美光科技：DRAM芯片供应紧张将持续数年，NAND产能今年保持稳定

记者 | 彭新

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存储芯片大厂美光（Micron）执行副总裁兼事业长Sumit Sadana近日接受采访表示，2020年汽车电子和智能型手机需求因新冠肺炎疫情而衰退，今年显现明显复苏，并带动存储器需求增长。

目前主要有两种存储器产品，一种是DRAM（动态随机存储器），用于缓存，另一种是NAND Flash（闪存），用于数据的存储。在DRAM领域，韩国三星、海力士、美国美光三家企业把控了全球主要市场份额。NAND Flash市场则由三星、凯侠、西部数据、美光和NAND Flash瓜分。

Sumit Sadana称，预期今年因数字转型持续加速、5G带动相关应用、加上车用需求快速回温，DRAM将会供不应求，目前部分DRAM产品价格已上涨，市场对DRAM的需求程度将有增无减，供需紧俏的情形将延续好几年。

集邦咨询也表示，在经历两季度的库存调整后，为减缓预期后续涨价所造成的成本上升，2021年第一季预计买方将开始提高库存，整体DRAM的平均销售单价将止跌回稳，甚至有微幅上涨的可能。

“但是NAND的情况就不太相同，目前市场上的供应还是充足的。不过随着价格的浮动，我们认为NAND这方面的产品也会出现价格弹性，也就是说市场会自行调节，可能NAND的产能也会有所调整。2021年整年，我们相信NAND的产能也会稳定下来。”Sumit Sadana说。

NAND闪存主要用在手机、固态硬盘和服务器。集邦咨询认为，2021年NAND Flash各类产品总需求位元数包含Client SSD（31%）、Enterprise SSD（20%）、UFS与eMMC（41%）与NAND Wafer（8%），由于供货商数量远高于DRAM，加上供应位元成长的幅度居高不下，预计2021年价格仍将逐季下跌。

市场调研机构IC Insights最新报告显示，2020年存储依旧是半导体成长最快的品类。其中，DRAM（动态随机存取存储器）市场预计为652亿美元，在31种集成电路产品中名列第一，NAND闪存以551.5亿美元位列第二，但涨幅最高，达25%。

Sumit Sadana表示，美光对2021年内存前景抱持乐观看法，尤其是DRAM市场展望更为乐观，部分产品已涨价，预期DRAM供不应求的状况将延续好几年，其中汽车应用将是未来十年成长最快的市场。

Sumit Sadana引用研究机构报告称，今年全球半导体产业将同比增长12％，达到5021亿美元，高于全球GDP仅5％左右的成长率，但今年全球内存产业的成长幅度将高达19％，市场规模达到1460亿美元，并对DRAM及NAND Flash市场前景抱持乐观看法。

Sumit Sadana认为新冠肺炎疫情加速了数字转型，过去可能需要3～4年才会发展的科技，现在可能只要1至2年的时间。由需求面来看，像是居家上班、远距教学、电子商务等需求，带动了个人计算机、网通设备等出货，亦同步拉动内存的需求。

关于美光今年投资计划及资本支出，Sumit Sadana表示，资本支出将会因应市场与客户的需求，预估今年DRAM位需求年成长率将达15％以上，NAND Flash的位需求年成长率将达到30％，而资本支出方面，美光今年有一部分将扩增无尘室设备，后段封测产能也会进行投资。

Sumit Sadana称，目前有一些科技的趋势正在改写整个汽车行业，比如说电动车的成长非常快速，接下来五到十年电动车的成长可能会远远超出目前大家的预期。“就像苹果颠覆了手机，特斯拉颠覆了汽车，科技的发展趋势正在改写汽车行业，我们认为电动车的成长可能会超出预期。”他表示。

Sumit Sadana相信，未来汽车搭载的信息娱乐系统，辅助驾驶功能将愈加先进，大部分由电脑控制，因此需要更多的传感器和处理能力，因此也有更多存储的需求。基于汽车需求，DRAM或者是NAND芯片的采用将上升，应用规模将达到现有数倍。

本周二，美光宣布其DRAM厂已开始量产采用全球最先进制程技术1α（10nm）生产的DRAM产品，据称采用1α工艺的DRAM更为节能、可靠。首批产品是为着重运算需求之客户提供DDR4、以及消费级DRAM产品。此外，美光LPDDR4也已开始向行动客户送样和进行验证，将于今年持续推出使用此制程技术的其他新品。

苹果迎接AI浪潮，酝酿为iPhone改用QLC NAND

IT之家 7 月 25 日消息，集邦咨询于 7 月 22 日发布市场研报，透露苹果公司正酝酿使用 QLC NAND 闪存，最早 2026 年用于 iPhone 产品中，让其存储上限达到 2TB。

QLC 和 TLC

TLC 的全称是 Triple Level Cell（三层单元） ，进一步增加存储密度，每个存储单元存储三位信息。

TLC NAND 的成本甚至低于 MLC NAND，使其成为消费电子产品和主流 SSD 的有吸引力选择。

QLC 的全称是 Quad-level cells（四层单元） ，每个单元可储存 4bit 数据，跟 TLC 相比，QLC 的储存密度提高了 33%。

QLC NAND 通常用于入门级消费者固态硬盘和大容量存储应用中，QLC NAND 的耐久度最低，通常 P / E Cycle（Program Erase Cycle）在 100 到 1000 之间。

制造商实施先进的错误校正机制、预留配置（OP）和 Wear leveling 以维持可靠性。

虽然 QLC NAND 可能不适合写入密集型工作负载，但它为日常使用提供了充足的存储容量，使固态硬碟在更广泛的用户范围内触手可及。

早有曝料苹果正推进 QLC NAND

最早曝料信息称苹果计划在 iPhone 14 系列上采用 QLC NAND，IT之家今年 1 月报道，苹果可能会在 iPhone 16 Pro 系列上采用 QLC NAND。

集邦咨询预估认为苹果公司正在加速推进 QLC NAND 换代，从而将内置存储上限提高到 2TB。

不过需要注意的是，虽然 QLC 的密度比 TLC 高，但速度却比后者慢；而且单个单元中存在更多的单元，它们的耐用性较差，这意味着它们能处理的写入周期比 TLC 少。

迎接大语言模型

苹果公司还在探索如何使用 NAND 闪存，而不是内存来存储大型语言模型（LLMs），从而能够在本地运行更多 AI 任务，因此过渡到 QLC NAND 可能有助于改善 Apple Intelligence 的表现。

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