nand芯片多少纳米闪存业务爆发，又欲突破1x纳米制程，东芯股份未来可期？

发布时间 : 2024-10-18

作者 : 小编

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闪存业务爆发，又欲突破1x纳米制程，东芯股份未来可期？

2021年是芯片行业企业业绩“大丰收”的一年，靓丽的业绩预告一个接着一个。在一众芯片企业中，东芯股份业绩也不逊色。其业绩快报显示，2021年东芯股份营业收入11.39亿元，同比增长45.28%；净利润2.62亿元，同比增长1240.81%

科创类型的公司，不仅要看其当下的业绩，更重要的是未来，未来的技术进步，未来的市场空间。作为A股少有的存储器设计企业，东芯股份可同时提供NAND、NOR、DRAM等存储芯片完整解决方案。

值得一提的是，东芯股份也在积极研发先进制程的闪存产品，比如与中芯国际合作研发的1x纳米闪存项目。目前在2D NAND领域，三星电子、铠侠、美光科技的最高制程分别为16纳米、24纳米和19纳米，若东芯股份成功量产1x纳米闪存，则有望追上行业第一梯队。

业绩爆发

东芯股份业绩快报显示，2021年净利润为2.62亿元，较招股书净利润上限还高0.22亿元。对于业绩大涨的原因，东芯股份表示随着2021年市场回暖，公司产品结构持续优化，高附加值产品提升，同时规模效应逐步显现，销售毛利率提升。另外，对完成导入期的客户销售规模逐步扩大、规模效应逐步显现，使得公司闪存芯片销售规模持续扩大。

东芯股份的主要产品分为NAND、NOR、DRAM和MCP，其中NAND价格的回暖对东芯股份毛利率最为明显。2020年、2021年1-6月，NAND占上市公司总营收的比例分别为50.89%、51.32%，营收占比变化不大，但毛利率表现却迥然不同。2020年，NAND产品毛利率仅为23.02%；2021年1-6月大幅升至43.81%。

这是因为NAND价格的大幅上涨，东芯股份2020年NAND单价为4.66元/颗，2021年1-6月升至7.63元/颗，价格涨幅高达63.73%。

静待销售放量

事实上，东芯股份2021年业绩表现如此优异，也是因为产品进入放量期。芯片行业新产品销售一般需经历平台验证、产品验证及供应商认证等测试流程，所有验证通过后，方可逐步形成规模化的销售。

其中，平台验证需要3-6个月的时间，以测试产品功能、性能与平台系统的适配性；产品验证需要3-6个月的时间，以实现产品与客户整体系统的软硬件环境适配；供应商认证需要6个月-2年的时间，以评估公司是否满足技术、质量、体系、交货等要求。经历上述流程后，根据客户终端产品的销售情况，逐步放量，形成规模化销售。

华鑫证券认为，东芯股份的产品已获得广泛平台认证，期待销售逐步放量。据悉，东芯股份已与多家主控芯片平台厂商构建了生态合作，通过产品在平台厂商验证的方式，不仅提升公司存储产品性能和质量在行业内的认可程度，还有助于缩短公司产品在终端客户的导入时间。

目前，东芯股份已通过高通、博通、联发科、紫光展锐、中兴微、瑞芯微、北京君正、恒玄科技等各大主流平台验证，进入到三星电子、海康威视、歌尔声学、传音控股、惠尔丰等知名客户的供应链体系。

2021-2022年，东芯股份在通讯设备、可穿戴设备等领域的大客户已完成前期导入，未来产品销售有望进一步放量，从而提升公司的持续盈利能力。

值得注意的是，随着汽车智能化、电动化的发展，汽车电子的需求与日俱增，比如辅助驾驶系统、电池管理系统等，汽车中配置的电子零组件占比越来越高。根据Gartner的数据显示，2019年全球ADAS中的NAND Flash存储消费2.2亿GB，由于智能汽车领域的快速发展，预计至2024年，全球ADAS领域的NAND Flash存储消费将达41.5亿GB，2019-2024年复合增速达79.8%。

车规级存储芯片，也是东芯股份重要的发展方向。东芯股份表示，在满足客户工业级应用需求的基础上，将产品可靠性标准逐步向车规级推进，以顺应汽车产业在智能网联功能的布局，大力发展可靠性要求更高的车规级存储芯片，实现车规级闪存产品的国产替代目标。

要知道，车规级存储芯片在工艺技术、使用环境、抗振能力、可靠性等方面比传统消费电子类存储芯片要求更高。对此，东芯股份认为其凭借在存储芯片领域多年的经验积累和技术储备，打造了以低功耗、高可靠性为特点的闪存芯片产品，部分产品的温控能力、使用寿命已经达到车规级要求，具备了车规级闪存产品的产业化研发能力。

闪存制程水平持续提升

芯片行业属于资本密集型、技术密集型行业，若要维持较高的毛利率水平，必须基于相应的高尖端技术。

目前，东芯股份闪存在工艺制程、部分产品性能方面已达到国内先进水平。NAND方面，长江存储已量产3D NAND，不过其主要面向大容量市场，目标市场与东芯股份有所区别。在中小容量NAND领域，目前兆易创新已量产38纳米SLC NAND 产品，由中芯国际代工。

