废旧手机芯片变废为宝，闪存芯片巧变大容量U盘，盒子芯片同理

序言

前几天网友发来几台闲置盒子，帮其刷为全网通盒子，实现免费看电视，及观看网络影视目的。其中有一台盒子开不了机（俗称砖机），留在这里让我研究。目前的思路是用读卡器直接写入固件备份，修复盒子。

盒子主板分析

网络机顶盒拆机后，里面就一张主板，上面主要部件有cpu处理器，内存，闪存以及WiFi无线芯片。处理器性能高低直接决定了盒子解码能力，是机顶盒档次主要决定因素。内存一般大小为1G，多为两片或四片构成，也有极少数是3片构成。

网络机顶盒的所有程序都存在闪存芯片中，闪存有nand或emmc两种封装形式，常见的是emmc封装的，这种封装的芯片看不到针脚，多为贴片组装在主板上。emmc体积小，读写速度较快，使用较多。

闪存分析

上面的盒子已经无法启动，主板上闪存是emmc封装形式，从芯片上面的可以看到生产商是SK hynix ，芯片型号是H26M41204HPR。查询相关资料得知，这个芯片是FBGA封装形式，具体看是BGA153封装，容量大小8G。

机顶盒或手机上面的emmc闪存颗粒实际是集成了控制器的闪存芯片，只要找到数据针脚，就可以通过普通的TF卡读卡器来进行读写。这样废旧手机上面的这个emmc芯片就可以连接到读卡器上变成大容量U盘。

BGA153封装emmc针脚定义

了解了emmc闪存芯片的封装格式，还需要查询详细的针脚定义，找到数据读写关键针脚。下图是通过查询，得到的BGA153封装的emmc闪存芯片颗粒，具体针脚。除BGA153外，还有BGA162，BGA169等封装形式，后面的数字表示具体针脚数目。

当手机损坏后恢复数据就是用这种方法，用风枪把emmc吹下来，然后飞线的方式连接sd卡套或tf卡读卡器，插到电脑后能被识别为内存卡从而恢复数据，当然也可以直接通过EMMC编程器直接读写数据。

读写EMMC具体方法

用tf读卡器读写emmc需要下面的针脚CLK CMD GND VCC DAT2 DAT1 DAT0 DAT3共8个，对应针脚从芯片中找到，然后焊接到tf读卡器的对应针脚上即可，下图是SD大卡的针脚定义，也可以emmc转接SD卡读卡器。

这样就可以把废旧手机或机顶盒上面的闪存芯片变成一个普通的U盘了，实现了废物利用，提升了价值。以后再也不用换脸盆、换不锈钢盆子了。这样，无论是废旧手机上的emmc颗粒，还是网络盒子上面的emmc闪存，都可以焊接到读卡器上变成一个普通的U盘，华丽变身巧妙变成大容量U盘。

综上，以上只是基于理论分析，大部分人是没有专业工具来拆卸emmc颗粒的。至少，我们知道相关知识，废旧手机里面的数据通过这种途径是可以恢复的，恢复出厂是不管用的。技术有两面性，可以以此修复手机或机顶盒，有可能泄露数据。建议废旧手机不要随便丢或者换脸盆了。

NAND闪存穷途末路 下一代闪存技术百花齐放

由于闪存技术的发展，闪存正从U盘、MP3走向电脑、存储阵列等更广泛的领域。虽然其速度较以往的机械硬盘有了较大幅度的提升，但纵观整个计算架构，闪存仍旧是计算系统中比较慢的部分。况且目前主流的MLC和TLC在写入寿命上都还不尽如人意，并且随着工艺水平的提升，其寿命和良率还有越来越糟的倾向。闪存生产线已经达到15nm的水平，存储密度难在攀升、寿命却大幅下降。所以业界各个巨头都在积极研究下一代非易失性存储技术。

日前，镁光在IEEE IEDM 2014(国际电子设备大会)上就公布了其最新的可变电阻式存储（ReRAM）技术的最新进展。美光在大会上展出了其最新的27nm RAM颗粒，颗粒容量16Gb（2GB），核心面积168平方毫米，采用3层铜互连技术。而展出的芯片使用的是DDR接口，未来可以方便的更换其他接口。

由于只是用了27nm工艺制造，新的ReRAM在DieSize上相对于现在的NAND闪存并无优势，但在性能上，新的ReRAM却非常耀眼。根据镁光透露的消息，新的ReRAM可以承受10万次写入和百亿次读取；而更加难能可贵的是，ReRAM在目前就已经达到了900MB/s的读取速度和180MB/s的写入速度，读写延迟分别为2微秒和11.7微秒。在存储结构上，ReRAM可以在2个cell里存储3个bit，这一点介于目前的SLC和MLC之间。

由于未来的闪存标准还没有最终确定，因此，发力研究下一代闪存的企业和候选技术并不只此一家。

另一家名为Crossbar的新型科技公司正在研究一种名为RRAM的非易失性存储。虽然Crossbar并没有给出他们技术的具体性能，不过公司宣称其RRAM的擦写次数可以达到亿次级，并且可以在300摄氏度以下正常工作。而与目前NAND闪存工艺越高寿命越短行程对比的是，Crossbar的RRAM技术在现有技术演进路径下至少可以发展到4-5nm的水平。

当然，除了这些看似很遥远的技术，同样属于非易失性存储的相变内存（PCM）也是下一代闪存标准的有力竞争者。而且推崇这一技术的IBM已经开始着手研究如何利用相变内存替代现有NAND闪存的方案了。相对于现有NAND闪存，相变内存的擦写次数可以达到百万次级别，并且在速度上交传统闪存有上百倍的提升。当然更重要的是，镁光等厂商已经开始量产地规格的相变内存芯片。并且业界也已经有一些采用相变内存的实际产品。

随着NAND闪存在工艺进步下逐渐达到寿命临界点，新的闪存技术正在不断涌现。而这些技术最大的目标就是要在提高速度和寿命的前提下，继续推动摩尔定律向前发展，并为未来制程演进做好准备。相信2015年更多新类型的非易失性存储新品将出现在市场上和实验室里。

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