NVME SSD选择TLC还是QLC？全方位对比测评给你答案

近年来NVMe协议的M.2固态硬盘，凭借着更高性能的表现，已逐渐获得市场认可，装机时首选NVMe协议的M.2 SSD也已成主流趋势。虽然同为NVMe协议的M.2 SSD，但由于存在TLC和QLC两种不同类型的闪存颗粒，使得SSD性能截然不同。QLC虽然提升了容量但其性能和寿命都不如目前技术成熟的TLC。ITheat热点科技选取了市面上分别代表TLC和QLC的几款主流NVMe SSD来做一次全面的对比横评，告诉你为什么现阶段，TLC更值得选购。

此次参与横评的三款NVMe SSD分别为西部数据 SN500、Intel 660P以及金士顿 A1000。 对于大多数消费者来说500GB足够作为系统盘再安装一些常用的软件，所以这三款硬盘的容量我们也都统一选择500GB规格。

我们还是来看一下三块SSD的具体规格参数。

西部数据 SN500的主要组成部分其实只有一颗TLC NAND Flash闪存芯片和一颗主控，总写入为300TBW，并且其主控芯片以及闪存颗粒用的都是自家产品。毕竟西部数据在闪存方面的技术积累深厚，全球第一个3D 64层和96层3D闪存技术都出自西数之手，采用自家的主控与闪存颗粒自然也能够更好地发挥闪存的性能，成本也相对更低。

而金士顿 A1000则是采用了群联的PS5008-E8主控，512MB的DDR3L缓存芯片以及四颗128GB的东芝TLC闪存颗粒芯片，总写入也为300TBW。

Intel 660P搭载了惠荣SMI2263主控，256MB的DDR3缓存芯片以及两颗QLC闪存颗粒，总写入为100TBW。另外值得一提的是西部数据 SN500与金士顿 A1000都是走的PCI-E 3.0 x2通道，而Intel 660P则是走的PCI-E 3.0 x4通道。

相信大家都知道对于SSD来说，闪存颗粒这样的核心元器件是影响SSD性能表现的最大因素之一。目前主流的NVMe SSD大部分都是选择TLC类型的闪存颗粒，比如此次参与测评的西部数据WD Blue SN500与金士顿A1000都是搭载3D NAND TLC 64层闪存颗粒。也有小部分固态硬盘则是采用了目前还并不算常见的QLC闪存颗粒，比如Intel 660P就是配备的3D NAND QLC 64层闪存颗粒。那么TLC与QLC有什么区别，哪一个更好呢？

首先是在稳定性与寿命方面，QLC由于单位存储密度更大，是TLC的两倍，所以其电压更难控制，从而影响到性能以及稳定性；而Intel 660P采用QLC闪存的写入总数据量大约为100TBW，只是同样容量西部数据 SN500采用TLC闪存的三分之一左右，因而我们也能够对比出QLC寿命相较于TLC会低很多。在性能方面，虽然采用QLC闪存颗粒的SSD在缓存容量内也能够达到与TLC相近的读写速度，但是一旦缓存耗尽后其持续写入速度将会大幅下跌，甚至速度会不敌传统的机械硬盘。

不过QLC闪存颗粒也不是没有优势，它的生产成本相较于TLC更低，虽然目前QLC的技术可能还不够成熟，但是也许在未来随着成本的下降，取代机械硬盘也不是没有可能。当然，这还需要时间去验证，作为消费的我们也不用着急，如果QLC技术发展更为成熟，肯定会有很多闪存厂商争先恐后推出容量更大，价格更优的SSD。

测试平台

介绍完毕，接下来我们就通过软件以及实际应用场景的测试来看一看哪一款SSD表现最出色吧。

首先是CrystalDiskMark，经过测试我们可以看出西部数据 SN500的顺序读写分别为1751.9MB/s与1465.7MB/s；金士顿 A1000顺序读写分别为1601.7MB/s与1042.8MB/s；Intel 660P顺序读取达到1843.6MB/s，但是写入垫底，仅有981.7MB/s。总体来看西部数据 SN500，表现更好。

而在4K Q32T1的测试项目中，西部数据SN500的读取为439.3MB/s，写入为348.2MB/s；金士顿 A1000的读取为535.6MB/s，写入为524.8MB/s；Intel 660P的读取为345MB/s，写入为541.6MB/s。英特尔的写入表现最好，而金士顿的读取表现最好。

