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nand flash读速度「Computex 2018」NVMe M2 SSD速度快出新高度

发布时间 : 2024-10-06

作者 : 小编

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「Computex 2018」NVMe M2 SSD速度快出新高度

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如果你为了提高平台性能已经更换了新的主板、CPU，不搭配一款NVMe M.2 SSD一定会遗憾的。毕竟，这样小巧的一款设备所蕴藏的能量是其他硬盘设备所不能比拟的。如今直接买NVMe M.2 SSD比选购SATA3.0 SSD更具性价比，毕竟NVMe M.2 SSD成为存储市场的主流选择，在今年台北电脑展上，厂商推出了不少新品，我们以前来看看。

读取超过6500MB/s的SSD你见过吗？

在这次电脑展上，板卡厂商推出的新主板对M.2接口的优化更加完善，也促进了M.2SSD的尽快普及。相比SATA3.0 SSD速度提升数倍，现在说NVMe M.2 SSD即将全面占领市场也不为过。在浦科特与其他合作伙伴推出的联合展台上，我们就看到一款震惊业界的SSD新品。

相信有不少网友都在今年电脑展浦科特展台看到了这个测试成绩，小狮子在看到这个结果之后着实也吓了一跳。浦科特首度揭露已将SSD读写极限，推进至惊人的连续读取6500MB/s、连续写入5000 MB/s全新境界。根据浦科特搭建的平台实测展示，采用此技术的M9Pe Extreme，能巨幅提升SSD数据传送效能，满足需要处理大量影音内容、缩短转档与传输时间的高阶影像工作者，以及动画剪辑师、影音绘图人员与电影制作公司。

浦科特与Marvell长期合作，提供创新SSD储存解决方案。此次突破传输记录的技术展示，再次证明整合Marvell NevoX芯片组与Plextor的储存系统专业知识，将能帮助客户跨越世代，实现巨量数据快速传输的目标。虽然说这款产品普通消费者可能用不到，也买不起，但这样的实力确实是让人震惊的。（千万别问我价格是多少，因为我不想知道，只想直接把机器抱走！）

除了单款极速SSD的展示之外，存储厂商也推出了不少组建RAID系统的高端平台。西部数据就在COMPUTEX 2018展会上用8个NVMe SSD“西部数据 Black 3D NVMe SSD”，以RAID方式形成的高速存储平台。这个平台是由4块西部数据 Black 3D NVMe SSD连接到华硕的SSD RAID卡中，两张转接卡插满并组成的8TB RAID系统。原本1TB 西部数据 Black 3D NVMe SSD可以达到连续读取速度为3,400MB/s，写入速度为2,800MB/s，这个8TB的阵列系统读取速度为19GB/s，写入速度为11GB/s的惊人数字。

从入门级到旗舰级SSD，满足用户需求才是王道

金士顿UV500极大提升了系统的响应速度，在启动、程序加载和文件传输速度上的表现也非常优异。UV500支持256比特的AES硬件为基础的加密功能，能够保护用户的重要数据，并支持TCG Opal 2.0。该产品提供三种不同的尺寸和接口（2.5英寸SATA接口、M.2 2280和mSATA）可以满足各种平台的要求。UV500提供120GB、240GB、480GB、960GB和1920GB的容量选项，因此无论作为系统盘还是存储盘都是非常完美的选择。金士顿采用这样灵活的设计，不得不说考虑得很周到。

威刚展台现场屏幕正在测试一款M.2 SSD的性能，我们可以清楚地看到这款产品连续读取速度达到2151MB/s，连续写入速度达到1474MB/s，这样的成绩应对日常工作学习完全没问题。

除了入门级NVMe SSD的选择以外，威刚此次展示重点为全新PCIe SSD及新一代企业级SSD储存解决方案。全新SX8200 PCIe SSD应用最新一代3D NAND Flash，读写速度高达每秒3200/1700 MB/s。领先业界推出新型NGSFF (New Generation Small Form Factor) SSD，可支持更大容量、热插入、双端口配置、电源断电功能，提升服务器应用需求。

同时威刚还推出了支持混合材料应用的PCIe界面U.2 /AIC form factor SSD，高达11TB 储存容量，4K随机效能可达1M IOPS，同时整合自主开发的调整超容量快取功能(scalable over-provisioning) 之软件，让终端客户可依不同大数据服务器应用进行调整，优化SSD使用寿命。

NVMe SSD做盘体的移动硬盘也不逊色

除了在电脑平台上WD G-DRIVE mobile Pro SSD有500GB和1TB两个可选容量，内置NVMe传输协议的SSD作为存储介质，采用Thunderbolt 3技术，能够在不到7分钟的时间内随时随地传输多达1TB的内容，持续传输速率高达2800MB/s，也可以全画面播放和编辑多流8K影像素材，绝对是工作室及创意工作者首选。

