长江存储闪存芯片已打入苹果供应链？回应：不予置评

【文/观察者网 吕栋 编辑/周远方】

3月29日，台湾媒体《科技新报》曝出，中国大陆闪存芯片厂商长江存储今年正式打入苹果iPhone供应链。该报道还称，从出货时间来看，长江存储应该是为刚刚发布的新款iPhone SE供货。

《科技新报》报道截图

随后观察者网就此事联系长江存储，该公司相关人士回复称：不予置评。

CINNO Research 半导体事业部总经理Elvis Hsu告诉观察者网，苹果手机闪存现在的主要供应商为韩国SK海力士和日本铠侠。如果长江存储能够打入苹果供应链，则意味着中国闪存技术的发展已经受到国际上的认可与肯定。2022年，将是长江存储代表中国闪存技术突破并站上国际高端产品供应链的元年。

长江存储武汉厂区 拍摄/观察者网 吕栋

有外媒称苹果还在评估

观察者网注意到，在《科技新报》之外，国外科技媒体Light Reading也在关注长江存储打入苹果供应链一事。不过该报道3月28日援引瑞信的报告称，苹果目前还在评估长江存储的产品，通过后可能为即将上市的iPhone14提供闪存芯片。

“据我们所知，苹果自2021年以来一直在努力改变其开发的NAND控制器的设计，以支持长江存储的产品，”瑞信的报告称，“然而控制器IC设计已被推迟，虽然目前还不清楚是否会采用长江存储，但我们预计苹果将在未来1-2个月内决定。”

Light Reading报道截图

闪存是一种非易失性存储器，即断电数据也不会丢失，因此也是最常见的存储芯片。用最通俗易懂的话来说，手机参数8G+128G中的128G指的就是闪存容量，电脑中的固态硬盘（SSD）也会用到闪存芯片。

由于三星、铠侠、SK海力士、西部数据、美光等企业长期在闪存市场占据主导地位，苹果之前也都是从这些美日韩厂商采购闪存产品。但长江存储的出现，让这个高度集中的市场出现一个中国大陆玩家。长江存储成立于2016年7月，总部位于武汉，是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业。

观察者网注意到，日媒《日经亚洲》早在2018年2月就曾报道过苹果和长江存储洽谈合作一事。当时的报道称，由于长江存储的闪存尚未量产，该公司可能要在2020年之后才能生产出符合苹果要求的产品，“苹果与长江存储的交易将是中国科技发展的里程碑”。

但观察者网专栏作者铁流彼时撰文解读称，这场谈判更像是苹果的公关和宣传。他认为，在技术水平和产品成本相对于国外巨头都存在差距的情况下，像苹果这样非常商业化的公司未必会牺牲自己的利益扶持中国存储芯片厂商。但他也提到，在长江存储达到国外企业的水平后，苹果向其采购闪存芯片并非完全没有可能。

随着四年时间过去，长江存储不仅实现中国首款64层3D NAND闪存量产，还在2020年跳级推出128层TLC/QLC两款产品。2021年7月，有业内人士告诉观察者网，长江存储128层TLC闪存已量产，并且其首创Xtacking技术，不存在专利风险。

图源：CFM闪存市场

CINNO Research半导体事业部总经理Elvis Hsu向观察者网分析指出，长江存储以其自研的闪存技术在2018年正式推出了Xtacking架构3D闪存32层堆叠，仅用三年时间就研发出128层堆叠的3D QLC NAND闪存芯片，效率相当高。

“与三星（V-NAND）、美光（CTF CuA）和SK海力士（4D PUC）现有的128层堆叠512Gb 3D TLC NAND闪存产品相比，长江存储裸片尺寸更小，这使得它拥有最高密度。乐观期待长江存储继续研发196-200层以上的技术超越日韩的技术发展，同时尽快完成产能的扩充以取得更多市场份额。”Elvis Hsu表示。

2020年11月，观察者网曾独家报道，长江存储CEO杨士宁在一场公开活动上透露，该公司用3年时间实现从32层到64层再到128层的跨越，这是国际厂商6年时间才走完的路，并且该公司产品已经打入国内某知名手机厂商的供应链。杨士宁还形容这是“出道即巅峰”。

