长江存储交付192层NAND芯片？5年时间，国产就追上三星、美光了

近日，外媒报道称，国产存储芯片大厂长江存储已经向客户交付了自主研发的192层的3D NAND闪存，在今年年底前将会大规模交付。

我们再结合前段时间的消息，那就是长江存储推出了UFS3.1规格的通用闪存芯片—UC023。

这两则消息一结合，意味着国产存储芯片，真正追上全球顶尖大厂三星、美光、SK海力士了。

要知道目前NAND闪存最高规格也就是UFS3.1，至于UFS4.0，三星都还只提出个概念，没有量产交付，预计是年底甚至更晚

而3D NAND闪存当前最高量产层数，也就是192层，美光两早两天推出了232层，但也没有规模量产，预订要到年底或更晚才会量产交付。

而我们一旦搞定UFS3.1，再搞定192层NAND闪存，就证明国产NAND存储芯片，就达到了世界顶尖水平。

长江存储是2016年7月份成立的，至今也就5年多时间，但直到2017年才研发出第一代32层的NAND存储产品。

到2019年，长江存储推出了64层TLC技术，当时三星、美光等厂商，已经推出了128层的NAND闪存。

后来长江存储推出了一个自研的Xtacking技术，然后跳过了96层这个阶段，直接从64层堆叠，在2021全面进入到128层堆叠。

不仅如此，采用Xtacking技术后，长江存储的128层堆叠的NAND闪存，在容量、位密度和I/O速度方面实现了行业领先的新标准，性能甚至略胜一筹。

不过三星、美光在2021年已经能够推出192层堆叠的NAND闪存了，总体来讲，还是落后一代，而层数越高，密度越大，成本就越低。

如今长江存储迈入192层，也就意味着国闪的NAND闪存，正式与三星、美光、SK海力士们是处于同一水准了。

按照机构的数据，2021年，长江存储的NAND闪存产品在全球的市场份额约为4%，预计到再到2022年预计的7%。

可见，仅仅5年多时间，国产内存就从0起步，真正追上了国际顶级大厂，以后再也不用担心在内存芯片上被卡脖子了， 因为我们不仅有，一样全球领先。

中国64层NAND量产后，长江存储将尽早月产10万片

（观察者网讯）据《湖北日报》13日报道，长江存储科技有限责任公司（简称：长江存储） 副董事长杨道虹表示，2019年，国家存储器基地项目基于自主知识产权研发生产的64层三维闪存产品已实现量产。

当前及接下来一段时间，产能爬坡是长江存储的核心任务。杨道虹表示，将尽早达成64层三维闪存产品月产能10万片，并按期（二期）建成30万片/月产能 ，提升国家存储器基地的规模效应，带动（湖北）全省集成电路产业发展。

长江存储成立于2016年7月，是我国核心半导体制造企业紫光集团旗下公司，也是中国高端芯片联盟发起单位之一，主要业务为3D NAND闪存设计制造等。

2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3D NAND闪存 。2019年9月初，搭载长江存储自主创新Xtacking®架构的64层TLC 3D NAND闪存就已经正式量产。

紫光集团称，这是中国首款64层3D NAND闪存，亦是全球首款基于Xtacking架构设计并实现量产的闪存产品。

图自长江存储官网

杨道虹表示，国家存储器基地项目经过3年的建设已经取得了阶段性成效。他还提及，国家存储器基地近年来坚持研究布局新型存储器、特种存储器、物联网芯片（5G芯片）以及智能芯片产品的研发，增强核心竞争力。此外，（长江存储）还将联合国内70余家集成电路产业链上下游企业和科研院所，牵头组建半导体三维集成制造创新中心，成立中国半导体三维集成制造产业联盟。

尽管三星、镁光和SK海力士和东芝等几家厂商几乎垄断了全球的NAND FLASH市场供应，但中国闪存芯片制造业也正在崛起，且市场需求与日俱增。而长江存储就是为了打破全球垄断局面而生的。

NAND FLASH闪存需求市场，主要包括手机、平板、PC，以及汽车电子、视频监控、智能家居等，随人工智能、5G、物联网的发展，也将延伸出更多的智能应用。

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