长江存储，突传大消息！

最近两天，芯片界的大事不断！

据多家媒体报道，中国3D NAND领军企业长江存储已在美国加州北区对美光提起诉讼，指控这家美国公司侵犯了其11项专利，涉及3D NAND操作的各个方面。长江存储请求法院下令美光停止在美国销售其内存，并向其支付专利使用费。

这是继今年6月后，长江存储又一次对美光出手。2023年11月，长江存储就曾在美国起诉美光专利侵权，涉8项专利；2024年6月，长江存储在美起诉美光资助的咨询公司，指控其散布虚假信息。

今天，还有消息称，英伟达正在为中国市场开发一款符合美国现行出口管制的新旗舰人工智能芯片。另一方面，三星电机宣布向AMD供应面向超大规模数据中心领域的高性能FCBGA基板。

来看报道！

长江存储突发

据媒体报道，中国3D NAND领军企业长江存储已在加州北区对美光提起诉讼（通过 Blocks&Files），指控这家美国公司侵犯了其11项专利，涉及3D NAND操作的各个方面。长江存储请求法院下令美光停止在美国销售其内存，并向其支付专利使用费。

长江存储表示，美光的96层（B27A）、128层（B37R）、176层（B47R）和232层（B58R）3D NAND存储器以及美光的部分DDR5SDRAM产品（Y2BM系列）侵犯了其在美国提交的11项专利或专利申请。据@lithos_graphein收集的专利申请列表表明，它们涵盖了3D NAND和DRAM功能的一般方面。

美国商务部于2022年底将长江存储列入黑名单，这大大增加了该公司从美国公司获得先进晶圆厂设备，以制造其市场领先的3D NAND设备的难度。去年，因为美国商务部禁止销售可用于制造具有超过128个活动层的3D NAND的晶圆厂工具和技术，长江存储发展的难度再度加大。

有趣的是，总部位于美国的 Patriot Memory正在准备一款高端PCIeGen5x4SSD，其读取速度高达14GB/s。而该公司的技术正是基于一家中企——Maxiotek的控制器和长江存储的3D NAND内存。

芯片大事不断

最近，芯片界的大事可谓不断。

7月22日消息，三星电机宣布向AMD供应面向超大规模数据中心领域的高性能FCBGA（倒装芯片球栅阵列，FlipChip-Ball Grid Array）基板。

三星电机在新闻稿中宣称，其已向FCBGA基板领域投资了1.9万亿韩元（约99.5亿元人民币）。 三星电机与AMD联手开发了将多个半导体芯片集成到单个基板上的封装技术，这项技术对CPU/GPU应用至关重要，可实现当今超大规模数据中心所需的高密度互联。与通用计算机基板相比，数据中心基板面积是前者10倍、层数是前者3倍，对芯片供电与可靠性的要求更高。

据IT时代消息，三星电机副总裁兼战略营销主管Kim Won-taek表示：“我们已成为HPC（高性能计算）和AI半导体解决方案全球领导者AMD的战略合作伙伴。我们将继续投资于先进的基板解决方案，以满足数据中心和计算密集型应用不断变化的需求，为AMD等客户提供核心价值。”

AMD全球运营制造战略副总裁Scott Aylor表示：“AMD始终走在创新的前沿，以满足客户对性能和效率的需求。我们在芯片技术领域的领先地位让我们能够在CPU和数据中心GPU产品组合中提供卓越的性能、效率和灵活性。我们与三星电子等合作伙伴的持续投资，将确保我们拥有提供未来HPC和AI产品所需的先进基板技术和能力。”

三星和AMD的联手，对于全球算力需求用户来说，是一大福音，但对于GPU的最大生产商英伟达来说，可能并不是一个好消息。

而最近，英伟达也有动作。据路透社22日消息，英伟达正在为中国市场开发一款符合美国现行出口管制的新旗舰人工智能芯片。英伟达今年3月发布了“Blac kwel”芯片系列，并将于今年晚些时候量产。在该系列中，B200在某些任务（如提供聊天机器人的回答）上的速度比前代产品快30倍。消息人士称，英伟达将与其中国经销商伙伴合作推出和分销这款暂定名为“B20”的芯片。

责编：王璐璐

校对：刘星莹

中国64层NAND量产后，长江存储将尽早月产10万片

（观察者网讯）据《湖北日报》13日报道，长江存储科技有限责任公司（简称：长江存储） 副董事长杨道虹表示，2019年，国家存储器基地项目基于自主知识产权研发生产的64层三维闪存产品已实现量产。

当前及接下来一段时间，产能爬坡是长江存储的核心任务。杨道虹表示，将尽早达成64层三维闪存产品月产能10万片，并按期（二期）建成30万片/月产能 ，提升国家存储器基地的规模效应，带动（湖北）全省集成电路产业发展。

长江存储成立于2016年7月，是我国核心半导体制造企业紫光集团旗下公司，也是中国高端芯片联盟发起单位之一，主要业务为3D NAND闪存设计制造等。

2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3D NAND闪存 。2019年9月初，搭载长江存储自主创新Xtacking®架构的64层TLC 3D NAND闪存就已经正式量产。

紫光集团称，这是中国首款64层3D NAND闪存，亦是全球首款基于Xtacking架构设计并实现量产的闪存产品。

图自长江存储官网

杨道虹表示，国家存储器基地项目经过3年的建设已经取得了阶段性成效。他还提及，国家存储器基地近年来坚持研究布局新型存储器、特种存储器、物联网芯片（5G芯片）以及智能芯片产品的研发，增强核心竞争力。此外，（长江存储）还将联合国内70余家集成电路产业链上下游企业和科研院所，牵头组建半导体三维集成制造创新中心，成立中国半导体三维集成制造产业联盟。

尽管三星、镁光和SK海力士和东芝等几家厂商几乎垄断了全球的NAND FLASH市场供应，但中国闪存芯片制造业也正在崛起，且市场需求与日俱增。而长江存储就是为了打破全球垄断局面而生的。

NAND FLASH闪存需求市场，主要包括手机、平板、PC，以及汽车电子、视频监控、智能家居等，随人工智能、5G、物联网的发展，也将延伸出更多的智能应用。

本文系观察者网独家稿件，未经授权，不得转载。

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