韩国SK海力士宣布成功研发176层4D NAND闪存

（观察者网讯）12月7日，韩国半导体公司SK海力士表示，近期已成功研发出基于三层存储单元（TLC）的176层512Gb（千兆位）NAND闪存。

据韩联社12月7日报道，SK海力士介绍，第三代4D NAND闪存达到业界最高水平，比上一代128层产品提高了35%以上生产率，增强了产品成本竞争力。另外，SK海力士新产品的读取速度比上一代加快20%，数据传输速度达到每秒1.6Gb，提高了33%。

上月，SK海力士于向控制器企业提供了NAND样品，计划明年6月左右批量生产，并依次推出消费者级SSD、企业级SSD等产品，扩大各应用领域的市场。另一方面，韩国的三星电子也正在研发第七代V-NAND，预计明年批量生产。

三星生产100层V-NAND闪存 主打企业级SSD市场

三星电子刚刚宣布，其已开始生产业界首批100层V-NAND闪存，并计划在企业级PCSSD上采用。这家韩国科技巨头称，基于256Gb3-bitV-NAND闪存的SSD，已开始向全球PC制造商供货。鉴于100层V-NAND闪存单元只需经过单次蚀刻，新产品可兼顾速度、产量和能源效率，在市场上占据领先优势。

资料图(来自：Samsung，viaZDNet)

外媒ZDNet报道称，三星已经向某个未透露名称的客户供应250GBSATAPCSSD。

该公司将在今年下半年提升产能，并使用512Gb3-bitV-NAND闪存来生产SSD和eUFS产品，以满足各种规格的新需求。

三星表示，其100层或第6代V-NAND闪存的写入延迟低至450μs、读取响应时间为45μs。

与90层V-NAND闪存相比，100层V-NAND闪存不仅性能提升10%，功耗还降低了15%。此外新工艺减少了生产步骤、缩减了芯片尺寸、并提升了20%的产量。

展望未来，三星计划在移动和汽车领域部署全新的V-NAND闪存，以巩固其在闪存市场的领导地位。

此前，这家韩国科技巨头曾警告，在2季度财报发布前，该公司业绩表现仍存在着持续的不确定性，其中就包括日韩之间贸易摩擦所带来的紧张局势。

本周早些时候，日本将韩国从其贸易伙伴白名单中剔除，并于上月对用于半导体生产的关键材料实施贸易限制。

尽管同在韩国的SK海力士，其领导层曾下令企业制定应急方案。但三星似乎并没有那么慌张，而是决定继续在今年下半年进一步投资生产。

最后，鉴于内存业务利润和需求的大幅下滑，预计该公司二季度运营利润会较去年同期削减一半。

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