紫光64层NAND量产,打破外商垄断关键一战
【文/科工力量专栏作者 铁君】
日前,长江存储正式对外宣布,其基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存正式量产,以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。经过多年的努力,紫光在存储芯片上的高额投资终于收获硕果。本次长江存储量产64层NAND,一定程度上缓解了三星、SK海力士、镁光等公司的垄断局面,在当下的国际环境下,格外具有意义。
存储芯片市场被三星、海力士、东芝、镁光等大厂垄断
一直以来,存储芯片市场一直被三星、海力士、东芝、镁光等大厂垄断,三星、东芝、闪迪、镁光、SK海力士等国外巨头占据80%以上的市场份额,其中三星是领头羊,市场份额约38%。在DRAM市场,三星、SK海力士、镁光占据了超过90%的市场份额,其中两家韩国企业三星和SK海力士的市场份额加起来高达70%左右。
由于中国企业在NAND Flash和DRAM两种存储芯片方面的市场占有率微乎其微,且NAND Flash和DRAM被少数国际大厂所垄断,特别是韩国企业拥有非常高的市场份额,这直接导致存储芯片价格很容易受到垄断企业决策影响。由于三星公司因Note 7自燃事件遭受了60亿美元的损失,随后,存储芯片发生暴涨,进而带动固态硬盘、内存条、以及闪存卡等存储产品的价格就开始疯涨,镁光公司的NAND Flash 64GB MLC 颗粒在几个月内涨幅超过25%。
进而使华为、小米、OPPO、VIVO等整机厂商深受其害。
由于当下比较特殊的国际局势,NAND Flash高度依赖外商除了会使国内厂商在NAND价格上任凭外商摆布,还有可能受到国际复杂环境变化的影响,一旦供应被切断,对国内IT产业的打击是几乎是毁灭性的。由此看来华为等巨头寻找国产化“备胎”的计划尤为重要。长江存储在64层NAND上取得突破,未来将有效缓解了在NAND上单一依赖进口供应的局面,但是新供应链的导入需要时间,在短期市场上,长江存储的产品仍然无法大规模替代进口。
海外并购接连碰壁 自主研发取得成功
本次,长江存储在NAND上取得突破,是十多年持续研发的成果。早在2006年,武汉就投资100亿元启动武汉新芯项目,经过多年的磨砺和成长,武汉新芯在存储器领域已经有了一定成果。之后合肥、武汉等5座城市争夺存储器基地,由于武汉新芯在这方面已经有一定基础,因而最后武汉取得了胜利。随后,紫光等国有资本对武汉大量注资,并在将武汉新芯的基础上成立组建了长江存储。
在研发路线选择上,紫光选择同时走技术引进和自主研发路线。
就技术引进来说,紫光曾经试图以每股21美元,总价230亿美元的价格全面收购镁光,结果没能完成收购。紫光也试图以38亿美元收购西部数据15%股权,然后由西部数据出资190亿美元“曲线收购”闪迪,结果因受外部势力干涉最终不得不终止。之后,还传出紫光试图出资53亿美元收购SK海力士20%的股份,但该收购传闻最终也没有结果。
在海外收购频频碰壁的同时,紫光在境外持续高薪寻找优秀的人才,并严格遵守国际商业的道德规则,“只带人不带文件”,坚持“自己的技术要靠自己研发”,紫光集团还聘请了在中国台湾省有“存储教父”之称的高启全。在整合两岸技术团队之后,长江存储开启了自主研发之路,并在2017年完成32层NAND的小批量生产,在2019年完成了64层NAND量产。
可以说,紫光用实践说明了,在当下这个大环境下,与外商合作或并购的技术引进模式很难走通,与其并购或技术合作,不如直接挖人,组建自己的团队自主研发。毕竟,技术是随着人走的,人才是一家半导体企业最宝贵的财富。
长江存储独创Xtacking架构
长江存储本次发布的64层NAND采用了Xtacking架构。根据公开资料,长江存储搞出的Xtacking架构可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺,以让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后,创新的XtackingTM技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属垂直互联通道将二者键合接通电路,而且只增加了有限的成本。
长江存储CEO杨士宁博士指出:
利用Xtacking技术,长江存储3D NAND闪存未来可带来更快的I/O传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。
还有材料指出:
紫光的64层的3D NAND得益于Xtacking技术,使得产品开发时间缩短三个月,生产周期可缩短20%,NAND I/O速度大幅提升到3.0Gbps,比传统3D NAND拥有更高的存储密度。这使得紫光的64层的3D NAND单位面积的存储密度可以接近国际大厂的96层3D NAND。