不过与三星等闪存龙头相比，长江存储作为后来者无论是技术和产能仍存在差距。在技术方面，三星已在布局200层以上产品，美光和铠侠等也已在过去一年多推出176层和162层等产品。在市场份额上，TrendForce集邦咨询数据显示，截至2021年四季度，国外前六大NAND闪存厂商仍占据着96%的市场份额。

图源：TrendForce集邦咨询

“制裁对美国企业来说是灾难”

尽管在规模上尚无法与国际巨头相提并论，但长江存储成立以来的进展不仅引起了苹果公司的注意，也吸引了美国政客的目光。Light Reading报道称，美国鹰派一直在推动将长江存储纳入出口管制，因为其产能扩张对美国企业构成了潜在的低成本威胁。白宫曾预估，长江存储2022年将达到英特尔闪存产能的两倍。

而长江存储之前曾在一份公告中称，该公司自成立以来，始终秉承守法合规的经营理念。在国内外各项业务中，长江存储严格遵守所在地法律法规，所提供的产品与服务均为面向商用及民用市场。

2021年底，丹麦咨询公司Strand Consult的罗斯林•莱顿（Roslyn Layton）在《福布斯》杂志撰文指出，尽管美国鹰派政客竭力游说，但许多美国半导体设备制造商正在与长江存储的合作中获得“可观收入”。这一利益纠葛的存在，似乎让美国政府不得不三思后行。

总部位于美国加州的半导体设备厂商应用材料公司（Applied Materials)，是莱顿提到的公司之一。在提交给美国证券交易委员会（SEC）的文件中，应用材料披露，中国大陆是该公司2021年最大的收入来源地，贡献了该公司三分之一的收入，约75亿美元。同样位于加州的泛林半导体情况类似，该公司去年在中国大陆的销售额约为51亿美元，占总销售额的35%，而2019年仅为22%。

应用材料公司 图源：Electronic Design

Light Reading评论称，美国商务部如果进一步实施制裁，对依赖中国大陆市场的美国企业来说将是一场灾难（a disaster）。在美国商务部没有明确禁令的情况下，苹果使用长江存储的芯片不会遇到法律障碍。

多供应商一直是苹果的重要策略。今年2月，苹果闪存供应商之一的日本铠侠遭遇材料污染事故，使其3D NAND闪存产量至少减少6.5EB（约合70亿GB）。在此背景下，TrendForce集邦咨询研究显示，随着市场整体供给明显下修，今年第二季度NAND Flash的价格将翻涨5-10%。

数据来源：TrendForce集邦咨询

这种情况可能也是苹果考虑长江存储的原因之一。芯谋研究分析总监宋长庚向观察者网分析指出，自长江存储成立以来，依次推出32层、64层和128层等3D NAND闪存产品，预计下一代产品也已经在路上。产品稳步迭代，可以算是“小步快跑”。最近NAND存储器处于供不应求的状态，终端公司也乐见多一个供应商，以提升供应链的健壮性。

除此之外，中国市场2021年为苹果贡献营收680亿美元，同比增长70%，是该公司增长最快的市场，选用中国生产的零部件对品牌形象的帮助，或许也是苹果在意的因素。Light Reading评论称，“任何对苹果生意的威胁都会被严肃对待。”

本文系观察者网独家稿件，未经授权，不得转载。

长江存储发力128层3D NAND 存储器市场国产化加速

作者：鲁臻

作为半导体产业链的重要一环，存储器拥有半导体产业最大的细分市场。

根据WSTS的数据，2019年全球存储器市场规模达1059.07亿美元，占全球半导体市场份额为25.89％。目前中国半导体产业链各环节发展并不平衡，在存储器细分市场，随着长江存储、合肥长鑫等国产品牌不断突破，其进口替代正在推进。

长江存储发布128层QLC 3D NAND闪存 有望参与国际市场竞争

4月13日，市场期待已久的国产128层QLC 3D NAND闪存（型号：X2-6070）被紫光集团旗下的长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）研发成功。长江存储表示，该产品拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量，并已经在已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。同时，长江存储还发布了128层512Gb TLC（3bit/cell）规格闪存芯片（型号：X2-9060），以满足不同应用场景的需求。

