Q3量产，SK海力士开发新一代移动端NAND闪存解决方案“ZUFS 40”

作为业界最高性能产品，将于今年第3季度开始量产并搭载于端侧AI手机 与前一代产品相比，长期使用所导致的性能下降方面实现大幅改善，其使用寿命也提升40% “继HBM后，也在NAND闪存解决方案领域引领面向AI的存储器市场”

2024年5月9日，SK海力士宣布，公司开发出用于端侧（On-Device）AI*的移动端NAND闪存解决方案产品“ZUFS**（Zoned UFS）4.0”。

SK海力士表示：“ZUFS 4.0为新一代移动端NAND闪存解决方案产品，其产品实现业界最高性能并专为端侧AI手机进行优化”。公司还强调，通过此产品， 继HBM在内的超高性能DRAM后，也在NAND闪存领域公司将引领面向AI的存储器市场。

ZUFS按数据的各自特性来区分管理智能手机应用程序生成的数据。与现有UFS不分区域而混合存储的方式不同，ZUFS可以对不同用途和使用频率的数据进行分区（Zone）存储，提高手机操作系统的运行速度和存储设备的数据管理效率。

由此ZUFS将在长期使用环境下手机应用程序的运行时间与现有UFS相比改善了约45%。而且，ZUFS在存储读写性能下降方面实现了4倍以上改善效果，从而产品的使用寿命也提升了约40%。

公司早就预测对高性能NAND闪存解决方案的市场需求有望发生，从AI热潮来临前的2019年开始与全球平台企业协作开发ZUFS。

SK海力士给客户提供初期试产品，而基于此试产品规格与客户协作开发出符合JEDEC*标准的4.0产品。公司将于今年第三季度开始ZUFS 4.0产品的量产，并且量产品将搭载于全球手机公司向后推出的端侧AI手机。

SK海力士NAND闪存解决方案委员会（N-S Committee）担当副社长安炫表示：“随着科技巨头企业专注于开发搭载自研的生成式AI的端侧，对此所需存储器的性能要求日益提高。公司将及时供应符合客户要求的高性能NAND闪存解决方案，同时加强与全球领先ICT企业的合作伙伴关系，巩固公司“全球顶级面向AI的存储器供应商”的地位。”

*端侧（On-Device）AI：在设备本身上实现人工智能运行，而非依赖物理分离的服务器进行计算。由于智能手机或PC等终端设备自行收集信息并进行运算，可提升AI功能的反应速度、加强用户定制性AI服务功能。

**ZUFS（Zoned Universal Flash Storage）：基于数码相机、手机等电子产品上所适用的通用闪存存储（UFS）改善数据管理效率的新产品。其产品将具有相似特征的数据存储在同一个区域（Zone）的方式有效管理数据，以此优化操作系统和存储之间的数据传输。

*JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)：国际半导体器件标准组织，该组织决定半导体期间的规格。

三星第9代V-NAND闪存生产首次采用钼材料，可降低层高和延迟

今年4月，三星宣布正式量产第9代V-NAND闪存，首批生产的是1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，相比上一代产品，单位面积存储密度提高了约50%，同时功耗降低了10%。三星还引入了新的技术，避免单元干扰并延长单元寿命，同时取消备用通道孔大幅减少了存储单元的平面面积。

据The Elec报道，三星在第9代V-NAND闪存的生产中，在金属化工艺过程中使用了钨，另一种则使用了钼（Mo）。目前行业内使用钨来降低层高已达到极限，换成钼可将层高再降低30%至40%，而且还能降低NAND的延迟。三星决定更多地使用钼，意味着NAND材料价值链将发生一些变化。

与六氟化钨（WF6）不同，机器需要将含有钼的原材料加热到600℃，才能将其从固体转换为气体。有业内人士透露，三星已从Lam Research公司引进了5台Mo沉积机，并计划明年再引进20台设备。三星正在从Entegris和Air Liquide采购钼，而Merck也向三星提供了样品。除了三星外，SK海力士、美光和铠侠也在寻求NAND生产中采用钼材料。

相比于六氟化钨，这些含钼的材料定价是其十倍。除了NAND闪存，钼材料未来还可能应用于DRAM和逻辑芯片。不少企业都瞄准了这个新市场，正在开发对应的含钼材料，这也意味着六氟化钨市场将不可避免地萎缩。

相关问答

三星计划何时量产基于100层V- NAND闪存 的SSD 产品 ?

三星电子刚刚宣布,其已开始生产业界首批100层V-NAND闪存,并计划在企业级PCSSD上采用。这家韩国科技巨头称,基于256Gb3-bitV-NAND闪存的SSD,已开.....

清华紫光定下 NAND闪存 时间，大家怎么看?

近期,高启全接受媒体记者采访时称:2019年,长江存储就很可能开始量产64层堆栈3DNANDFlash。这等于是说,长江存储所研发NANDFlash。另外,长江存储在今年也...近...

如何看待长江存储宣布128层 闪存 芯片研发成功，每颗1.33Tb?

2020年4月13日,长江存储科技宣布其128层QLC3DNAND闪存研已经发成功,并已通过多家控制器厂商SSD等终端存储产品使用验证(型号:X2-6070),并且同时发布了12...20.....

3D NAND闪存 技术目前市场是什么现状?

闪存技术目前已然成为各大存储厂商的必争之地。据悉,业内知名企业东芝与西部数据的合资闪存代工厂已经开始制造96层3DNAND芯片,而两家合作伙伴正在此基础上积...

NAND闪存 价格下跌，苹果怎样从中获益?

这问题也能问的出来,不就是成本降低了嘛。这问题也能问的出来,不就是成本降低了嘛。

如何看待SK Hynix量产4D NAND闪存 ?

随着64层堆栈3DNAND闪存的大规模量产,全球6大NAND闪存厂商今年都开始转向96层堆栈的新一代3DNAND,几家厂商的技术方案也不太一样,SKHynix给他们的新闪存起...

打破韩国垄断:紫光2019年要量产64层 NAND闪存 ?

好像别的回答都是网上抄来的。在大的时间范畴上看我国64层NAND在技术层面看必然会成功。当然不是一定是紫光和长江存储。粗浅见解如下,紫光本是一个整合资源...

如何看待第三季 NAND Flash品牌商营收季增幅仅4.4%?

从Q1季度之后,NAND闪存价格就止不住下滑了,主要原因是厂商的64/72层堆栈3DNAND闪存产能大增,而需求却降下来了,智能手机市场已经连续多个季度下滑,苹果新机...

DRAM和 nand 国内能生产吗?

目前,中国已经具备了DRAM和NAND闪存的生产能力。一些国内企业,如长江存储、长光、联华电子等,已经开始大规模生产DRAM和NAND闪存芯片,并正在逐步提升生产工艺...

请问电子行业中 NAND FLASH的中文怎么翻译? - 懂得

NAND闪存NANDFLASH的中文翻译为nand闪存。