在AS SSD BenchMark测试中，西部数据SN500达到了3453分，而金士顿则为2438分，Intel 660P最低，仅为1851分，三款SSD的差距表现还是很大的。

西部数据 SN500读写分别达到1582MB/s与1385MB/s。金士顿 A1000的读写成绩分别为1379MB/s与943MB/s；而Intel 660P表现与之前相似，读取达到最高，达到了1685MB/s，但是写入最低，仅有925MB/s。

在4K测试项目中，西部数据 SN500读取速度为27.31MB/s，写入达到了149.83MB/s，金士顿 A1000的读取达到25.79MB/s，写入为110.78MB/s，Intel 660P在三者中读取最佳达到了44MB/s，写入也有144.34MB/s，仅稍弱于西部数据 SN500。

同样，在TxBenchMark测试中，西部数据 SN500顺序读写分别为1700MB/s与1463MB/s。金士顿 A1000顺序读写分别为1587MB/s与1040MB/s；Intel 660P读取达到1791MB/s，稍强于西部数据 SN500，但是又一次在写入方面落后于前两者，仅有996MB/s。

而在4K Q32T1的测试中，西部数据 SN500的读取509MB/s，写入为445MB/s；金士顿 A1000的读取为522MB/s，写入为501MB/s，Intel 660P的读取为340MB/s，写入为521MB/s。

通过上面的三款软件测试我们可以看出其测试结果都表明在顺序读取方面，Intel 660P表现最好，稍稍强于西部数据 SN500，金士顿 A1000最弱；顺序写入方面西部数据 SN500拥有最佳的表现，并且能够拉开另外两款SSD较大的差距；而在4K读取方面，Intel 660P表现最好，领先于西部数据 SN500与金士顿 A1000；4K写入方面，三者虽然互有胜负，但综合来看还是Intel 660P更强一些，但是相较于另外两款SSD并没有绝对性的优势。

在PCMark 8的测试中，我们测试西部数据SN 500的硬盘速度为401.44MB/s，金士顿 A1000为271.79MB/s，而Intel 660P略高于金士顿 A1000，达到了287.23MB/s，不过其成绩相较于西部数据 SN500仍然有较大的差距。

上面我们有提到固态硬盘在缓存之内能够有更好的读写表现，但是缓存用完之后速度则会降下不少，有的固态硬盘还是动态缓存或是虚拟缓存。存储的文件越多，可用的缓存就越少，降速就越快，所以我们也用HD TUNE PRO对这三款硬盘进行了测试。

通过测试可以发现西部数据 SN500的缓存最少，仅有大约6GB左右，但其读取还是写入都是三者最高，虽然缓存少掉速比较早，但是掉速之后的读取仍然有1500MB/s左右，而写入也还有750MB/s上下。

而金士顿 A1000则表现更好一些达到了24GB左右，在读取上与西数SN500几乎相当，但是写入更低，掉速之后只有500MB/s。

Intel 660P软件测试的结果是拥有70GB左右的缓存，这个结果还是令我们大吃一惊的。不过其写入与读取速度没有前两者高，在掉速之后写入就像跌进了深渊，差不多100MB/s的速度，简直不敢让人相信这是NVMe协议的SSD。根据这个测试结果，我们推测Intel 660P可能是采用了全盘模拟SLC缓存设计，一旦存储的容量达到了一定程度，SLC缓存量就会降低，并且性能也会有十分明显的降低；而金士顿 A1000则可能是动态SLC缓存设计，性能会随着硬盘可用空间的减少而逐步下降。

当然软件测试反应的只是SSD的理论水平，而SSD在实际应用中的表现其实是我们更加应该关注的，为此我们也进行了以下比较贴合实际生活应用的测试。

首先是实际的文件拷贝中我们也能够很清楚地看到在空盘状态下，将一份大小为30GB的文件分别复制到三块SSD中，三者都保持了较高的写入速度，没有出现性能下降异常的状况。

其中西部数据 SN500在缓慢降速后依然保持约750MB/s的速度，耗时35秒；金士顿 A1000降速来的更晚，但是降速后速度要低于西数 SN500，所以也耗时35秒；而Intel 660P的写入要稍弱于前两者，最终耗时39秒。