因此,紫光的64层NAND是具备一定市场竞争力的技术。根据长江存储的最新报道,64层NAND已于9月正式量产,2020年逐步提升产能,据业界传言,2020年底产能可望提升至月产6万片晶圆的规模。由于紫光的64层NAND性能逼近国际大厂的96层3D NAND,因而可以直接在商业市场与外商竞争。此前还有业界消息称,紫光会跳过96层NAND,直接研发128层NAND,力争在技术上进一步缩短与外商的差距,而这些消息目前还未得到官方的证实。
长江存储要重复京东方的突围之路
目前,长江存储只是技术上取得了突破,而且产能也比较有限。相对于三星、SK海力士、镁光、英特尔等国际大厂,无论在技术上,还是在市场份额上都有一定差距。长江存储在原材料、设备等方面对外商有较大依赖,在实现不被卡脖子方面依然任重道远。
因而对于长江存储正式宣布64层NAND量产,“沸腾体”或“厉害体”是不合时宜的。在未来几年内,由于要与三星等国际巨头拼刺刀,因而长江存储可能在未来5年内都很难赚到多少钱,甚至可能会重复京东方多年前连续亏损的发展历程。
比较让人担心的是,在媒体一轮“沸腾体”炒作后,之后几年因为企业营收和业绩不够“沸腾”,然后媒体又来一轮带节奏,抹黑长江存储。这并非杞人忧天,京东方就因为业绩不好看,被媒体誉为“A股亏损王”。
不过,长江存储也有很多有利的因素。首先是资本上紫光具备与国际大厂较量的实力,赵伟国曾经表示,计划筹集3700亿元为未来5年准备充足的“弹药”,因而紫光能够为长江存储提供充足的资金支持。
由于紫光体量巨大,产品线很全,不仅有NAND,还有PCIe NVMe SSD主控芯片,还有H3C这样的整机厂,内部可以进行垂直整合。
据小道消息,在2020年长江存储的64层NAND产能提升上来后,紫光麾下H3C的服务器、存储设备、智能终端将率先搭载长江存储的NAND。将来不排除向智能手机厂商组团推销展锐的SoC和长江存储NAND的可能性。这种垂直整合在长江存储NAND推向市场初期,能够提供非常关键的推动作用。一旦长江存储的NAND通过紫光系企业的推动获得市场认可,那么,国内其他企业自然会跟进,并使国外存储芯片企业在中国市场份额逐年降低。
期待在3至5年后,国人日常办公写的文稿,外出旅游的拍的照片,能够存储在国产的NAND里。
铁君(公众号 tieliu1888)
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国产紫光SSD不再只是实验室展品 开始批量出货
纯国产SSD(Solid State Drives,固态硬盘)的口号已经喊了好几年,2017年时市面上已经有部分流通的紫光DDR3内存,不过并未在渠道正式销售,所以未形成气候,2018年紫光的闪存和内存已经开始正式商用在智能音箱上,至此,开始批量出货,不再只是实验室展品。
紫光开始突破
据中关村在线报道,2019年,纯国产紫光SSD开始出货,SATA 和NVMe两种类型各有一款产品 ,目前为止中关村在线已经拿到这两款产品,评测近期上线,请小伙伴们持续关注。
此次出货的SATA以及NVMe两款SSD在容量方面均支持从128GB到1TB版本四种选择,在主控方面采用了国产主控,闪存颗粒方面是紫光的64层3D NAND TLC颗粒,也是目前市场主流的水准,紫光量产即达到这样的水平,起点不低。
紫光颗粒
从目前的曝光的产品信息来看,此次采用的晶圆很大概率上为紫光原厂切割封装,在设计制造等方面均实现国产,具体信息还有待紫光方面的具体确认。
紫光面临的挑战
目前整体消费级市场行业并不算好,我们在行业的话语权基本为0,从去年开始的大降价相信也给三座大山敲醒了警钟,一言堂的日子已经开始过去,我们可以看到国产厂商在这方面越做越好,台湾和韩国方面的人才开始往大陆聚拢,去年的晋华美光案也说明我们崛起的速度已经引起国外垄断厂家的重视。
同时我们可以看到,全球记忆体产业仍以三星电子、海力士等巨头为首,虽然中国半导体技术仍然落后,但中国已可以透过30、40 奈米技术,生产非伺服器或行动记忆体芯片。若中国自产的DRAM、NAND Flash记忆体开始逐步量产进入市场,那么估计将冲击韩国记忆体产业78亿美元,其中冲击DRAM产业67亿美元、NAND Flash产业11亿美元。
除此之外,海力士计划在2022年之后的十年之内斥资120万亿韩元(约为1000亿美元),于韩国龙仁市建造四座半导体工厂,海力士发言人表示,目前规划龙仁市新厂主要产品将是次世代的储存记忆体及DRAM芯片。面对中国企业不断加强的实力,韩企此举也是希望能扩大技术优势,增大在半导体领域的话语权。
紫光的未来可期
对于目前的以紫光为首的国产SSD厂商来说,大环境还是相当不错,技术壁垒大大降低,价格开始回暖,而紫光在主控和闪存方面目前均已实现国产化,在这方面的创新相当值得点赞,当年的中国核弹、氢弹也正式在国外巨头的垄断下自主研发,所以技术封锁永远不可能阻挡想要前进的脚步,半导体行业作为未来最重要的行业,未来我们中国的角色肯定是相当中重要,这是毋庸置疑的。
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