nand flash固件开发不走弯路：小米路由器3G 刷Padavan固件简单教程

发布时间 : 2025-03-16

作者 : 小编

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不走弯路：小米路由器3G 刷Padavan固件简单教程

前言-序：

文件内容大部分来在网络，网上也有很多类似的教程，而我在刷R3G过程中遇到了很多问题，经过不段的尝试，整理出一篇能少走弯路的刷机教程，希望能帮到你。PS：因为已经刷完机了，图片很少，可参考其它教程的图片。

小米路由器3G参数：（简称R3G）

处理器：MT7621A MIPS双核880MHz

ROM：128MB SLC Nand Flash

内存：256MB DDR3-1200

2.4G WiFi：2X2（最高速率可达300Mbps）

5G WiFi：2X2（最高速率可达867Mbps）

天线：2.4G最大增益5dBi 2根， 5G最大增益6dBi 2根

1个USB 3.0接口（DC output：5V/1A）默认2.0，需要在APP里开启3.0

2个10/100/1000M自适应LAN口（Auto MDI/MDIX）

1个10/100/1000M自适应WAN口（Auto MDI/MDIX）

为用户选小米路由器3G，因为穷啊,华硕，网件等高端的买不起。主要还是看个人需求吧。

我目前在用的R1D（主路由）, R2D（主路由）,小米Mini（中继），C301(360初代），还有些杂七杂八的，都是DD、Tomato时代的产物了。

R1D（一代硬盘版）无线信号一般，功能一般，胜在有硬盘，可以多平台手机，盒子，电脑间共享文件，手机备份照片，还是挺方便的。R2D比R1D能好一些吧，目前都安装了Misstar Tools 3.0，目前只安装了二个插件，性能还算过得去，能应付日常使用。追求完善的我才打算刷Padavan固件，但是放弃了APP远程管理。

MINI原系统当中继使用，卡的让你怀疑人生。我打算近期把mini也刷三方固件，如果大家需要到时候我再写个刷机教程

言归正传:

一、刷机前准备工作：

1.开发版ROM miwifi_r3g_2.25.124

链接:https://pan.baidu.com/s/1JhSUcn9ARkbF6Sji46LN9w 密码:r561

2.官网miwifi_ssh.bin文件用于ROOT 直接在小米官网下载对应的文件https://d.miwifi.com/rom

3.breed刷不死启动文件 breed-mt7621-xiaomi-r3g.bin

链接:https://pan.baidu.com/s/1YZKHbwjrH3VGQ_l9wk-TnQ 密码:wpti

4.Padavan H大固件 MI-R3G_3.4.3.9-099.trx （8.16更新）

链接:https://pan.baidu.com/s/1Acjg8fXEE67zMKFD1rAMmQ 密码:5upr

5、电脑一台（有网口，可接网线）

二、刷路由器固件前需要备份的文件，以防万一

1、eeprom.bin 在breed里刷机前备份

2、full.bin 在breed里刷机前备份

3、Bootloader.bin 原厂启动文件

链接:https://pan.baidu.com/s/1cFeFoEWGGst-3TcvEUQwhA 密码:17oy

三、小米路由器ROOT使用方法：

1.小米路由器需升级到开发版

2.请将下载的工具包bin文件复制到U盘（FAT/FAT32格式）的根目录下，保证文件名为miwifi_ssh.bin

3.断开小米路由器的电源，将U盘插入USB接口

4.按住reset按钮之后重新接入电源，指示灯变为黄色闪烁状态即可松开reset键

(注意这里要注意，R1D基本上5秒内就闪烁了，这个R3G让我等了15秒中，我尝试了多次才发现）

5.等待3-5秒后安装完成之后，小米路由器会自动重启，之后您就可以尽情折腾啦

四、刷入Breed (不死UBOOT）

Breed说白了就是一个启动文件，有他就可以刷不同的ROM, 不用担心刷机成砖无法启动的问题，因此首先刷入该文件。

1、刷入breed，通过WINSCP与路由连接，路由器默认地址为196.168.31.1，登录名root，密码为刚才ssh工具官网中所给的密码

2、登陆成功后，将breed-mt7621-xiaomi-r3g.bin改名为breed.bin，将文件拖入根目录下的tmp文件夹，然后在WINSCP中选择【命令】-【打开终端】