西部数据 SN500

金士顿 A1000

Intel 660P

但将三块SSD都装满一半的容量时再进行该项测试，我们可以发现其中西部数据 SN500能够在初始速度保持较高的写入，后面虽然开始降速，但确实一个缓慢的过程，而且降速之后也能够稳定维持在750MB/s；而金士顿 A1000降速到515MB/s后，表现也算比较平稳；Intel 660P在复制文件时，缓存相对较多，降速时间相对靠后，但是降速之后硬盘的速度便惨不忍睹，仅维持在60MB/s左右的速度，甚至不如普通的机械硬盘速度。

最终西部数据 SN500耗时35秒，与空盘状态下保持一致；金士顿 A1000耗时52秒，相较于空盘状态下的35秒已经有了较大的差距，这说明金士顿 A1000随着硬盘可用空间的减少，实际的性能已经受到影响；而Intel 660P更是耗时215秒，与空盘状态下的表现已经是天壤之别，随着硬盘文件存储的增加，Intel 660P的性能下降十分地明显。考虑到我们在日常使用时硬盘存储的数据会越来越多，所以金士顿 A1000与Intel 660P在实际使用中降速问题应该会越来越明显，西部数据 SN500在这方面则会有更好的表现，即使随着硬盘可用空间的减少也不会有性能下降的问题出现。

Intel 660P 存储50%以上状态

在硬盘存满一半的空间之后，我们也再次对Intel 660P进行了软件测试，在HD TUNE的测试中，其缓存并没有像之前一样拥有70GB，而是在4GB左右时就彻底降速，之后便一直维持着不到100MB/s的写入速度。这也印证了我们上面的猜想，Intel 660P采用了全盘模拟SLC缓存的设计，随着硬盘可用空间的减少，SLC缓存量也越来越少，性能表现越来越差。

金士顿 A1000 存储50%以上状态

而金士顿 A1000缓存也从24GB减少到12GB，这也印证我们的猜想，金士顿 A1000是采用了动态SLC缓存的设计，随着硬盘可用空间的减少，SLC缓存量也会逐步降低，性能也会随之降低。

西部数据 SN500则是和之前保持一致，缓存容量依旧为6GB左右，降速后依旧保持着750MB/s左右的写入速度，这说明其不会出现硬盘可用空间减少性能也随之下降的情况。所以再次综合对比来看在实际应用中，西部数据 SN500能够保证在硬盘存储大量数据之后依旧保持最佳性能，而其它两款SSD则会有性能下降的表现，特别是Intel 660P的掉速情况最为严重。

接下来是实际日常环境应用的测试，解压一个30G大小的压缩包。

我们日常生活中也是会比较经常解压文件，而30GB的文件解压测试，西部数据 SN500耗时1分39秒，金士顿 A1000耗时2分15秒，Intel 660P总耗时7分10秒。三者的成绩还是比较大的，西部数据 SN500表现最好，金士顿 A1000落后其半分钟左右，而Intel 660P则与前两者有比较大的差距了。

此外我们也测试了三款SSD在安装与载入LOL游戏时的表现，其中安装方面，西部数据 SN500表现最好耗时8分11秒，金士顿 A1000耗时8分23秒，Intel 660P耗时8分18秒，三款SSD的表现有一定的差距但是不大；而载入方面三款SSD的差距则并不明显，都保持了较高的水准。

在进行读写测试时，我们也测试了这三款SSD的发热表现，毕竟SSD长时间处于较高温度的状态也可能会导致发生降速、不稳定的情况，并且夏天快来了，机箱里还是少点温度更好。

通过热成像仪测试我们可以看到，在室温为25℃的情况下，三款SSD中西部数据 SN500全速运行时最高温度为50.3℃，金士顿 A1000的温度则为52.4℃，而Intel 660P则达到了70.4℃，远高于前两者。

总结：

综合以上的软件测试以及实际场景应用测试得出的数据，我们也做了一个汇总数据对比表格，其中每个测试项目的最优成绩都已用黑体加粗。

通过表格直观的数据对比，我们可以看到软件测试中西部数据SN500在顺序写入和4KQ1T1写入方面的表现最为出色，Intel 660P则是在读取方面更为优秀，而金士顿A1000则整体表现平平。在SLC Cache、PCMark 8、文件拷贝压缩、游戏以及散热的对比环节，西部数据SN500可以说是一骑绝尘，完全是对Intel 660P和金士顿A1000碾压级别的表现，并且考虑到这部分的数据表现更影响日常使用感受，更贴近真实使用体验，所以我们认为西部数据SN500的性能表现是这三款SSD中最为优秀的。

