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nand 坏块测试 diskgenius 硬盘管理（18）坏块检测与修复硬盘坏块的修复

发布时间 : 2024-11-24

作者 : 小编

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diskgenius 硬盘管理（18）坏块检测与修复硬盘坏块的修复

硬盘坏块的检测与修复

今天我们介绍diskgenius的硬盘坏块检测与修复功能。

所谓磁盘的坏扇区，也就是硬盘存储数据的磁道损坏了，称为坏道。

坏道分为二种，一种物理坏道。是由磁盘上的磁介质故障引起的，可能由于划痕或者出厂时候的瑕庇。第二个是逻辑坏道，是指磁盘没有物理损伤，由软件故障，病毒，或者非正常操作造成的坏道假象，以至于把正常的扇区也标注为坏扇区了。

硬盘坏道的修复，一般情况下逻辑坏道是可以修复的，物理坏块不可以修复。那物理坏块是不是就不能处理了呢？不是的。虽然物理坏块不能通过软件修复来处理，但是，在硬盘出厂的时候，有一定的备用扇区。其实修复物理坏块，是通过重新映射的方式，来替换重新替换损坏的扇区，达到修复的目的。如果物理损伤的扇区比较多，超过了备用扇区的数量，就不能够替换损坏的物理坏扇区了。这样的话，只能把损坏的扇区隐藏，不使用，达到硬盘不报废的目的，使用没有问题的一部分扇区，达到屏蔽坏扇区的目的。

另外，一定要注意。硬盘坏块的修复，磁盘中的数据，是丢失了，不是恢复文件，是数据丢失。因为要对扇区进行软件写操作，或者对坏扇区进行替换，里面的数据将不付存在。数据一定要保存，一定要保存。

修复有坏块的磁盘，首先要对硬盘进行检测，查看当前硬盘有没有坏块。

硬盘，坏道检测与修复

选择要检测修复的硬盘，在菜单中选择，硬盘，坏块检测与修复。

默认范围为整个硬盘

弹出硬盘检测与修复窗口。在检测范围中，可以输入扇区的值。默认是对整个硬盘进行操作。

检测以图形格的方式进行标记

开始检测后，可以看到以图形格的方式，显示当前扇区的状态。优秀，良好，正常，一般都标记不同的颜色。如果出现红色的格，表示当前扇区损坏，硬盘已经有坏块了。检测时间比较长。

如果硬盘有坏块，可以选择下面的尝试修复，对硬盘进行修复。

修复时的警告窗口

选择尝试修复后，提示，修复硬盘，会使数据丢失，修复硬盘是对扇区的一个覆盖。

硬盘修复窗口

选择确定后，开始修复有坏扇区的硬盘。如果发现红色的坏扇区被修复了，可以使用检测工具，再次检测硬盘坏块是否存在。如果没有修复，可以多次尝试几次。

再次提示，修复坏块时硬盘的数据会丢失，一定要做好硬盘重要数据的备份。

以上是我们介绍的通过diskgenius对硬盘的坏块进行检测与修复的方法。

NOR Flash 和 NAND Flash 的区别

参考于《ARM嵌入式系统开发典型模块》一书，仅用于笔记学习，如果侵删

Flash Memory是一种非易失性的存储器。

Flash 按照结构可以分为 nor flash 和 nand flash两大类，两者的读取速率差不多。

NOR flash的特点就是芯片内执行，这样应用程序可以直接在 flash 内存内运行，不必再把代码读到系统 RAM 中。nor flash 的传输效率很高，在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。

鉴于NOR Flash擦写速度慢，成本高等特性，NOR Flash主要应用于小容量、内容更新少的场景，例如PC主板BIOS、路由器系统存储等。

NAND FLASH写入性能好，大容量下成本低。目前，绝大部分手机和平板等移动设备中所使用的eMMC内部的Flash Memory都属于NAND FLASH。PC中的固态硬盘中也是使用NAND FLASH。

NAND flash 结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用nand flash 的困难在于flash 的管理和需要的特殊接口。

总结nor flash 和 nand flash的差别在以下的几个方面

1、容量和成本

nor flash 的容量大小为1MB~32MB ,而nand flash 的为16MB~512MB。nand flash 的单元尺寸几乎是nor flash 的一半，由于生产的过程更为简单，因此价格也是相对低。

2、性能差别

（1）nor flash 的读速度比 nand flash稍快一些

（2）nor flash 的写入速度比 nand flash 慢了很多

（3）nand flash 的4ms擦除速度远比nor flash 的5s 快

（4）nand flash 的擦除单元更小，相应的擦除电路也久更小

3、接口差别

nor flash 的接口和RAM一样，而 nand flash 是使用I/O口来串行地存取数据。

3.1 NOR Flash根据与CPU端接口的不同，可以分为Parallel NOR Flash和SPI NOR FLASH两类。

NAND FLASH 需要通过专门的NFI（NAND FLASH Interface）与Host端进行通信，如下图所示：

4、易用性

使用nor flash 的相对简单，可以非常直接地使用基于 nor flash 地内存，可以像其他存储器那样连接，还可以直接在上面运行代码

而使用 nand flash 的话就复杂了，需要I/O接口，必须先写入驱动程序，才可以继续执行其他的操作。

5、耐用性

在nand flash内存中的每个块的最大擦除写次数是100万次，而nor flash 的擦写次数是10万次。

NAND FLASH根据每个存储单元内存储比特个数的不同，可以分为SLC（Single-LevelCell）、MLC（MulTI-LevelCell）和TLC（Triple-LevelCell）三类。其中，在一个存储单元中，SLC可以存储1个比特，MLC可以存储2个比特，TLC则可以存储3个比特。每一个存储单元内部通过不同的电压等级来表示其所存储的信息。在SLC中，存储单元的电压被分为两个等级，分别表示0和1两个状态，即1个比特；在MLC中，存储单元的电压则被分为4个等级，分别表示00011011四个状态，即2个比特位；同理，在TLC中，存储单元的电压被分为8个等级，存储3个比特信息。

NAND FLASH的单个存储单元存储的比特位越多，读写性能会越差，寿命也越短，但是成本会更低。

6、坏块处理

nand flash 器件中的坏处是随机分布的

nand flash 器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。

7、位交换

所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，nand flash发生的次数要比nor flash多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。

一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用EDC/ECC算法。

这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。

8、主要用途

nor flash常用于保存代码和关键数据。nand flash 用于保存数据。

9、软件支持

当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。

在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，

在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，

NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。

使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。

驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

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