被“玩坏”的谐音梗

你以为只有年夜饭和春节祝福有谐音吗？

请不要低估中国人的智慧，尤其是那群混科技圈的。

今天是大年三十，家家户户在晚上都要来一桌丰盛的年夜饭。让我猜一下，今天你一定会吃到如下几道菜：红烧鱼/剁椒鱼头、烧鸡/烤鸡、四季豆、红烧猪蹄、芋头、年糕、汤圆、油菜饺子、红烧大肠……

这些菜都有一个共同的特点，有美好的谐音。比如“鱼”同“余”谐音，表示年年有余；鸡就是吉利；四季豆就是四季平安；芋头表示来年遇贵人；油菜就是有财……

一桌福气菜开启新的一年，绝对是美事。再随后的几天，我们还会被“猪”的谐音祝福语轰炸。

祝你：“猪”事顺利，青春永“猪”，“猪”圆玉润，“猪”事大吉，“猪”玉满堂……

见面先来一段贯口，笑容满面，喜气洋洋。在沾福气这件事上，我们已经把谐音用到了极致。

一

谐音这件事在信奉“人定胜天”的半导体圈也是流行的。且中西方都会在乎。

在2017年AMD靠Ryzen锐龙在桌面上完美地“卷土重来”之后，又在服务器和数据中心市场的产品起名“EPYC”，中文名霄龙。

Ryzen、EPYC同宗同源，都基于Zen架构，两个新名字也都很有趣：Ryzen谐音类似Risen(崛起)，而将字母s换成z之后，又巧妙地包含了Zen这个架构代号。EPYC则是Epic(传奇)的谐音，同样也有i、y的变换。

笔者只能说“老铁！讲究！”在前几日回顾第四季度成绩时，CEO苏姿丰博士提到，刚结束的第四季度是AMD数据中心业务表现最强劲的三个月，EPYC（霄龙）芯片环比增加了1倍的出货量，GPU产品也在同期实现增长。

这暴增的出货量到底算产品厉害，还是名字起的好呢？

英特尔那边，在刚出Core i7时，就有说这是谐音“爱妻”。我估摸着英特尔自己人都不清楚有这茬，真是被谐音闪了一下腰。

还有一些有意思的，比如NAND谐音难得，你说这个难得吗？还真难得！

那中国企业玩谐音吗？

这样吧，你随便说一个，我保证90%有谐音典故，请不要低估中国人在这个方面的智慧。中国汉字本身就是象形字，玩的就是想象力。

二

当然在寻求“猪”事顺利的年头，不见得猪就能带好运。

前几天，雏鹰农牧晚间披露业绩预告修正公告，修正后预计亏损29亿元-33亿元，上年同期为盈利4518.88万元。

为啥亏这么狠？公司表示，2018年6月开始，公司出现资金流动性紧张局面，由于资金紧张，饲料供应不及时，公司生猪养殖死亡率高于预期。

这些可怜的猪猪们，用生命在告诉我们，狗年的尾巴，经济形势是不容乐观的。也从另一个角度告诉我们，我们在追求“猪”事顺利的时候，猪不见得好过，也可能是猪事不顺。

可见，谐音其实是可以被双面解读的。

你瞧马云大佬，前不久外界消息传出马大佬开了一家名叫“HHB”的音乐酒吧。HHB”意为平头哥，而该酒吧logo也同样为平头哥。马云在致辞中说：“自己拉了一些朋友搞了个酒吧，希望酒吧能红火起来，给很多被埋没的音乐人一个机会。”

马云要给音乐人机会，而网友一眼看到这个名字，表示“HHB其实是还花呗”的缩写。

想来也是，还花呗本就该与喝酒搭配，“喝完一杯还有三杯”、“还完5百还有5千”，还花呗是伤心之事，唯有借酒消愁。

当然，HHB的解读纯属调侃，也有难受的。比如一些车企的名称。

群众“邪恶”的智慧是无穷的，哪怕你初心是求个吉利的说法，只要有坏的一面，立刻不合心意。譬如铃木谐音“陵墓”、DS谐音“屌丝”、力帆谐音“立翻”……你说这是“迷信”吗？但万一有问题，中国人还是忍不住会往这方面想。

三

那怎么办呢？

改名吧。

在2010年时，有这么一则新闻。力晶将“力晶半导体股份有限公司”改为“力晶科技股份有限公司”，也就是把半导体三个字改成了科技两个字。当时给出官方解释是，公司主要是涉略领域变广，不再局限于半导体领域。而大众给出的另一个解释是半导体谐音为半「倒」体，像之前华亚成立没多久就马上把华亚半导体改成华亚科技。