最后，SSD毕竟不是快消品，购买SSD还是要从寿命以及长久使用的稳定性等多方面来考虑。虽然参与测评的三款SSD都拥有5年官方质保，但是西部数据SN500与金士顿A1000采用TLC闪存颗粒在相同容量下的写入寿命是Intel 660P采用QLC闪存颗粒的三倍，所以目前来说还是TLC闪存颗粒更加值得选择。再综合硬盘性能来抉择的话，毫无疑问西部数据 SN500是三款中最值得选购的。

一线品牌旗舰NVMe SSD横评：都是原厂闪存，为何有差距？

对于高端NVMe SSD市场来说，各家大厂的争夺也是异常激烈，每家各显神通，对产品都有着不同的策略和定位。这给消费者的选购也带来了一些困惑，官方公布的数据非常接近，但实际性能是不是都一样？于是，本期的对比横评应运而生，我们选择了4款热门的高端NVMe SSD进行横向对比评测，他们分别是：三星970 EVO、东芝RD500、西部数据SN750、英特尔760P，这几家也都采用了各自的原厂颗粒，而且价格区间也比较接近。我们通过理论测试、应用测试以及极限测试，来还原每款产品的最真实本质，到底哪一款才是满足你使用需求的那颗菜？

选择的这4款产品都是目前的热门产品，但他们却各有特色，并且为了发挥出产品的最强性能，我们都选择了1TB容量的版本，这4款产品分别是：

三星970 EVO ，前上一代消费级TLC固态硬盘中的热点产品，因为产品更新，价格有所回落，与其他固态硬盘价格更为接近。三星这款固态硬盘采用的是64层的V-NAND，总写入量达到1200TBW，提供5年质保。官方给出的最大连续读取3500MB/s、连续写入2500MB/s，随机4K读取500K IOPS，随机4K写入480K IOPS。

西部数据WD_BLACK SN750，也是市场上关注度较高的SSD产品。它采用自家的3D NAND TLC闪存颗粒和主控，总写入量达到600TBW，提供5年质保。官方给出的最大连续读取3470MB/s、连续写入3000MB/s，随机4K读取515K IOPS，随机4K写入560K IOPS。

Intel 760P，2018年年初诞生的产品，因为其性能在当时属于顶尖水准而且价格能够接受，并且凭借Intel的口碑以及品质也是得到众多用户的青睐。它颗粒采用自家的64层3D-NAND闪存颗粒，总写入量在576TBW，提供5年质保。官方给出的最大连续读取3230MB/s、连续写入1625MB/s。随机4K读取340K IOPS，随机4K写入275 IOPS。

东芝RD500，最近刚刚发售的全新产品，推出后就在网上口碑很好,是PCIe Gen3*4规格的新晋旗舰产品，之前低一个级别的RC500在同类型产品中有着出众的表现，广受好评，而作为更高阶的RD500。RD500的存储颗粒以及主控单元依然都是使用的是东芝原厂芯片，采用96层3D BiCS FLASH技术。总写入量600TBW，提供5年质保。官方给出的最大连续读取3400MB/s、连续写入3200MB/s。随机4K读取640K IOPS，随机4K写入600K IOPS。

测试方向&测试平台

针对不同固态硬盘的性能差异，我们主要通过理论性能测试、实际使用测试，极限读写测试，温度这四个方面，对4款固态硬盘的进行全面考量。

为了保证这里横评的4款固态硬盘可以说代表了当前市场上最强的固态硬盘，测试平台不能太差，因此选择i9 9900K搭配华硕M11H作为测试平台上，具体配置如下。

理论性能测试

常规跑分测试

首先是使用AS SSD Benchmark，CrystalDiskMark这两款软件,在默认设置下对固态硬盘的最大连续读写、4K随机读写进行测试。

首先从AS SSD Benchmark得分而言，RD500获得了最高的分数，主要强在它的4K-64性能，分数达到了6475分，几乎高出了第二名的SN750 1000分，970 EVO第三，760P最后。

而在使用CrystalDiskMark这款软件进行测试后，测试的结果基本类似。在顺序读写上，只有Intel 760P有明显的差距，其他固态硬盘之间的差距较小。而在更重要的4K随机读写上，东芝RD500的多线程4K随机读写能力更强一些，这也说明AS SSD Benchmar评分机制中4K随机读写的成绩会占较大比重，因为在日常应用中4K也最经常被使用到。

