V-NAND到底是个啥？三星970EVO Plus强悍性能的背后

当我们在聊固态硬盘的时候，我们到底在聊些什么？经历了十数年的行业发展后，固态硬盘的技术规范和产品形态上逐步实现了统一，各家产品的差异已然上升到了内部架构和核心组件方面的技术代差上了。

简单剖析，固态硬盘产品的内核无外乎三大组件，用于调控整体存储功能和特殊机制的“大脑”即主控芯片，产品内部制作成本最高、担当存储重任的闪存颗粒，以及部分产品上用于产品支撑的缓存颗粒。

至于重要性而言，一举打破存储行业格局，让固态硬盘走入千家万户的存储介质，即闪存颗粒部分，可以说是区别固态硬盘好坏的最重要的内核组件。今天，笔者就以业界知名的三星970EVO Plus为实例，简单聊下关于闪存颗粒的技术和功能演变。

01 关于NAND闪存：单位电荷数Bit的变迁

NAND闪存，按照业界一般的理解， 本质上是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器，其中非易失性的突出特点，使得这种基于通断电存储的介质能够长久的保存数据，最终使得NAND闪存颗粒走向了前台；其实，熟悉闪存的朋友，可能还听过另一个词，即Dram颗粒，即动态随机存取存储器，同样是基于通断电的特性，只不过DRAM芯片的每次存储数据的过程中需要对于存储信息不停的刷新，无法实现长久存储，因而错过了这次“C位出道”的时机。

三星原厂NAND闪存颗粒

NAND闪存工作的原理是通过单位NAND内部电荷数Bit的通电和放电，实现对数据的存储。基于无机械结构的电荷存储优势，NAND闪存技术能够提供包括高性能、稳定、耐摔耐磕碰、一体成型故障率低等多种特点，迅速成为了各家存储厂商研发的重点。

因而，为了进一步提升NAND闪存容量，满足用户对于大容量存储的需求，在以三星、东芝、Intel等领先的NAND原厂推进下，研发出了不同电荷数Bit的多种NAND颗粒，即为SLC(1bit）、MLC（2bit）、TLC(3bit)、QLC(4bit)以及处于实验阶段即将量产的PLC（5bit）等类型。

不同颗粒类型的bit数分布

可随着单位电荷数Bit的堆叠，带来了两个后果，一是单位电荷Bit的增加对于半导体工艺制程的要求越来越高，从50nm制程一路升级到14/15/16nm制程，半导体制程工艺越来越无法满足更多单位电荷数Bit的堆叠了；二是单位电荷数Bit的堆叠，会在狭小的NAND闪存内部产生大量的干扰电流，严重影响闪存产品的性能和寿命。

02 三星V-NAND技术：从平面到垂直的创新性探索

为了解决单位堆叠的带来的电荷干扰问题以及半导体工艺的瓶颈，三星创新性的提出了在原有制程的基础上将NAND闪存以3D堆叠的形式，封装在NAND闪存之中，一方面解决了在平面的狭小空间内多个电荷数排列产生的电子干扰问题，保证了产品的质量和性能；

全球首款V-NAND技术产品

更为重要的是，解决了工艺制程无法推进容量提升的瓶颈，用3D堆叠替代2D平面排列，让NAND闪存以垂直的形式进行排列，进而提升了总体的容量。

V-NAND和普通2D NAND

朴素的理解就是，此前的NAND闪存就像在单位面积的地基上盖平房，平房的容积是恒定的，要想提升入住人口，只能无下限的降低单位容积率，其后果就是制造工艺和电磁干扰；

而V-NAND技术诞生之后，2D的平房变成了3D垂直的楼房，理论上只要高度不限制，单位面积的地基上的可利用容积几乎等同于无限，即避免了制程工艺的瓶颈又解决了电磁干扰的问题。

01 V-NAND技术是三星970EVO Plus强劲性能的有力支撑

三星V-NAND技术从2013年引入市场，便引发了全行业的关注，从初代的32层（即在单位面积上的堆叠层数）到后续的64层，直到9X层，根据公开消息，三星V-NAND技术或将提升到200+层堆叠，最大限度的提升单位闪存的利用率。

而笔者手中这款三星970EVO Plus便是采用三星全新V-NAND技术研发的旗舰级产品，基于V-NANDND技术在容量和稳定性上巨大优势，搭配着三星自研的Phoenix主控，使得三星970EVO Plus的性能实现了超越。

