存储供需已逐渐好转 厂商预期NAND明年将出现缺货潮

①据媒体报道，NAND Flash控制IC厂商群联CEO潘健成7日表示，近期客户拉货更趋积极，但市场供给持续因大厂减产受限缩，预期明年将出现缺货潮。

②民生证券发布研究报告称，当下手机、PC渐进复苏，需求扩容，且AI驱动存储技术升级、容量提升，看好存储行业投资机会。

据媒体报道，NAND Flash控制IC厂商群联CEO潘健成7日表示，随着主要存储芯片厂相继减产，加上部分终端市场回温，NAND市况开始走强、报价上涨;近期客户拉货更趋积极，但市场供给持续因大厂减产受限缩1，预期明年将出现缺货潮。

民生证券发布研究报告称，存储供需已逐渐好转，且近期高频价格显示存储价格已拐点向上，存储周期上行趋势明朗。当下手机、PC渐进复苏，需求扩容，且AI驱动存储技术升级、容量提升，看好存储行业投资机会。

据2财联社主题库显示，相关上市公司中：

德明利聚焦闪存主控芯片+固件方案，构建核心技术平台，涵盖了芯片设计、固件方案与算法、产品设计与测试等。

同有科技已具备从芯片、部件、整机、底层软件、核心软件、管理软件的软硬件全面研发能力，打造分布式存储、集中式存储、全闪存存储、加固存储、应用定制存储等全系列自主可控存储产品线。

关联个股

同有3科技 德明利

三星重启NAND设备投资，三星1b DRAM正顺利量产 投研报告

甬兴证券近日发布电子行业存储芯片周度跟踪：三星重启NAND设备投资，三星1b DRAM正顺利量产。

以下为研究报告摘要：

NAND：NAND颗粒市场价格小幅波动，平泽P4工厂将投入NAND设备。根据DRAMexchange，上周（0715-0719）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.23%至0.08%，平均涨跌幅为-0.25%。其中15个料号价格持平，1个料号价格上涨，6个料号价格下跌。根据CFM闪存市场报道，三星电子已经开始为预计年底完工的平泽P4工厂订购NAND闪存生产设备，预计该工厂将安装NAND闪存、DRAM和代工生产线。三星电子此次重新启动设备投资，显示出其对市场完全恢复的信心。

DRAM：颗粒价格小幅波动，三星1b DRAM正顺利量产。根据DRAMexchange，上周（0715-0719）DRAM18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-9.48%至8.53%，平均涨跌幅为2.10%。上周12个料号呈上涨趋势，6个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道，三星电子下一代DRAM路线图进展良好，1b DRAM正在顺利量产，4F Square也正在顺利开发，三星将在内存领域保持超级差距，预计2025年开发出4F Square DRAM的初始样品。

HBM：SK海力士确定HBM4基础裸片工艺。根据CFM闪存市场报道，SK海力士将使用台积电的N5工艺版基础裸片构建其新一代HBM4产品，并确定与台积电在下一代高带宽存储器（HBM）量产上的合作分工。

市场端：渠道和行业SSD价格保持稳定。上周（0715-0719）eMMC价格持平，UFS价格持平。根据CFM闪存市场报道，本周渠道SSD和内存条市场变化不大，基本维持不变。行业市场方面，本周行业价格相对稳定。受渠道市场影响，国内部分行业客户报价偏低，海外市场和国内一些优质客户出价相对较为合理。嵌入式市场方面，因原厂官价仍未完全确定下游终端普遍不急于备货，观望氛围浓重；本周嵌入式价格趋于平稳。

投资建议

我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。

HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；

存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。

风险提示

中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。（ 甬兴证券 陈宇哲 ）

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