在这个环节中，主要是验证了固态硬盘均达到了官方给出了最大指标，，接下来还需要进行更详细的测试，来对比四款硬盘的性能。

空盘SLC缓存测试

在TLC 硬盘中，为了解决TLC NAND Flash自身读写较慢的问题，厂商为TLC固态硬盘配备了SLC Cache缓存空间，一旦这个缓存使用完，往往就会出现断崖式降速。而上面在默认情况下使用AS SSD Benchmark CrystalDiskMark这些常规固态硬盘跑分软件无法反应出硬盘降速问题，测试出来的成绩其实都是在测试SLC Cache的性能，从某种意义上来说，SLC Cache的综合性能代表了固态硬盘最本质的性能，因此这里就使用HD Tune分别对4块硬盘的缓冲容量大小以及缓外速度进行测试。

首先来看下三星970EVO的测试结果，它的缓存容量约为43G，缓内速度约为2400m/s，而缓存外的写入速度达到了1300M/s。

对于WD_BLACK SN750来说，它的缓存容量一直是个弱项，缓存仅有13G，缓内速度2750m/s，缓存速度缓外略高于三星，速度约为1500M/s。

接着就是东芝RD500，它的的缓存容量约为41G，稍弱于三星970EVO，但缓内速度约为2900M/s，比三星西数都要高一点，而缓外速度是1000M/s。

最后是英特尔760P，缓存容量约为10G，缓内速度仅有1500M/s而缓外速度仅有900M/s左右，后期写入速度也发生了明显的掉速，是所有产品里表现最差的 。

东芝RD500与三星970EVO可以说在这个环节里处于伯仲之间，两款固态硬盘都拥有40GB以上的缓存容量，东芝RD500拥有最快的缓内速度，缓外速度略低于三星970 EVO。而西数SN750的缓存容量偏小，仅有约13GB，与前2名的SLC缓存容量差距较大，但缓外速度达到1500M/s，算是也能弥补一些SLC缓存容量偏小的问题，英特尔760P的成绩依然垫底。

80%占用SLC缓存测试

接下来我们还将进行更为激进的测试，我们给4块硬盘分别填入800G的文件，让固态硬盘的占用在80%左右，以简单模拟长时间使用后硬盘空间减小的情况，看看在这种情况下，固态硬盘的缓存大小，缓存速度和缓外速度会发生怎样的变化。

首先还是对三星970EVO进行测试，它缓存容量下降到只剩5GB，看出其采用动态缓存设计，缓内速度约为2400m/s，而缓存外的写入速度依然有1300M/s左右。

WD_BLACKSN750的缓存容量依然为13G，是固定缓存设计，缓外速度略微降低2700m/s左右，缓存速度缓外速度约为1500M/s左右。

东芝RD500的缓存容量约为24GB，缓存速度约为2600M/s，而缓外速度依然为1000M/s，可以看出它与三星970 EVO相同，采用了动态缓存设计，但与三星的机制不同，SLC缓存依旧比较大，这对RD500的性能也会有一定的帮助，可以弥补外存外速度不高的问题

英特尔760P的缓存容量下降到了5GB，缓存速度仅有1500M/s而且缓外速度仅有850M/s左右，表现依旧是最差的。

在填入800G数据后，除了WD_BLACK SN750表现比较稳定外，外其余3款SSD均发生不同程度的波动，主要都是缓存容量发生变化。

东芝RD500和三星970EVO 空盘状态下均为缓存大小基本一致，可填入数据后线东芝RD500的缓存容量依然还有24GB，而三星970EVO 却发生大幅下降，这可能和东芝RD500的缓存策略有关，在有限的空间内，RD500会尽可能调用剩余空间提供足够大的SLC 缓存，以保证硬盘能够长时间高速运行，这也从侧面说明，东芝对于自家颗粒的寿命是否有自信。就从这一环节表现来看，RD500的缓存性能策略是要好于三星的。而760P缓存容量下降为原来的一半，同样仅有5G左右的缓存容量。

极限读写测试

通过上面针对SLC缓存的测试，我们也非常期待在实际的环境下这些固态硬盘的表现是否也向上面测试结果表现出来的一致，我们将分别测试四款固态硬盘在空盘以及80%占用下进行拷贝40G/60G单个大文件，拷贝26G碎文件以及解压47G游戏压缩包的速度。