另外，在耐用、抗震问题上，WD G-DRIVE mobile Pro SSD提供抗震储存装置，3公尺跌落保护1000磅抗压碎等级，且设计使用精选元件应变出行途中严苛的环境。同时，因为产品内有保护性铝核心有助于防止过热，以维持持续高效能等级，而自订的外壳在使用中时可让硬盘隔热，以避免热量传递到设备外部。5年保固让消费者更安心。

写在最后：NVMe M.2 SSD将全面占领存储市场

从今年台北电脑展存储厂商的新品发布可以充分证明NVMe M.2 SSD占领市场的决心。从入门级到旗舰级，再到工业级选择，都有你能找到的产品，速度层层提高，满足不同用户的使用需求。今年SSD市场价格也在逐渐下调，相信大家很快都能用上属于自己的那一块NVMe M.2 SSD。

小狮子最喜欢的鸡腿分割线

NOR Flash 和 NAND Flash 的区别

参考于《ARM嵌入式系统开发典型模块》一书，仅用于笔记学习，如果侵删

Flash Memory是一种非易失性的存储器。

Flash 按照结构可以分为 nor flash 和 nand flash两大类，两者的读取速率差不多。

NOR flash的特点就是芯片内执行，这样应用程序可以直接在 flash 内存内运行，不必再把代码读到系统 RAM 中。nor flash 的传输效率很高，在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。

鉴于NOR Flash擦写速度慢，成本高等特性，NOR Flash主要应用于小容量、内容更新少的场景，例如PC主板BIOS、路由器系统存储等。

NAND FLASH写入性能好，大容量下成本低。目前，绝大部分手机和平板等移动设备中所使用的eMMC内部的Flash Memory都属于NAND FLASH。PC中的固态硬盘中也是使用NAND FLASH。

NAND flash 结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用nand flash 的困难在于flash 的管理和需要的特殊接口。

总结nor flash 和 nand flash的差别在以下的几个方面

1、容量和成本

nor flash 的容量大小为1MB~32MB ,而nand flash 的为16MB~512MB。nand flash 的单元尺寸几乎是nor flash 的一半，由于生产的过程更为简单，因此价格也是相对低。

2、性能差别

（1）nor flash 的读速度比 nand flash稍快一些

（2）nor flash 的写入速度比 nand flash 慢了很多

（3）nand flash 的4ms擦除速度远比nor flash 的5s 快

（4）nand flash 的擦除单元更小，相应的擦除电路也久更小

3、接口差别

nor flash 的接口和RAM一样，而 nand flash 是使用I/O口来串行地存取数据。

3.1 NOR Flash根据与CPU端接口的不同，可以分为Parallel NOR Flash和SPI NOR FLASH两类。

NAND FLASH 需要通过专门的NFI（NAND FLASH Interface）与Host端进行通信，如下图所示：

4、易用性

使用nor flash 的相对简单，可以非常直接地使用基于 nor flash 地内存，可以像其他存储器那样连接，还可以直接在上面运行代码

而使用 nand flash 的话就复杂了，需要I/O接口，必须先写入驱动程序，才可以继续执行其他的操作。

5、耐用性

在nand flash内存中的每个块的最大擦除写次数是100万次，而nor flash 的擦写次数是10万次。

NAND FLASH根据每个存储单元内存储比特个数的不同，可以分为SLC（Single-LevelCell）、MLC（MulTI-LevelCell）和TLC（Triple-LevelCell）三类。其中，在一个存储单元中，SLC可以存储1个比特，MLC可以存储2个比特，TLC则可以存储3个比特。每一个存储单元内部通过不同的电压等级来表示其所存储的信息。在SLC中，存储单元的电压被分为两个等级，分别表示0和1两个状态，即1个比特；在MLC中，存储单元的电压则被分为4个等级，分别表示00011011四个状态，即2个比特位；同理，在TLC中，存储单元的电压被分为8个等级，存储3个比特信息。

NAND FLASH的单个存储单元存储的比特位越多，读写性能会越差，寿命也越短，但是成本会更低。

6、坏块处理

nand flash 器件中的坏处是随机分布的

nand flash 器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。

7、位交换

所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，nand flash发生的次数要比nor flash多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。

一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用EDC/ECC算法。

这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。

8、主要用途

nor flash常用于保存代码和关键数据。nand flash 用于保存数据。

9、软件支持

当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。

在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，

在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，

NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。

使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。

驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

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NOR Flash 和 NAND Flash 的区别

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