3D TLC威力如何三星850 EVO首发评测

泡泡网SSD固态硬盘频道12月8日 凭借雄厚的工厂资源，三星第一个将TLC闪存投入了实用，并连续推出了840、840 EVO两代产品，都是物美价廉的代表。现在，第三代的“850 EVO”来了，而且第一次应用了3D V-NAND堆叠的TLC。

这种闪存规格从一诞生就争议不断，相比于单位的SLC、双位的MLC，三位的它成本更低，但是相对寿命短很多，性能也差一些。

虽说无论从理论还是实际上看，TLC应付日常应用都绰绰有余，但是用户对它的长期可靠性一直都没有放下心来。

特别是这段时间，iPhone 6部分也用了TLC闪存，结果出现了一些毛病，更是质疑声群起。在此之前，840 EVO、840先后出现了老数据读取掉速的问题，虽然三星极力否认和TLC有关，但实在没法让人信服。

另一方面，三星也是第一个玩起3D堆叠闪存技术的，都发展到了第二代。

850 EVO也是3D、TLC两种技术第一次结合在一起，堆了多达32层，能开出什么花呢？日本网站4Gamer抢先公布了对它的实际评测。

【850 EVO规格解析】

850 EVO仍是传统的SATA 6Gbps 2.5寸盘规格，6.8毫米超薄，容量分为120GB、250GB、500GB、1TB，搭配缓存256MB-1GB，安全技术支持AES 256-bit、TCG Opal 2.0，平均故障间隔时间150万小时，终生数据写入量75-150TB——此前210/250GB版只有44TB。

不过闪存颗粒的具体工艺暂时不详。

性能方面，持续读写最高都是540MB/s、520MB/s，随机读写则是最高94000-98000 IOPS、88000-90000 IOPS。2.5寸盘顶天也就是这样了，但是对于TLC来说已经很高很高，基本可以媲美MLC。

值得一提的是主控，120-500GB用的是最新一代MGX，据称优化了性能，特别是低容量下的随机性能。1TB的则是和上代相同的MEX，后者的功耗也略高一些。

从三星给出的数据看，同容量的850 EVO随机写入性能的确比840 EVO高很多，即便是同样主控的1TB版也更快了，队列深度1的时候都能加速21％，队列深度32的时候120GB版可以加速1.5倍！

840 EVO引入写入加速技术“TurboWrite”也延续了下来，它是通过将TLC模拟成高速的SLC来提升性能，现在号称更猛了，尤其是持续写入可以加快7-19％。

RAPID技术同样还在，简单地说是借助系统内存和CPU资源缓存频繁访问的数据，进行加速。

另外，质保时间也从3年提高到了5年，相信可以让大家更放心一些了。

【850 EVO 120GB实物拆解】

本次测试的是最小容量的，但是从价格、性价比方面看，这也是大多数用户首选的，因此更有实际意义。

850 EVO：表面颜色更深了

这是840 EVO

背面有型号、编号等信息

打开外壳大吃一惊，PCB居然这么小！这自然得益于如今闪存的高集成度

背面甚至基本是空的，只有一些电器元件

中间的S4LN062X01-Y030就是MGX主控，因为此前MEX主控的编号是S4LN045X01-8030。上边就是3D TLC闪存颗粒，编号K90KGY8S7C，单颗容量128GB。下边是缓存，256MB LPDDR3

背面有一个空焊位

三星固态硬盘管理工具Magician 4.5

【性能测试：PK 840 EVO】

测试平台配置如下：

测试项目不是很多，但也足以看清850 EVO的表现了，尤其是和上代840 EVO对比有多大的进步呢？

PCMark 8存储得分：基本没有任何不同，开启RAPID模式后增加了几十分，也只有1％。

PCMark 8存储带宽：进步神速啊，提升了几乎有60％。RAPID模式也有点效果，能进一步提升4-7％。

PCMark 8游戏载入速度：没任何变化，RAPID开关也无不同。

CDM持续读写速度：读取没变，写入疯了，300MB/s左右蹿升超过了510MB/s，达到了十分理想的水平。

CDM 512KB随机读写速度：读取反而还有所倒退，1000MB区块的写入倒是继续暴涨，提升了45％。

CDM 4KB随机读写速度：读取、写入都小有进步。

CDM 4KB 32队列深度随机读取速度： 读取提升了超过10％，1000MB区块的写入又一次暴涨，接近70％。

Iometer随机读写：太凶了，翻了一番还多。

HD Tune：两张图里看起来都是850 EVO，但是原文说第二张其实是840 EVO。主要是看看TurboWrite的效果。

【850 EVO：你值得拥有】

虽然还是TLC，不过这次850 EVO真的是很有诚意。3D堆叠技术的加入当然是最大亮点，它大大提高了存储密度，并进一步降低了成本，直接好处就是可以更便宜一些。

3D堆叠的长期可靠性还有待检验，但是考虑到此前是首先在服务器和数据中心领域使用的，应该更可靠才对。

另一点证据就是，质保从3年延长至5年，说明三星对V-NAND是很有信心的。

新的主控暂时还了解得不是很多，但提升写入性能的宣传不是白给的，配合TurboWrite、RAPID，新一代的随机写入有了明显的进步，已经堪比主流MLC，读取也有所进步。

如果你使用中的随机读写比较频繁，这一代会有明显改观。

最关键的价格暂时不详。此前美国电商给出的预订价大致在100、150、260、480-500美元，即便排除其中的水分也可以基本肯定会比840 EVO贵一些，要拉开档次的节奏，毕竟规格更强了，质保也更长了，但是只要别太离谱，还是很值得关注的。 ■

不输旗舰 三星SSD 750EVO深度评测

2016年初，三星电子推出了新一代主流SSD 750EVO，这款定位主流级别但是在性能上又不输于旗舰级SSD的产品到底有怎样的魔力，让如此多的消费者趋之若鹜呢?在750EVO SSD精致小巧的身材下到底隐藏着什么黑科技呢?今天就带领大家一起来深度剖析750EVO!