输入指令mtd -r write /tmp/breed.bin Bootloader

3、刷完Breed后，路由器会自动重启

4、手动设置电网固定IP：192.168.1.2 、子网掩码:255.255.255.0 、网关:192.168.1.1

5、电脑用网络与路由器的WAN 口连接

6、路由器断电，按住reset键通电，等路由器指示灯闪烁时，松开reset键

7、在电脑上用浏览器输入192.168.1.1 就可以进入breed控制台web界面了

breed web恢复控制台

五、备份文件

在breed恢复控制台中选择固件备份，把能备份的都备份了，以防万一

六、刷入固件

注意：刷固件前要在breed恢复控制台中-小米R3G设备里删除【normal_firmware_md5】值，然后点最下面的保存（删除前记得备份数值），如果不删除刷完固件无法正常启动，我尝试过好多固件都不行，删除后立刻就启动了，有大神说删除后会有什么影响，反正数值备份了，大不了添加回来呗

1、选择固件更新，勾选【固件】，选择上传本地准备好的最新的padavan固件MI-R3G_3.4.3.9-099.trx

2、刷机成功后路由器会重启，电脑IP改成自动获取

3、使用浏览器登录路由器后台即可。

默认的路由器地址192.168.123.1

默认用户名admin, 密码admin

默认WIFI名称: PDCN 和PDCN_5G

默认WIFI密码：1234567890

运行状态

注意：设置路由器账号我遇到一个问题，一开始设置了PPPOE账号后一直无法连接成功，后来我在WAN口里改了连接速率为1000Mbps，就可以了。

最后提醒大家，刷机有风险，刷后很happy。

浅谈3D-NAND、QLC和SCM介质技术和新产品

Hardy 架构师技术联盟

NAND Flash技术的发展完全沿着技术演进、商业价值和需求匹配的车辙在不断行驶。诸如SRAM，DRAM，EEPROM等 产品和技术。在每个存储器单元存储一位的二进制数据的NAND Flash 技术被称为单级单元(SLC)。但是由于SLC在容量和价格等原因，促使MLC、eMLC及TLC这三种闪存颗粒 迅速发展起来，关于Flash颗粒介绍请参考文章“闪存技术最全面解析”。

NAND Flash在应用普及和全面替换HDD遇到最直接的一个问题还是价格，从SLC、MLC到TLC一直才寻求价格的平衡点，尽管TLC能够解决SSD容量瓶颈，却还是不能完全解决SSD价格的难题。大容量SSD仍旧昂贵，小容量SSD+大容量便宜HDD的混合存储解决方案也层出不穷，但在体验上终究没有单纯大容量SSD来得好。目前来看，TLC还是相对来说在性能和价格方面平衡不错的方案，再说随着容量的增加、技术的改善，TLC闪存的擦写次数逐渐等到优化，也并没有想象中那么容易失效。

结合实际应用发现，SSD在处理数据写入时，每次都写到新的物理地址，从而使得所有的闪存物理空间被均匀使用。假设一块600GB的SSD，其闪存介质写次数为1万次，那么该SSD可以写入的数据总量达到6PB(600GB*10000)；在实际企业级环境中的硬盘，整个生命周期的写入数据总量远小于200TB，这意味着这块600GB的SSD使用10年以上。

技术永远无法脱离实际应用，TLC颗粒在3D-NAND Flash的产品应用非常广泛，先后出现了32，64，72，96层的基于TLC的3D NAND Flash产品 ，起初这些TLC产品只要应用在消费级产品，但目前很多存储厂商已经把TLC颗粒引入企业级存储产品。下面我们看看主流3D-NAND Flash厂商(三星、东芝、WD和SK Hynix 四大厂商)的新产品和动态。

东芝(Toshiba)携手SanDisk 研发出全球首款采用堆栈 96 层制程技术的TLC 3D NAND Flash 产品，且已完成产品试作。该款堆栈 96 层的 3D NAND试制品单颗芯片容量为 256Gb(32GB)，预计于 2017 年下半年送样、2018 年开始进行量产，主要用来抢攻数据中心用 SSD和PC桌面SSD等市场。

三星在 3D NAND Flash一直处于领先地位，在去年就发布64 层 3D NAND 。但前不久SK Hynix 推出第四代 72 层的 3D NAND 进入量产，主要用于行动设备，并已交货给客户。韩国对3D NAND Flash技术和市场的控制力是不容忽视的。

Intel发布了新一代SATA SSD 545s产品 ，采用64层堆叠闪存的SSD取代去年的SSD 540s，当时Intel自己的3D堆叠闪存技术还不成熟，所以采用了SK海力士的16nm TLC和慧荣主控SM2258。SSD 545s采用的是Intel第二代3D TLC闪存颗粒(Intel的第一代3D闪存是32层堆叠)，64层堆叠设计，具有浮动栅极存储单元，单颗容量256Gb(32GB)。SSD 545s的主控采用了升级版慧荣主控SM2259，加入了对端到端数据保护和ECC的支持(主控SRAM和外部DRAM均有)，同时搭配Intel定制固件 。支持每天0.3次全盘写入，终生写入量288TB。

