NAND闪存解决方案

36氪获悉，华邦电子宣布与新思科技达成合作。据介绍，华邦OctalNAND Flash可通过与新思科技用于AMBA DesignWare SSI IP的整合获得完整支持。DesignWare SSI IP可优化闪存性能，帮助串行式闪存与华邦OctalNAND Flash提高传输速率并降低延迟。此举将加速华邦OctalNAND Flash采用，为汽车、移动设备和物联网装置等领域提供完整闪存解决方案。

华邦全新QspiNAND Flash赋能NB-IoT

全球半导体储存解决方案领导厂商华邦电子，宣布推出拥有新功能的 QspiNAND Flash，是专为 Qualcomm® 9205 LTE 调制解调器而设计的。

华邦推出业界首创的 1.8V 512Mb (64MB) QspiNAND Flash，为新型行动网络 NB-IoT 模块的设计人员提供正确的储存容量。

“到了2020年，物联网的规模将成长到500亿个连网装置，未来几年 Quad SPI-NAND 的采用率可能会增加4到5倍，” WebFeet Research 总裁 Alan Niebel 说道，“华邦的 1.8V QspiNAND Flash 相当适合汽车及 IoT 产业使用。NB-IoT 已经蓄势待发，在全新的连网世界中茁壮成长，2023年之前出货量可望达到全球 6.85亿个装置”。

华邦电子美国分公司闪存事业群营销部总监 Syed S. Hussain 表示：“华邦一直致力于创新及产品差异化，我们很自豪Qualcomm 9205 LTE主控芯片采用了华邦设计的QspiNAND Flash KGD 解决方案。我们会持续与 Qualcomm密切合作开发内存组件，打造适合 IoT 应用的次世代 LTE 调制解调器解决方案”。

华邦立足于传统 QSPI-NOR Flash，并进军 QSPI-NAND Flash 领域，客户可根据自身需求，自由选择编码储存组件，以最低成本扩充规模。使用相同的 6 针脚信号及 QSPI 指令集提供 SLC NAND Flash 的大容量存储，并采用 104MHz 读取速度的全新Continuous Read 功能，效能毫不减损。

Qualcomm Europe Inc. 产品管理副总裁 Vieri Vanghi 表示：“Qualcomm已对华邦的 QspiNAND Flash 进行各种测试及验证，目前以堆栈 KGD 解决方案形式运用于 Qualcomm 9205 LTE 调制解调器，让 OEM 客户能打造出外型极为精巧的系统。我们很荣幸能与华邦维持长久的合作关系，期望双方能继续共同提供顶尖的 IoT 技术解决方案”。

W25N QspiNAND Flash 系列装置采用节省空间的 8 针脚封装，以往的 SLC NAND Flash 无法做到这一点。W25N512GW 为 512Mb 内存，数组分为 32,768 个可编程页面，每页面为 2,112 字节。W25N512GW 提供全新的 Continuous Read 模式，可利用单一读取指令高效存取整个内存数组，是编码映像 (code shadowing) 应用的理想选择。

104MHz 的频率速度，可在使用快速读取 Dual/Quad I/O 指令时，达到相当于 416MHz (104MHz x 4) 速度的 Quad I/O 效能。芯片内建不良区块管理功能，让 NAND Flash 更容易管理。

为满足全球对大容量解决方案持续成长的需求，华邦 QspiNAND Flash 在台湾台中的 12 寸晶圆厂进行制造。华邦正在扩展产能，以确保支持汽车与 IoT 产业因全新业务带来的增长。

“SpiFlash 系列在加入 QspiNAND Flash 产品线后，有利于现有的 QSPI-NOR Flash 及 Parallel NAND Flash 转换为 QspiNAND Flash，”华邦闪存技术总监 J.W. Park 说道，“华邦与客户工程团队合作开发的这款全新 512Mb QspiNAND Flash，在符合成本效益的设计原则下，可以提供同样优异的效能”。

1.8V QspiNAND Flash 特色如下：

低功率且涵盖不同使用场景的工作温度

– 1.75V ~ 1.95V 供电

– 工作电流 25mA、待机电流 10μA、深度省电 (Deep Power Down) 电流1μA

– -40°C 至 +85°C 工作温度 (工规级)

– -40°C 至 +105°C 工作温度 (工规进阶级与车规级)

独特的内存架构

– 启用 ECC 时的页面读取时间：60μs

– 页面写入时间：250μs (标准值)

– 区块抹除时间：2ms (标准值)

– 快速编程/抹除的效能

– 支持 OTP 内存区域

高效能高可靠性的 QspiNAND Flash

– QSPI 实作采用 46nm 制程技术

– 数据保存 10 年以上

– 支持最高每秒 52MB 的数据传输率

节省空间的封装

– WSON8 6x8mm

– WSON8 5x6mm

– TFBGA24 6x8mm

– KGD (良裸晶粒)

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