40G/60G单个大文件拷贝测试

测试文件是单个大小约为40G/60G的压缩包，模拟拷贝大文件写入场景（例如：游戏压缩包、高清视频素材等），主要是测试固态硬盘持续写入的能力，其中固态硬盘的缓存大小以缓外速度会对最终的测试成绩产生较大的影响。

这个测试结果也印证了我们之前HD Tune对于SLC缓存的测试结论。在拷贝40G文件时，得益于东芝RD500最大的SLC缓存容量和最快的缓内速度，在这个环节中排名第一，而西数SN750因为缓存偏小，但缓外速度，紧接其后位于第二。而三星970 EVO虽说同样拥有43G的大缓存，在空盘时表现不错，不过随着使用容量增加缓存容量下降的较快，在80%占用的情况下，拷贝用时有所增加，位于第三位。而Intel 760P的性能始终不太理想基本处于倒数第一。

而在将拷贝文件增加至60G后，SN750的综合成绩基本和RD500差不多，这也是因为拷贝文件已经超过RD500的最佳性能区域，有部分文件是在以缓外速度进行写入，而SN7501500M/s的缓外速度占了一些优势，，不过在日常使用中，对于绝大部分用户来说大文件的拷贝频率一般不会太高。

26G碎文件拷贝测试

这里选择测试的碎文件是由Windows系统文件以及游戏原文件组成的碎文件包，与上面的大文件测试不同，主要是对硬盘的4K随机写入能力提出要求，可以一定程度模拟游戏及大量文件转移时的情况。

在这个环节中，空盘状态下除了Intel 760P，其他固态硬盘均保持21s左右完成26G文件的写入，要领先760P 30s。而在80%占用后，WD_BLACK SN750，东芝RD500以及三星970 EVO，成绩非常接近，分别差距2秒，而英特尔760P因为自身读写速度不足，稳定处于最后一位。

47G压缩包解压测试

测试用的游戏压缩包是《地铁离去》的游戏原文件压缩包，所有压缩包文件大小在47G左右，游戏压缩包放置在测试硬盘内，并解压到同一个文件夹中，这种情况下固态硬盘的读取与写入能力会同时影响到解压用时。

在游戏解压环节上，三星，东芝，西部数据固态硬盘之间的差距都非常小，不过三星970EVO以相对微弱的优势处于这个测试的第一。综合看来三星，东芝，西部数据属于这项测试的第一梯队，垫底依然是Intel 760P。

实际使用测试

游戏加载测试

现在的游戏文件越 来越大，打开游戏会涉及大量文件的读取，硬盘的读取能力会直接影响到游戏体验。因此这个环节通过测试游戏的加载时间来看看四款固态硬盘的成绩。游戏测试这里是选择今年发行的两款顶配游戏，众生平等：《刺客信条：奥德赛》以及显卡杀手：《地铁：离去》两款游戏在1080P分辨率下均无脑开启最高特效（地铁关闭光追）分别记录《刺客信条：奥德赛》第一存存档点和《地铁：离去》伏尔加河关卡的加载时间。

在游戏中，四块固态硬盘，无论是空盘还是80%占用下，游戏加载上均保持非常相近的成绩，而且4款SSD无论是空盘还是80%占用，都不会对游戏体验造成明显的影响，可以保持体验一致性。

PSB文件使用测试

在游戏之外，进行图片内容创作创作也是很多用户在电脑中会使用到的，这里我们使用Photoshop对硬盘的性能进行测试。由于一般简单PS修图对硬盘的读写性能要求并不高，可在使用PS制作海报时，工程文件动辄数G，原文件的打开与保存会耗费大量的时间，于是这里准备了一个大小约为2.7G的PSB海报工程文件作为固态硬盘的读写测试文件，分别测试硬盘的固态硬盘在空盘与80%占用下的打开与保存速度。

在打开PSB文件上，四款硬盘的在相同状态下的差距不大于2s，完全可以认为4块硬盘打开PSB文件的性能非常接近。而在保存PSB文件上，唯有三星970 EVO在80%占用后发生了显著变化，用时在40s以上，比其他硬盘要慢上5s。