为了延长SSD磨损寿命，多数厂商提供容量超配 。例如一块100GB容量的SSD，其内部的闪存颗粒的物理容量是大于100GB，企业级SSD一般可以达到128G或者更多，超出的那部分就被称为冗余。或者采用较好的部件，如更好的颗粒、更好的控制芯片 ，提供强力的LDPC纠错算法等 ，但是SSD寿命并非单纯取决于闪存的类型，而是多个因素综合作用的结果。

闪存介质中，保存数据的基本单元被称为Cell。每个Cell通过注入、释放电子来记录不同的数据。电子在Cell中进出，会对Cell产生磨损；随着磨损程度的增加 ，Cell中的电子出现逃逸的概率会不断增加，进而导致Cell所保存的数据出现跳变。例如某个Cell最开始保存的二进制数据是10，一段时间后再读取该Cell，二进制数据可能就变成了11。因为闪存中保存的数据有一定的概率出现跳变，因此需要配合ECC算法(Error Correcting Code)来使用，SSD内部需要有ECC引擎进行数据检错和纠错 。

写入SSD颗粒数据时，ECC引擎基于原始数据计算出冗余数据，并将原始数据和冗余数据同时保存 。从SSD读取数据时，原始数据和冗余数据一并被读出，并通过ECC引擎检查错误并纠正错误，最终得到正确的原始数据。

闪存所保存的数据出现跳变的数量，随着擦写次数的增加而增加 。当擦写次数达到一定的阈值后，闪存中保存的数据出现跳变的数量会增大到ECC引擎无法纠正的程度，进而导致数据无法被读出。这个阈值就是闪存的最大擦写次数 。

在SSD领域，当前标准的ECC算法是BCH算法(以三位作者的名字首字母命名)，可以满足绝大多数SSD的纠错需求。大多数产品中，闪存介质所宣称的最大擦写次数，就是基于BCH算法来给出 的，但是BCH算法的纠错数据位比较有限，所以目前纠错能力更强的算法也被应用，如LDPC(Low Density Parity Check Code) 是一个纠错能力很强的算法，可以纠正更多的数据跳变。

SLC、MLC及TLC这三种闪存芯片，大家都很清楚，但接下来QLC闪存芯片要开启它的逆袭之路，而东芝和西数已经率先做出表率 ，目前主要针对智能型手机(如iPhone等)、平板计算机和记忆卡市场。

东芝今后也计划推出采用堆栈 96 层制程技术的 512Gb(64GB)3D NAND 产品以及采用全球首见的QLC(Quad-Level Cell)技术的 3D NAND 产品 。该款QLC试作品为采用堆栈 64 层制程技术，实现业界最大容量的 768Gb(96GB)产品，已经提供给 SSD 厂、控制器厂进行研发使用。

西数全球首发了96层堆栈的3D NAND闪存，其使用的是新一代BiCS 4技术(预计下半年出样，2018年开始量产)，除了TLC类型外，其还会支持QLC ，这个意义是重大的。西数已经用实际行动表明会支持QLC，而接下来三星、Intel、SK Hynix等厂商也势必会跟进(目前还没有正式公布QLC的进展)，为何厂商会跟进可靠性、寿命比TLC还差的QLC 。

目前来看，QLC闪存单位存储密度是TLC的2倍，单颗芯片可达到256GB甚至512GB。但是QLC闪存的电压更难控制，写入速度更低，可靠、稳定性及寿命比TLC更差。个人觉得主要的原因是成本和闪存对寿命SSD的不断优化，随着SSD控制对QLC技术优化，也有理由相信QLC跟TLC走同样的路，也有可能被用在企业产品 。

从长远来看，能不能将SSD的价格拉下来，我个人对QLC是寄予厚望的，但具体时间目前却无法预知，从TLC到QLC的技术过度 需要时间，需要双倍的精度才能确保足够高的稳定性、寿命和性能。如果参考TLC的历程，价格优势更难在短期内体现出来，QLC大批量上市并且明显带动降价节奏的时间也是我所期待的。

对于存储介质的未来除了NAND Flash外，还要有很多技术值得期待。 SCM( Storage -Class-Memory)产品已经出现在大众视野 ，如美光、英特尔自2016年开始量产的3D-Xpoint ，威腾、东芝合作开发的3D-ReRAM 。SCM的读写速度是3D-NAND的千倍，但在产品测试结果显示只有几十倍，这也说明SCM在读写性能上还有较大的提升空间值得期待。然而3D-NAND+类DRAM混合型的4D-NAND集前端高速度DRAM和后端低价大容量的3D-NAND于一身，也将会在容量和性能中找到一个很好的折中点。

不走弯路：小米路由器3G 刷Padavan固件简单教程

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言归正传:

最后提醒大家，刷机有风险，刷后很happy。

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