八年守冷板凳，一度推倒重来丨国产高性能NOR Flash存储器或将量产

创立一家企业——对多数创始人，都是他们人生的高光时刻；但对中天弘宇集成电路责任有限公司董事长张佳，却是她人生的危机时刻。

“2015年，我作为投资人，投资了存储器领域。但实际研发中，团队才发现：最初设计的技术路线完全没有可行性；唯一的出路，是全盘推倒重来。2018年，我迫不得已亲自接手项目，重新注册公司。”她说。

存储器是手机、电脑等电子设备实现存储功能的主要部件。技术壁垒高、研发周期长、国际竞争激烈，使得这一领域的创新创业难度极大。

主流工艺技术存在瓶颈，是曾经作为投资人的张佳看中这一细分领域的重要原因。用她的话说，“在NOR Flash领域，已经20年来没有重大技术突破了。”

据介绍，当前的存储器主要有内存和闪存两种：内存主要使用DRAM，闪存主要使用NAND Flash和NOR Flash。后两者中，NAND Flash容量大、成本低、不能直接运行代码，常用作数据存储；NOR Flash容量小、成本高、可执行代码，常用作代码存储。

张佳说，近年来，随着消费电子、物联网、智能手机等需求推动，NOR Flash由于其非易失性、随机读取速度快、可靠性高、可执行代码等优势，市场规模逐年增长。特别是以智能座舱控制器、5G基站、卫星通讯、航空航天、可穿戴设备等为应用场景的大容量产品，市场规模快速成长。

然而，目前NOR Flash主流工艺路线存在技术瓶颈，受编程原理和单元结构限制，微缩难以推进，长期停留在45纳米以及更落后的制程。此外，由于其一段时间以来应用市场远小于NAND Flash和DRAM，境外公司基本停止了对其主流工艺的研发。

“作为投资人，我们前期做了充分调研，还请了一些国外专家，设计了一条看似完美的‘天花板’路线。”张佳说，“实际研发中，浪费了两年多时间，我们才发现最初的技术路线完全没法落地，走了太多弯路。”

困境之中，她亲自创业。整个团队重新思考、重新探索，还聘请多位专家、院士指导，终于找到一条新的出路。

据介绍，相较于传统的NOR Flash采用热电子注入的编程方式，采用新技术后，产品不仅生产功耗更低，而且存储容量更大。

在新型存储器的研发过程中，张佳和中天弘宇已经坐了8年冷板凳。“8年来，没有融资，没有宣传，默默搞研发，直到去年产品问世。研发过程中，有太多未知数存在，我们真正体会到了科研的艰辛。”她说。

“最让我记忆犹新的是2020年1月，在中国电子学会主办的一场专家鉴定会上，我们的技术被认定为‘在非易失存储领域属国际首创技术’。”她说。此后，团队愈发坚定信心，把新技术从概念落实到产品，进入了相对健康的良性循环。

部分型号已经量产

2021年8月，中天弘宇的初代存储器发布会上，中国工程院院士倪光南在视频致辞中评价：中天弘宇自主研发的核心技术在非易失存储领域属国际首创技术。勇于探索、积极进取，发展核心技术、底层技术，并拥有完整的自主知识产权，难能可贵。

张佳告诉记者，企业初代产品存储容量在4Mb-512Mb，目标现有小容量NOR Flash应用市场，适用于智能家居、智控平台等场景。目前，部分型号已经量产，并取得收入。企业二代产品采用全新编程原理、工艺技术，容量为2Gb-8Gb，目前已完成多轮数据验证，预计2Gb产品将于明后年开始从研发转入小批量量产。

张佳比较了市场现有产品，她认为，中天弘宇的产品在4Mb-1Gb的存储容量区间具有一定的性能优势；在1Gb-8Gb的存储容量区间，可从底层技术支持、拓展AIOT、信创等新型应用创新，提高方案可靠性和国产自主性。

如今，发明成果已在中国、美国、日本、韩国和中国台湾地区申请了成体系的50多项原创性发明专利。

栏目主编：张骏 图片来源：来自受访者

来源：作者：肖彤

形势严峻：被美国打压，国产NAND芯片原地踏步，份额仅5%

近日，知名机构TrendForce集邦咨询，发布了2024年一季度全球NAND FLASH闪存市场报告。

数据显示，一季度全球NAND营收环比增长28.1%，达147.1亿美元。原因就是因为AI发展，以及PC、手机开始回暖，所以NAND需求增长了，导致整个存储芯片市场是价、量齐升。

而从具体的排名来看，三星、SK海力士、铠侠、美光、西部数据这5大巨头排名前五，没什么变化，这5大巨头合计拿下了94.6%的份额。

也就是说留给其它小厂商的市场，其实只有5.4%左右，这里面包括中国大陆、台湾等一些小NAND Flash闪存厂商。

看到这里，估计很多知道整个NAND闪存市场的网友，肯定是一片叹息，因为被美国打压之后，国产NAND闪存，几年了依然是原地踏步，没能崛起进入前五名，真是徒呼奈何啊。

我所说的国产NAND闪存厂商，指的就是长江存储，这家成立于2016年的国产存储芯片厂商，表现是非常猛的。

2016年才成立，2017年就量产32层堆叠的3D NAND，然后在2018年发明了晶栈技术，也叫做Xtacking。

有了这个技术之后，长江存储就真的牛了，进入64层堆叠存储技术之后，直接跳过96层，迈入128层，和三星、SK海力士、美光等巨头的技术差距，越来越小。

到了2022年下半年，长江存储更是成为全球第一家量产232层3D NAND闪存的厂商，比美光、三星等还领先。232层存储，存储密度更高，成本更低，同时速度会更快。

而按照正常的技术路线来说，谁最先掌握最先进的技术，那么就会利用这个技术，以及利用时间窗口，快速的扩大市场优势。

如果一切正常，在232层存储推出后，长江存储会迅速扩产，提高产能，向市场铺货，然后提升市场份额，和三星、SK海力士、美光等竞争。

不曾想，看到中国存储芯片这么先进，美国坐不住了，开始对长江存储进行打压，将其列入实体清单，对先进的设备进行封禁。

然后一些美国的半导体设备厂商，取消了订单，甚至连已经下单的先进机器也不发货了，还撤回了服务团队。

于是长江存储先进产能扩产计划没能顺利实施，当然232层的技术优势，也没能好好利用，毕竟买不到设备，没法扩产，再有技术又能怎么样呢？

而在长江存储被制裁的情况之下，三星、美光、SK海力士等迅速追了上来，并且技术不断进步，如今在堆叠技术上，已经超过了长江存储了，让人真是愤怒。

可见，依托于国外设备/技术的突破，有时候就宛如空中楼阁，对方一卡就废了，还得国产设备/技术顶上来，解决供应链的突破，才是真突破啊，你觉得呢？

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