综合上诉实际使用测试，在空盘状态下四款固态硬盘的成绩都基本趋于一致，实际表现并没有非常明显的区别，可以说现阶段的高阶TLC固态硬盘已经都能够完全胜任这些基础软件操作和应用场景，即便是面对众生平等奥德赛和显卡杀手地铁逃离这种级别的大型游戏文件，这款4款固态硬盘应对起来都是绰绰有余。

表面温度

在这个环节中，使用热成像仪记录4块固态硬盘在待机状态下的温度以及长时间拷贝文件的极限温度。主机是直接裸露在外，为了加快测试过程，主板上会同时插上两块固态硬盘，因此下面的热成像图片会有两种背景。由于热成像仪器在记录银色金属主控时会触发识别误差，因此在RD500的主控位置盖上一张纸片，以避免热成像设备触发BUG。

在待机状态，四款固态硬盘的温差在41度到53度之间，最高温度都集中在主控位置。其中SN750温度最高，待机状态下主控温度达到53度。接着是760P待机温度为48度。970 EVO与待机温度均为45度，位列第二，而RD500待机温度最低，仅有41度，是待机温度最低的固态硬盘。

在满载测试的情况下，三星970EVO与西数SN750主控的温度最高，三星970EVO的温度更是达到99度，作为上一代的老款旗舰，温度确实太高了，SN750的温度也来到92度。而东芝RD500的最高温度78度左右，最高点依然处于主控位置。温度最低就是Intel 760P，主控温度仅有72度，比西数要低20度，当然性能低温度也低。

结论

测试到这里，相信各位对这4块固态硬盘的性能有了自己的看法，接下来我们就逐个分析和复盘。因为这4块固态硬盘都是目前市面上的旗舰产品，自然有他优秀的地方，所以接下来的横评结论会从理论性能、实际应用等多个维度给出综合点评。

三星970 EVO 这是上一代旗舰产品，不过在性能上，毫无疑问依然属于目前旗舰水平，能够跟上最新旗舰产品的节奏，但详细对比后会发现，在一些细节上已经落后于现在的新款产品，例如最高读写速度，缓存速度而这些落后的项目中，最为突出的就在于高达99度的主控温度，在电脑机箱内想要找到比他更高的芯片还真有点难度。如果在夏天，持续高负载读写下主控温度破百不是问题，作为日常使用时，还是考虑为其增加散热片，增加使用时的稳定性，这也是消费者需要考虑的一个重要环节。

东芝RD500 一款刚上架不久的新旗舰级产品，采用96层3D BiCS FLASH堆叠技术、东芝原厂颗粒的产品，在硬件技术上是领先的。此外RD500的，整体性能也是可圈可点的，无论在理论测试还是极限测试环节中都有多个项目领先，依托于优秀的SLC Cache缓存机制，以及最大的43GB的缓存空间和最高的缓内速度，在最经常用到的中小型文件读写场景下有着非常明显的优势，再加上较低的主控温度表现。目前阶段，从数据上综合来看RD500是很值得选购的旗舰NVMe SSD产品。

西部数据WD_BLACK SN750 在综合性能表现上，SN750无论是日常游戏、内容创作的表现都是比较稳定的。也是因为得益于其固态缓存的设计，不过约13GB的缓存容量在目前的各类旗舰NVMe SSD中来说有些捉襟见肘，但其拥有1500M/s的缓外速度也能作为缓存容量不足的补充，另外一个缺点就是相对较高的主控温度，这个需要消费者后期自己额外购买第三方散热片，或是选择价格更高的EKWB版本，但如果这么做性价比就相对不高了。

Intel 760P 算是4款测试产品中“年龄”最大的固态硬盘了，在很多测试环节中，成绩都排在最后一名，面对现在使用新技术的固态硬盘，760P的极限性能确实有些招架不住。不过之所以知道他的成绩垫底，也是因为进行了日常使用比较少见的极限性能测试，而在常规使用环境下，相信也没多少玩家会像我一样天天去拷贝数百G的文件，更何况他的温度表现是四款固态硬盘中最优秀，软件体验也是一致。所以真的落到实际使用时，760P会更适合在笔记本上使用，只要入手的价格合适也不是不能选择。

每款产品代表着每个厂商在推向市场时都有自己的策略和定位，在选择能满足自己需求，同时又能以比较小代价得到的我们就称之为高性价比，这也是本文想要阐述的观点，希望能为近期想要选购高性能NVMe SSD的玩家们一些启发和借鉴。

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