电子元器件：3D NAND存储器研发重大突破

近期，根据中科院微电子所的官网消息，由长江存储和中科院微电子所三维存储器研发中心联合研发的32层3DNANDFlash芯片顺利通过电学特性等各项指标测试，完成工艺器件和电路设计的整套技术验证。

3D NAND Flash存储器研发取得重要进展，为产业化打下坚实基础

1、从技术角度看，3D NAND Flash存储器产业化面临如下挑战：制造工艺开发(高深刻比刻蚀工艺等)、存储器件单元结构设计、存储器件单元集成、可靠性、NAND阵列架构、存储芯片电路设计等。3DNANDFlash的每个技术挑战都需要投入大量的研发力量去攻克。国内目前已完成工艺器件和电路设计的整套技术方案。

2、我们认为，国内在3D NAND Flash领域取得里程碑式进展，将为下一步的产业化铺平道路，有望缩小与国外同行的技术差距。

?3D NAND Flash属于存储器领域的前沿技术，是存储器的最佳候选方案1、从技术分类看，存储器分为DRAM、NAND Flash、NORflash。全球DRAM和NAND Flash总产值约为存储器总产值的95%。NAND Flash主要分为2D NAND和3D NAND，2D NANDF lash、DRAM技术相对成熟，3D NAND Flash属于半导体存储器前沿领域。三星于2014年率先在全球推出量产的32层

V-NAND闪存，美光于2016年推出32层3DNAND闪存(全球第二家实现3D NAND闪存量产)。国内相对国外技术差距最小的存储器产品是3D NAND Flash。2、我们认为，3D NAND Flash相比2DNAND，在性能、容量、可靠性、成本方面拥有竞争优势，将成为存储器的主流技术。

1、存储器是半导体产业的核心器件，其全球产值约为800亿美元，DRAM市场约为450亿美元，NAND Flash约为300亿美元。2016年，DRAM大部分市场份额被三星、海力士、美光占据，三星、东芝/西数、美光、海力士垄断了NAND Flash市场。中国是全球最大的电子产品生产基地和集散地，占据了全球存储器市场55%的市场份额。

2、我们认为，由于国外竞争对手在DRAM和2D NAND方面拥有大量折旧完的产能，并且DRAM市场增长放缓，所以从技术成熟度、成本角度考虑，3D NAND Flash存储器是国内存储器产业快速发展的捷径。

投资建议

3D NAND存储器研发取得重大突破，有望加速国内存储器产业发展，利好A股相关半导体存储器、材料以及设备标的。重点推荐：兆易创新、深科技、上海新阳、七星电子、太极实业。

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今日份知识答疑：3D NAND是什么？

前几篇小编都在讲SSD，无论是PSSD还是CSSD，都慢慢被人所熟知。但是对于SSD里面装载的3D NAND闪存则还不是有很多人了解。今天的小课堂我们就来科普一下3D NAND到底是什么~

NAND的发展及用途

要说3D NAND，首先要搞清楚NAND是什么，NAND是非易失性闪存存储器。 而非易失性 的意思，可以简单理解为：即使日常或者突然性断电的情况下数据都不会贸然丢失，能够实现保持数据存储的功能，因而，它成为了SSD的一个重要特点。

NAND的用途相当广泛， 如我们常用的USB、笔记本或者PC搭载的SSD、自动驾驶汽车的数据存储系统所用到的部分存储器等等，都可以见到NAND的身影。

而其实在3D NAND之前人们使用的是2D NAND。而随着时代的不断发展、人们需求的不断增加，特别是对容量的需求越来越大，2D NAND已经不能满足人们的需求。 也是基于这个原因，3D NAND才会应运而生。

那到底什么是3D NAND呢？

3D NAND的出现， 正是为了突破2D NAND在容量上所受到的限制3D NAND的架构能在不破坏数据完整性的情况下，可以比2D NAND扩展到更高的密度，从而使得可存储容量有效增加。

3D NAND与2D NAND的最大区别在于，2D NAND是平面架构，3D NAND则是立体的。3D NAND使用多层垂直堆叠，将传统平面结构的NAND闪存堆叠起来， 以节省空间，类似于一层一层搭建的垂直摩天大楼。

水平层的存储器单元被层层堆叠，通过微小的垂直通道进行连接，随着层数叠加来进行量化。以更稳定的可靠性增加单位面积上所承载的存储容量，以实现更高密度、更低功耗，更好的耐用性、还有更快的读写速度。

西部数据全线的SSD产品 都是3D NAND：

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