力晶改名是当年9月份，而那年的Q4财报显示，公司由盈转亏，单季营收为132.9亿元，毛利率-59%、税前和税后皆亏损83.3亿元，换算每股税后亏损1.51亿元，单季存货跌价损失达43.2亿元。

这怪谁？

显然冤枉了半导体三个字。那时的DRAM行情处于下行周期，就算你改名“力晶发财股份有限公司”估计都不顶用。

其实台积电也遭遇了一个有意思的事情。

有一台媒2003年的一篇文章写到：“晶圆双雄的市场争霸战，打得轰轰烈烈，尽管联电董事长曹兴诚使出各种策略，仍然无法捍动台积电的龙头宝座，一位黄姓风水师指出，其实台积电会有如此的规模与地位，全赖风水的布局与巧妙安排。”

而这个风水的说法，其实就是将缩写改为小写。因为“TSMC”中的T不出头，小写的“t”出头，表示公司出人头地，才赚钱。

当然，小写缩写目前已经成为一种潮流，facebook，twitter, beats,air bnb, intel, amazon，arm这些公司都用小写。一般的解释是“小写字母非传统，接地气、人格化，让目标群体感觉更加亲和、友好、可爱。”

笔者也觉得也是小写好，毕竟大写字母“干干巴巴、麻麻赖赖的，一点都不圆润”，欠盘。

最后，祝各位猪年“猪”事顺利！

《T访谈》往期回顾：

●能讯半导体：5G时间窗口只有三年

●曼普拉斯：AGV导航传感器的市场进阶路

●美图半导体：国产半导体设备厂商生存启示录

●慧闻科技：传感器“细嗅蔷薇”

●三荣高科：四十年经验日本芯片设计服务公司如何看中国市场

●美思迪赛半导体：在电源管理IC市场“攻城略地”

被“日本制裁韩国事件”推向风口浪尖的NAND闪存，到底是怎样的存在？

Hello，大家好，这是《探索“芯”词典》栏目的第一篇，本栏目将从半导体技术词汇入手，在介绍概念的同时，也说一说技术背后的故事。

文︱ 编辑部整理

图︱ 网络

本篇文章要说的词是“NAND”，谐音“难得”。

说到这个“难得”，那就是一把辛酸泪了。上个月东芝位于日本四日市的5座NAND闪存厂发生了停电意外，虽然在约13分钟后恢复正常供电，但停工了5天，而且有3座晶圆厂要到本月中旬才能恢复生产。

此后，日本政府宣布，从7月4日起开始管控向南韩出口3种生产半导体、智能手机与面板所需的关键材料，造成存储器产业下游模组厂出现提高报价状况。

当然，目前还难以衡量东芝NAND闪存厂停电事件以及日本对韩国制裁事件对NAND闪存市场到底影响有多大，但发展形势不好判断，外界分析师用一个词概括——市场的不确定性。那么，这个“难得”的“NAND”究竟是怎样的存在？

诞生

NAND要从哪里开始讲起呢？话说当年，盘古手握……啊不对，该技术并没有久远到那么夸张。最远不过从1943年说起，那年舛冈富士雄在日本群马县高崎市出生了。

1971年，舛冈富士雄在日本东北大学拿到工程系电子工程专业的博士学位，随后拿到了东芝的offer。起初在半导体的研究开发部门，1977年被调至营业部门。不过那时舛冈富士雄显然不是做销售的料，对IBM和英特尔等开展了各种推销活动，却卖不出去货。

东芝心想，算了还是让这哥们干技术吧。一年后，舛冈富士雄被调离营业部门转入半导体工厂的制造技术部门。上帝给你关了销售才能这个门，偷偷给你开了技术大牛这扇窗。舛冈富士雄在技术做出了不少卓越贡献。

过了3、4年，舛冈富士雄受ULSI研究中心的当时研究中心所长武石喜幸赏识，被调回研发部。并在1984年首先提出了快速闪存存储器ULSI的概念。然而，这并未得到东芝及日本社会的重视。

但是，英特尔看到了这项发明的潜力，与东芝签订了交叉授权许可协议，成立了300人的闪存事业部。当时英特尔技术制造本部副社长、香港出身的Stefan Lai评价称，英特尔改良了东芝发明的NOR，并成功实现批量生产和低价格，同时炫耀着自己豪宅，赞美“这就是美国梦”。

尽管东芝发明了NOR，但英特尔先行将其发展起来。舛冈富士雄并不服气，在1987年又提出NAND的概念，并且和10位各具特色的同事共同研发，仅3年时间就获得成功，并准备推动新发明实现产业化。