根据官方提供的数据，三星970EVO Plus最大读取性能达到了3500MB/S，最大写入性能也达到了3300MB/S，几乎达到了消费级固态硬盘的巅峰水准。作为一款推出了数年的旗舰级固态硬盘，在即将踏入存储新纪元的当下，依旧没有任何一款同级别的PCIE3.0固态能够在性能上实现对970EVO Plus的绝对超越。

实测性能

这背后的原因，无外乎三星在V-NAND技术上的近十年的积累，以及在此基础上进行的主控配对和优化。

多说一句，随着PCIE4.0时代的来临，三星也将在新世代推出旗舰级980PRO固态硬盘，进而延续PCIE3.0时代的行业地位，可以预见的是，980PRO固态硬盘依旧会在V-NAND堆叠、主控性能方面实现大跨越的升级，至于三星970EVO Plus则还是会成为PCIE3.0世代下的王者存在。

英睿达首次发布非易失内存：单条32GB 掉电自动备份

Intel、美光联合研发的3DX Point非易失性存储技术正在逐步普及，双方都发布了一些SSD固态硬盘产品(Intel的叫傲腾)，现在两家纷纷将其带到了内存领域。

相比于传统DRAM内存，这种非易失性内存的最大特色一如其名就是断电后不会丢失数据，这对数据中心来说尤其有用，可避免数据意外丢失，更能大大减少维护时间。

而且它依然采用DDR4内存封装样式和针脚布局，完全兼容现有平台。

Intel的非易失性内存条叫傲腾数据中心非易失内存(Optane DC persistent memory)，美光这边则是通过旗下消费级品牌英睿达(Crucial)，发布了首款产品，不过没有特殊名字，就直白地叫做“NVDIMM”(Nonvolatile DIMM)。

英睿达的非易失性内存单条容量达32GB，标准频率2933MHz，通过了JEDEC标准认证。

内存百分百的元器件都经过测试符合任务关键服务器标准，而在系统意外掉电时，它会借助超级电容，将DRAM存中的数据备份到NAND闪存。

虽然是内存条，它还兼容2.5寸硬盘位、全高全长PCI-E AgigA Tech PowerGEM超级电容，最多支持四条NVDIMM内存在掉电时完成备份。

英睿达NVDIMM内存条已经开始供货，有限终身质保。

相关问答

NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备。在不超过4GB的低容量应用中表现得尤为明显,随着人们持续追求功耗更低,重量更轻和性能更佳的产品,NAND被证明极具...

三星第五代V-NAND采用96层堆叠设计,是目前行业纪录,内部集成了超过850亿个3DTLCCTF闪存存储单元,每单元可保存3比特数据,单Die容量达256Gb(32GB)。这些单...

如果不确定操作步骤,最好找专业人士进行操作,以免造成不可逆转的损坏。恢复完成后,你的手机将恢复到出厂设置状态,然后你可以通过恢复备份的方式恢复到刷机...

iPhone的闪存属于NAND型闪存,它是一种非易失性存储器,可以长期保存数据。NAND闪存的主要特点是读取速度快,且可以进行大量的读写操作。这种闪存常用于移动设备...

3DNAND是相较于2DNAND而言的,而2DNAND其实也就是闪存颗粒,又称闪存,是一种非易失性存储器,即在断电的情况下依旧可以保存已经写入的数据,而且是...

实中55°C的关机温度几乎不可能,因为大部分SSD还是在室温环境下使用,温度通常都在30°C以内。活动时的温度通常是40°C左右,系统内其他部件也会产生热量的...

PSV破解新情报闪存内容和游戏卡内容均可备份根据国外黑客博客消息,现在已经有人可以做到对PSV的NAND闪存进行备份了。理论上来说这样让PSV的降级成为可能。...

既然能够提出这种问题,也说明了提问的同志有一定的计算机基础。笔者大部分时间都是在和“软件工程”打交道,并不是非常的了解硬件知识,笔者也非常后悔,后悔很多年...

最新的大气层整合包已经启用隐身模式,如果TF卡根目录不存在exosphere.ini,则需人工在TF卡根目录新建个名为:exosphere.ini的文件,内容如下:[exosphere]deb...

不能玩正版了,首先,玩家在破解之前需要备份NAND,然后在破解之后想要洗白的话需要将内存卡取掉,然后使用NAND来还原系统就可以了。不过不推荐大家在线升级系统...