集邦咨询：第二季DRAM合约价涨幅上修至13~18% NAND Flash约15~20%

每经AI快讯，5月7日，据TrendForce集邦咨询最新预估，第二季DRAM合约价季涨幅将上修至13~18%；NAND Flash合约价季涨幅同步上修至约15~20%，全线产品仅eMMC/UFS价格涨幅较小，约10%。

每日经济新闻

台积电：2nm节点进展顺利，2025下半年推出N3X、N2制程

IT之家 5 月 24 日消息，据台媒《MoneyDJ 理财网》报道，台积电高管在 2024 年技术论坛新竹场上称，其采用 Nanosheet 纳米片（GAA 晶体管）的 2nm 节点进展顺利。

台积电联席副 COO 张晓强表示，台积电的 2nm 制程进展“非常顺利”：目前纳米片的“转换表现”已达到目标 90%，按良率计算也超过了 80%。

台积电认为其 N2 制程在 2025 年推出时，将继续成为代工业界最领先的技术。

▲ 论坛上的张晓强。图源台积电官方社交媒体动态

另据外媒 Anandtech 整理，台积电将在 2025 下半年实现 N2 制程量产，同期还将带来 3nm 家族中面向 HPC 应用的 N3X 制程。

N3X 制程拥有更高的 1.2V 最大电压，相较 N3P 制程在相同频率下功耗降低 7%，在相同面积下性能提升 5%，在相同频率下密度提升 10%。另据IT之家此前报道，该节点有望从今年开始接获投片。

而在 2026 下半年，台积电将量产两个 2nm 家族变体制程：N2P 和 A16。

N2P 制程将相较 N2 制程在相同频率和密度下功耗降低 5~10%，在相同密度和功耗下性能提升 5~10%。

在 A16 节点，台积电将正式引入背面供电技术。该制程可在相同工作电压下，频率提升 8~10%；在相同频率下功耗降低 15~20%，密度至高提升 10%。

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