信科移动-U申请NandFlash芯片专利，实现高可靠数据存储

金融界2024年1月2日消息，据国家知识产权局公告，中信科移动通信技术股份有限公司申请一项名为“NandFlash芯片数据存储方法及装置“，公开号CN117331491A，申请日期为2023年8月。

专利摘要显示，本发明提供一种Nand Flash芯片数据存储方法及装置，其方法包括：确定芯片中每个块的首次数据写入时间距离当前时间的时长和每个块的数据出错次数；将所述时长大于第一预设阈值或所述数据出错次数大于第二预设阈值的块作为第一类目标块；从所述芯片中除所述第一类目标块以外的其他块中选择块写入新数据或第一类目标块中的数据。本发明通过预估Nand Flash芯片每个块中的数据是否存在劣化风险和潜在风险，通过在写入数据前，避免将影响设备启动的内核启动数据或其他数据写入高风险块中，实现Nand Flash芯片的高可靠数据存储。

本文源自金融界

三星P2工厂已完成NAND Flash设备导入，初始月产能预计2万片

据报道，近日三星已经完成对平泽P2工厂晶圆代工及NAND Flash产线设备的导入。报道称，预计NAND Flash产线将在今年下半年开始批量生产，并极有可能进行第七代V NAND生产。产能方面，生产线的初始产能估计约为每月2万片。（新浪财经）

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