外观设计：

三星SSD 750EVO依旧采用了三星SSD经典的外观设计，采用质感的黝黑色，中间醒目的三星SSD LOGO是质量的保证，中下位置是三星标志性的小方块设计，右方中间位置更是特意标识出了安装的方向，可见三星的细心之处。

三星SSD 750EVO采用了主流SATA 6Gb/s接口，这样做的好处就是可以适配主流的PC机型，不会给用户造成装机困难。

核心拆解部分：缓存+主控

三星是少数几个可以自主研发、设计和生产SSD的厂商之一，三星当然在750EVO身上毫不吝啬的用上了MGX主控，并且还内置了256MB DDR3缓存，得益于新的主控，电板的体积进一步缩小。

第六代MGX主控

三星SSD 750EVO搭载MGX主控，而三星SSD 850EVO也是搭载了同款主控，所以我们可以推测750EVO的主控性能还不错。

MGX主控还内置了256MB DDR3独立缓存，对低版本容量进行随机读写性能优化，并且还支持了TRIM命令、支持TurboWrite、AES256位加密功能。

核心拆解：闪存芯片

三星SSD 750EVO在闪存芯片上采用了三星NAND闪存，此款闪存颗粒的工艺达到了16nm标准，集成度极高。

三星NAND闪存特写

从三星官方查询的数据可知，750EVO SSD可享受三年或写入量100TBW(120GB：35TBW、250GB：70TBW、500GB：100TBW)的质保服务。不过从网上的测试数据来看，750EVO的读写寿命还是很有保障的，极限读写测试中并未出现掉速等情况。

以上就是三星SSD 750EVO拆解的全部内容，从主控到闪存，总体来说，这款SSD是诚意满满的良心之作，是一款真正价廉物美的精品SSD。真金要经得起火炼，下面就一起来看看三星SSD 750EVO在软件测试中的表现如何。

软件测试：CrystalDiskMark 性能测试

CDM软件测试中，三星SSD 750EVO 500G 连续读写速度为551MB/s和522 MB/s，而4K QD1随机读写速度为38MB/s和141 MB/s，在同等级SSD中，处于领先水平。

软件测试：AS SSD Benchmark 测试

三星750EVO 500G 的4K随机IOPS读写达到96928及81933(378MB/s和320MB/s)，总分达到1205分，超过1200分，在大容量上版本，三星750EVO充分发挥其性能表现。

软件测试：PCMARK7

在相对较轻负载的PCMARK7测试中，三星SSD 750EVO 500G 得分为5521分，超过5400分(PCMARK7中，5400分是一道分水岭)。我们知道一些SSD面对着强大持续写入时，往往会出现掉速的情况，所以PCMARK7的成绩一般不好，但750EVO 能突出5400分这一门槛，在这一项测试中表现很不错。

软件测试：PCMARK8

在相对负荷较重的PCMARK8测试中，三星SSD 750EVO得分为4992分，而三星SSD 850EVO得分为4999，可以说差距微乎其微，性能不输于旗舰级SSD。

软件测试：TxBENCH

在本项测试中，得益于三星的TurboWrite加速技术，三星SSD 750EVO的读写成绩双双超过500M/S大关，在其他性能测试上也得到合格以上标准。

在实际生活过程中，许多消费者购买SSD的目的是为了玩游戏，所以在下面的测试中我们将测试三星SSD 750EVO在游戏中的实际表现如何，能否经得起考验呢?

游戏测试：英雄联盟

三星SSD 750EVO在英雄联盟游戏加载页面耗时16秒，而机械硬盘则是耗时54秒，两者相差3.3倍。

游戏测试：魔兽世界

随着魔兽世界7.0《军团再临》版本的上线，魔兽世界人数有了大幅度的回升。三星SSD 750EVO在魔兽世界游戏加载的过程中起到了至关重要的作用，耗时5.28秒就进入了游戏页面，而机械硬盘则是耗时27.41秒，相对慢很多。

游戏测试：剑网三

测试结果显示，三星SSD 750EVO的载入速度普遍比机械硬盘快3倍以上。大家都知道网络游戏难免会遇到掉线问题，游戏中掉线重连，几十秒的时间差距足以影响整个战局。

小结：

我们从外观开始入手，到理论软件测试，再到实际游戏应用测试，在这三大项评测中，三星SSD 750EVO均禁受住了考验。外形做工考究，工艺精湛，打磨似艺术品一般，赢得了消费者的第一眼缘，赢取好感;在理论成绩测试中，得益于强悍的主控，读写速度出色，在性能上再次加分;实际游戏测试部分中，以三款游戏作为评判基础，三星SSD 750EVO均成绩突出。

当然，三星电子不乏类似750EVO SSD这样优秀的产品，三星电子对于不同人群有着不同的解决方案，850EVO/PRO SSD则是针对对性能有更高要求的用户，而专业领域人士和DIY极客则会选择950PRO SSD来满足各自的需求。但是，无论你是初窥门径的小白还是历经风雨的老手，三星SSD都是你最好的选择。

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840evo实实在在的是tlc颗粒的。不是商家坑你。耐久程度,日常使用没有问题的。有用(0)回复plf233老实说,840EVO很渣……SSD跑分没太大意义,现在主流SSD...

evo介质是tlc寿命底持续读写掉速pro是mlc寿命长不掉速我就是用840evo128g的2年就报红了办公室的云储mlc128g1年就报黄这ssd的寿命不敢恭维有用(0)回.....

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