三星宣布量产第8代236层V-NAND闪存：业界最高位密度，IO速率达24Gbps

三星宣布，已开始批量生产采用第8代V-NAND技术的产品，为1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，达到了236层，相比第7代V-NAND技术的176层有了大幅度的提高。三星称，新的闪存芯片提供了迄今为止业界内最高的位密度，可在下一代企业服务器系统中实现更大的存储空间。

第8代V-NAND闪存基于最新NAND闪存标准的Toggle DDR 5.0接口，I/O速率达到了2.4 Gbps，比上一代产品提高了1.2倍，这使得新款闪存芯片能够满足PCIe 4.0及下一代PCIe 5.0产品的性能要求。三星表示，第8代V-NAND闪存有望成为存储配置的基石，不但有助于扩展下一代企业服务器的存储容量，而且还能扩展到对可靠性要求较高的汽车市场。

今年5月份，美光宣布推出232层的3D TLC NAND闪存，并准备在2022年末开始生产，计划用在包括固态硬盘在内的各种产品上。该款芯片采用了CuA架构，使用了NAND的字符串堆叠技术，初始容量同为1Tb。到了8月份，SK海力士宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存，同时已向合作伙伴发送512Gb TLC 4D NAND闪存的样品，并计划在2023年上半年正式投入量产。

目前NAND闪存市场里，三星的市场份额是最高的，到达了35%。随着采用第8代V-NAND技术的产品引入，三星在层数上已追上SK海力士和美光，以确保市场上的竞争优势。

号称存储器10年最大进展，1Tb V-NAND和全新SSD标准来袭

韩联社首尔8月9日报道，三星电子当地时间8日参加美国加州圣克拉拉会展中心举行的“2017闪存峰会（FMS，Flash Memory Summit 2017）”，并在展会上首次公开了容量高达1Tb（terabit）的3D NAND，预计明年上市。

Pulse、ZDNet、韩联社报导，三星研发 1Tb 的 V-NAND 芯片（即垂直堆叠的 3D NAND），容量是当前最大存储器 512Gb（gigabit）的两倍。三星将结合 16 个 1Tb 的 die，构成一组 V-NAND 组，每组存储器容量可达 2TB（terabyte），并且继续减小体积。

三星宣称，该技术是过去 10 年来存储器的最大进展之一。

三星电子1Tb 3D-NAND（source：韩联社）

1Tb 相当于 126GB，能够储存 60 部两小时的高画质电影。三星表示，许多产业发展人工智能和物联网，数据密集的应用程序大增，Flash 存储器扮演关键角色，可以加快资料抽取速度，以供即时分析。

不只如此，三星也秀出新的固态硬盘（SSD）标准NGSFF（Next Generation Small Form Factor SSD），将取代当前的 M.2 2242（NGFF） SSD 规格。三星表示 NGSFF 容量为前代的 4 倍，结合最新V-NAND还能缩小版型体积，这将最大限度地提高服务器存储数据容量，将于今年第四季量产。

其中单面16TB的样品三围是30.5mm x 110mm x 4.38mm，当然这是极大值的情况。（source：PCPER）

按照三星的演示，典型的服务器可以塞入36张单面16TB NGSFF SSD，总存储容量达到576TB。（source：PCPER）

当然，相较技术、容量本身的进步，用户可能关注闪存第一厂何时能够释放更大的产能把SSD的价格降回去吧。（source：PCPER）

三星 2016 年发布 Z-SSD和Key Value SSD 技术，现在首度发布采用此一技术的 SZ985 固态硬盘，宣称可用于数据中心和企业系统，处理大数据分析等数据密集作业。Z-SSD 读取延迟时间为 15 微秒，大约是 NVME 固态硬盘的七分之一。Key Value SSD可让多种数据无需转换便可直接存储。

本文综合自moneyDJ、韩联社、PCPER报道

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