作为国产存储龙头，长江存储成立于 2016 年 7 月，是一家专注于 3D NAND 闪存设计制造一体化的IDM 集成电路企业，同时也提供完整的存储器解决方案，产品广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等领域。

2019 年初长江存储实现 32 层 3D NAND 的量产。其首创了 Xtacking 技术，使用该技术顺利研发出64层3D NAND，并于2019年9月量产256Gb（32GB）TLC 3D NAND。鉴于国际领先的厂商已拥有100层以上的技术，因此，长江存储宣布跳过业界常见的96层，直接研发128层3D NAND。时隔7个月之后，4月13日，长江存储成功研发128层QLC 3D NAND闪存。3年时间，长江存储实现32层到64层再到128层的跨越，追上日韩美存储厂商的先进水平，令人瞩目。

存储器市场诊断书：寡头垄断格局短期仍难打破

存储方式按照其原理可大致分为光学存储、半导体存储和磁性存储。半导体存储是存储领域中应用领域最广、市场规模最大的存储器件。而在众多半导体存储器中，市场规模最大的是（Dynamic Random Access Memory，即动态随机存取存储器）和NAND Flash（数据型闪存芯片），这两种产品占存储器市场的比重合计达到96％。

制图：金融界上市公司研究院 数据来源：国元证券、公开资料整理

具体来看，DRAM是存储器市场规模最大的芯片，其主要应用于计算机、手机的运行数据保存以及与CPU直接通讯。根据DRAMeXchange数据统计，2019年全球DRAM市场规模为622亿美元，其中三星、海力士和美光的份额分别为44.5％、29.1％和21.5％，合计占比为95％，在过去3年中，三者合计的份额占比均在95％以上。

从技术上来看，目前市场上DRAM的应用较为广泛的制程是2Xnm（26-29nm级别）和1Xnm（16-19nm级别），而三星、美光、海力士等巨头厂商均已开发出1Znm（12~14nm级别）制程的DRAM。国产DRAM厂商合肥长鑫现已量产的DRAM为19nm制程，预计2021年可投产17nm DRAM，均为1Xnm，技术与国际先进的厂商还有较大的差距，国产厂商的成长之路还较为漫长。

寡头垄断的格局使得中国企业对DRAM芯片议价能力较低，也使得DRAM芯片成为我国受外部制约最严重的基础产品之一。

NAND Flash是市场规模仅次于DRAM的存储芯片。目前NAND Flash主要应用在手机和SSD（固态硬盘）上，其占比分别为48％和43％，因此该两类产品的出货量则会直接影响NAND Flash的需求。

根据DRAMe Xchange数据，2019年全球NAND Flash市场规模为460亿美元，其中前五大厂商三星、铠侠（东芝）、WDC（闪迪）、海力士和美光的市场份额分别为33.5％、18.9％、14.3％、13.5％和9.7％，合计占比达到89.90％。

从制程方面来看，由于物理结构上NAND不需要制作电容器，自2015年制程推进遇到障碍时，制程工艺相对简单的3D堆叠技术成为新的发展方向。Yole数据显示，全球3D NAND Flash的产量已于2017年4季度超过2D。目前3D技术正在稳步推进中，未来的发展方向就是层数的继续堆叠。

根据国元证券数据，目前市场上的主流3D NAND产品为64层，但国际领先的厂商目前都已拥有100层以上的技术。

其中，2019年6月，海力士宣布成功研发并量产128层堆叠的4D NAND闪存芯片；8月，三星电子宣布实现第六代超过100层的3D NAND闪存量产；10月，美光也宣布第一批第四代3D NAND存储芯片流片已经出样，并预计2020年美光第四代3D NAND闪存将开始商用。

而从国内市场来看，国产厂商长江存储于4月13月突破100层技术，研发成功了128层QLC 3D NAND闪存（型号：X2-6070），达到国际领先水平。据从长江存储了解到的消息称，该产品最晚将于2021年上半年开始量产，未来将在满产时实现10万片月产能。

附：国内外存储器细分领域龙头企业一览

制表：金融界上市公司研究院 数据来源：巨灵财经、国元证券、各公司公告

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