而东芯股份38纳米、28纳米SLC NAND由中芯国际、中国台湾力晶代工；而由中芯国际代工的24纳米SLC NAND接近量产水平。另外，1x纳米SLC NAND正在开发中。

根据招股说明书显示，东芯股份的1x纳米项目便是19纳米系列产品，据了解，19纳米NAND Flash系列产品采用了国内先进的1x纳米，缩小了器件的特征尺寸，进而缩小了产品封装后的尺寸，可以满足客户的不同需求。同时，也降低了产品功耗，器件性能均得到提高。

若东芯股份能成功量产1x纳米，或有机会在工艺制程方面赶上国际第一梯队。东芯股份认为，与中芯国际合作开发生产1x纳米NAND Flash芯片，实现国内存储芯片先进制程技术的进一步突破，从而为将来设计更高容量、更具成本优势的产品打开空间，提供先进工艺制程的保障。

芯片制程的升级意味着在单位存储面积上的存储单元密度将会增加，制程的缩小降低了存储芯片的生产成本。从2013年开始，NAND Flash领先制程由2xnm逐渐转向1xnm，先进制程是提高存储芯片成本优势的关键。随着东芯股份产品制程的持续升级，其产品市场竞争力也将逐渐增强。

另外，东芯股份也在积极研发存算一体化芯片、DTR NAND等前瞻性产品，旨在拓展公司产品系列由通用型芯片向特色性能产品延伸。未来高技术壁垒产品有望实现更高的单价定位，优化公司产品结构，改善盈利中枢，为长期发展确立竞争优势。

作为人才密集型行业，芯片领域的人才是非常宝贵的。集成电路的研发需要相关人才具备扎实的专业知识、长期的技术沉淀和经验积累。研发团队的实力及稳定性是公司保持核心竞争

力的基础，也是公司推进技术持续创新升级的关键。

比如在NAND产品领域，正是建立了经验丰富、底蕴深厚的人才团队，才推进东芯股份工艺制程不断演进，从38纳米升级至24纳米，并着力研发19纳米。

为了留住人才，东芯股份2月15日晚间发布股权激励计划，向符合首次授予条件的77名激励对象授予170.04万股限制性股票，授予价格为21.13元/股。

（本文不构成任何投资建议，信息披露内容以公司公告为准。投资者据此操作，风险自担。）

日本厂商出手，不用EUV光刻机，也能生产5nm芯片？

众所周知，在芯片生产过程中，光刻机是绕不过的设备，如果从整个生产来看，光刻机的成本占总设备成本的30%。

最关键的是，当进入到7nm工艺后，必须要用到EUV(极紫外线)光刻机，这种光刻机只有荷兰ASML能够生产，且产能有限，厂商们要买到，并不容易，要排除，且ASML要优先供应台积电、三星、intel这几家股东。

所以一直以来，大家都在寻找其它办法，比如不用EUV光刻机，能不能生产7nm及以下的芯片？事实上，也有厂商是这么想并打算这么干的，因为通过DUV光刻机进行多重曝光，理论上也能达到7nm。

但这种办法非常复杂，对技术要求非常高，同时良率低，晶圆的损耗比较大，所以如果能够买到EUV光刻机，就不可能用这种办法，这种办法生产出来的芯片，完全没有市场竞争力。

而近日，日本厂商搞出了另外一种办法，那就是不采用DUV多重曝光，而是开发了一种新的NIL制程技术，这种技术不需要EUV光刻机，就可以将芯片制程推至5nm。

这家厂商就是日本的存储大厂铠侠Kioxia（东芝），它与日本的光学/半导体厂商佳能，还有光罩/半导体厂商大日本印刷株式会社（DNP），经过了4年的研发，终于研发出了纳米压印微影(NIL) 的量产技术。

目前铠侠已将其应用到了15nm的NAND闪存制造上了，并表示到2025年应该可以应用到5nm的芯片制造上。

铠侠表示，NIL 技术与EUV光刻技术相比，可以大幅度的减少耗能，转化效率高，耗电量可压低至EUV 技术的10%，同时NIL技术下的设备也便宜，与ASML的EUV光刻机相比，投资可降低至仅有EUV 设备的40%。

不过也有专业人士指出，NIL技术也许能够推进芯片制程至5nm，但可能更适应于NAND这种3D堆叠的闪存芯片，不一定适用于所有的芯片。

不过合作厂商之一的佳能，则表示要努力的将NIL 量产技术广泛的应用于制作DRAM 及PC 用的CPU 等逻辑芯片的设备上。

对于这个技术，不知道大家怎么看？如果真的能够推进至5nm，且用于除NAND之外的通用芯片，那么ASML就必将走下神坛。

甚至从一定程度而言，也是国产芯的好消息，你觉得？对于这样的弯道超车的技术，真希望它能够多一点，并且是中国厂商研发的就好了。

闪存业务爆发，又欲突破1x纳米制程，东芯股份未来可期？

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