由于他的贡献，东芝奖励了他一笔几百美金的奖金和一个位置很高却悠闲的职位。做为一个工程师，他忍受不了这种待遇，不得不辞职进入大学继续科研。

东芝公司的短视很快招来了市场的惩罚。Flash市场迅速扩张，在90年代末期就达到数百亿美金的市场规模，Intel是这个市场的霸主，而东芝公司只享有很小的份额（NAND，NOR几乎没有）。在很长一段时间，东芝公司甚至不承认NOR flash是他发明的，说是Intel发明的。直到IEEE在1997年颁给富士雄特殊贡献奖后才改口。

富士雄觉得自己的贡献被东芝公司抹杀了，他愤然于2006年起诉了公司，并索要10亿日元的补偿。最后他和东芝公司达成和解，得到8700万日元（合758,000美元）。

概念

Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。

NOR flash是Intel公司1988年开发出了NOR flash技术。NOR的特点是芯片内执行（XIP, eXecute In Place），这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除 速度大大影响了它的性能。

NAND Flash内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。

从存储原理来看，两种闪存都是用三端器件作为存储单元，分别为源极、漏极和栅极，与场效应管的工作原理相同，主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断，栅极的 电流消耗极小，不同 的是场效应管为单栅极结构，而 FLASH 为双栅极结构，在栅极与硅衬底之间增加了一个浮 置栅极。

浮置栅极是由氮化物夹在两层二氧化硅材料之间构成的，中间的氮化物就是可以存储电荷的 电荷势阱。上下两层氧化物的厚度大于 50 埃，以避免发生击穿。

此外，根据NAND闪存中电子单元密度的差异，又可以分为SLC（单层次存储单元）、MLC（双层存储单元）、TLC(三层存储单元)以及QLC（四层存储单元）此四种存储单元在寿命以及造价上有着明显的区别。

SLC（单层式存储），单层电子结构，写入数据时电压变化区间小，寿命长，读写次数在10万次以上，造价高，多用于企业级高端产品。

MLC（多层式存储），使用高低电压的而不同构建的双层电子结构，寿命长，造价可接受，多用民用高端产品，读写次数在5000左右。

TLC（三层式存储），是MLC闪存延伸，TLC达到3bit/cell。存储密度最高，容量是MLC的1.5倍。造价成本最低，使命寿命低，读写次数在1000~2000左右，是当下主流厂商首选闪存颗粒。

QLC则是Quad-Level Cell，或者叫4bit MLC，电压从0000到1111有16种变化，容量增加了33%，但是写入性能、P/E寿命会再次减少。

随着时代发展，NAND闪存颗粒的技术突飞猛进，并且逐渐形成了几大超大规模的专业闪存颗粒制造商，这些能够直接切割晶圆和分离出NAND闪存颗粒的厂商，一般称之为闪存颗粒原厂。

随着晶圆物理极限的不断迫近，固态硬盘上单体的存储单元内部的能够装载的闪存颗粒已经接近极限了，更加专业的术语表述就是单die能够装载的颗粒数已经到达极限了，要想进一步扩大单die的可用容量，就必须在技术上进行创新。

于是，3D NAND技术也就应运而生了。

2D NAND真实的含义其实就是一种颗粒在单die内部的排列方式，是按照传统二维平面模式进行排列闪存颗粒的。

相对应的，3D NAND则是在二维平面基础上，在垂直方向也进行颗粒的排列，即将原本平面的堆叠方式，进行了创新。

利用新的技术(即3D NAND技术)使得颗粒能够进行立体式的堆叠，从而解决了由于晶圆物理极限而无法进一步扩大单die可用容量的限制，在同样体积大小的情况下，极大的提升了闪存颗粒单die的容量体积，进一步推动了存储颗粒总体容量的飙升。

现状

今年5月份，全球市场研究机构集邦咨询半导体研究中心 ( DRAMeXchange ) 发布了 2019 年第一季度 NAND Flash 品牌商营收与市占排名。

其中，三星目前仍是营收最高的 NAND Flash 厂商，尽管较上季下滑 25%，但依然达到了 32.29 亿美元。同时市场份额保持在 29.9%，排名第一。SK 海力士排名第二，第一季 NAND Flash 营收衰退 35.5%，为 10.23 亿美元。东芝第三，第一季营收达 21.8 亿美元，季减 20.2%。

西数第四，营收达 16.10 亿美元，季减 25.9%。美光第五，营收季衰退 18.5%，达到 17.76 亿美元。英特尔排名第六本季营收来到 9.15 亿美元，较上季衰退 17.3%。

此外，DRAMeXchange不久前发文表示，中国NAND厂商长江存储器技术公司已经将其64层Xtacking芯片样品提交给各潜在客户与控制器供应商，主要销售重点指向中国国内市场。YMTC方面正在其位于武汉的新工厂压缩32层芯片的生产，计划为接下来的64层产品提供产能空间。公司还有意在2020年转向128层NAND以进一步降低产品成本并提升存储容量出货量。

END

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