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nand 堆栈铠侠目标2031年推出1000层NAND闪存，重组存储级内存业务

发布时间 : 2024-11-24

作者 : 小编

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铠侠目标2031年推出1000层NAND闪存，重组存储级内存业务

IT之家 4 月 7 日消息，据日经 xTECH 报道，铠侠 CTO 宫岛英史在近日举办的第 71 届日本应用物理学会春季学术演讲会上表示该企业目标 2030~2031 年推出 1000 层的 3D NAND 闪存，并对存储级内存（SCM）业务进行了重组。

铠侠与西部数据携手开发 NAND 闪存技术，目前这对合作伙伴最先进的产品是 218 层堆叠的 BICS8 3D 闪存。BICS8 闪存可实现 3200MT/s的 I / O 速率。

另一家主要 NAND 企业三星在 2022 年的技术日上提出了类似的观点，当时三星预测到 2030 年实现 1000+ 层堆叠的 3D NAND 闪存。

提升堆叠层数是提升单颗 3D NAND 闪存颗粒容量的主要途径。然而在层数提升的过程中，在闪存颗粒中蚀刻垂直通道的难度随着深宽比的增高逐渐加大。

除高难度和低良率外，高深宽比蚀刻也是一项耗时耗财的工艺：目前每次这种蚀刻约需要 1 小时，NAND 原厂若想提升产能，则必须购进更多的蚀刻机台。

因此铠侠在 BICS8 中使用了双堆栈工艺，分开实现两个 NAND 堆栈的垂直通道蚀刻。

此举虽然额外增添了在双堆栈间通道的麻烦，但整体而言还是降低了难度。未来千层堆叠 NAND 闪存有望包含更多个 NAND 堆栈。

此外宫岛英史还表示，相较于同时运营 NAND 和 DRAM 的竞争对手，铠侠在业务丰富程度上面处于竞争劣势，因此有必要培育存储级内存（SCM）等新型存储产品业务。

这位 CTO 称，在 AI 热潮下，DRAM 同 NAND 之间的性能差距正在拉大，而 SCM 可填补这一空白。

铠侠于 4 月 1 日将此前的“存储器技术研究实验室”重组为“先进技术研究实验室”。其 SCM 研究将集中在 MRAM、FeRAM、ReRAM 等新型内存上，有望于 2~3 年内出货。

参考IT之家报道，铠侠之前在 SCM 领域主要聚焦 XL-FLASH 闪存方案。该企业于 2022 年推出了可支持 MLC 模式的第二代 XL-FLASH。

IT之家 8 月 18 日消息，据 DigiTimes 报道，三星电子计划明年生产第 9 代 V-NAND 闪存，将沿用双层堆栈架构，超过 300 层。

报道称，这将使三星的进度超过 SK 海力士 —— 后者计划 2025 年上半年量产三层堆栈架构的 321 层 NAND 闪存。早在 2020 年，三星就已首次引入双层堆栈架构，生产第 7 代 V-NAND 闪存芯片。

▲ 图源三星

IT之家注：双层堆栈架构指在 300mm 晶圆上生产一个 3D NAND 堆栈，然后在第一个堆栈的基础上建立另一个堆栈 。

而三星即将生产的超 300 层第 9 代 V-NAND 将提高单个晶圆上生产的存储密度，这将有利于降低固态硬盘的成本。

作为竞争对手，SK 海力士的三层堆栈架构则是创建三组不同的 3D NAND 层 ，而这种做法将增加生产步骤和原材料的用量，目的是最大限度提高产量。

另据《首尔经济日报》报道，业界认为三星在推出第 9 代 3D NAND 之后，将有望在第 10 代 430 层的 3D NAND 中采取三层堆栈架构。该报援引业内人士称，若 3D NAND 层数超过 400，原材料用量和晶圆成本也会水涨船高，同时也会保证产量。

在去年 10 月举行的“2022 三星科技日”上，三星曾提出长期愿景：2030 年将层数提升至 1000 层 。