并非eMMCUFS，苹果iPhone6s内部闪存是NVMe

iPhone6s与iPhone6s Plus在硬件的规格上有了很大的提升，但是它们身上的变化远没有苹果在发布会上所提到的A9处理器、1200万摄像头以及3D Touch那么简单，内存升级到2GB LPDDR4苹果就只字没提到，其实这两台手机上有着更大的秘密，它们的存储设备既不是eMMC也不是UFS规范，而是NVMe。

Anandtech透过深度发掘手机内的系统文件，发现iPhone 6s所用的是型号为AP0128K的苹果SSD，而2015版MacBook上所用的SSD型号为AP0256H，这两者在命名上很相似。

他们发现iPhone 6s上的SSD用的不是传统eMMC所用的SDIO接口，而是PCI-E，这个PCI-E也不电脑上的那个，是基于MIPI M-PHY物理层的PCI-E，使用NVMe接口协议，UFS规范走的也是PCI-E物理层同样是MIPI M-PHY，不过接口协议是SCSI。

一般来说现在智能手机都是使用eMMC规范的闪存存储装置，今年三星在Galaxy S6系列手机上推行了UFS 2.0规范的存储装置后手机的闪存读写性能获得显著提升，大幅抛离其他手机，现在苹果要在iPhone 6s系列手机上使用的NVMe则更是电脑上用的最新规范。

从iFixit拆解iPhone 6s和iPhone 6s Plus的照片上来看，上面闪存也只有一颗，没看到控制器，可以推断这个芯片其实已经整合了控制器以及NAND Flash，Anandtech读出了他们所测的机器上的闪存内部信息，NAND型号是1Y128G-TLC-2P，也就是说使用1Y nm工艺的TLC NAND，容量为128GB。

下面是iPhone 6s的闪存性能测试，大家来感受一下NVMe的威力：

连续读取速度是402MB/s，远远抛离上代产品

连续写入速度为164MB/s，比上一代产品翻了一翻

4K随机读取速度为22.5MB/s，比上代也有大幅提升，不过没三星的Galaxy S6强

4K随机写入速度为2.2MB/s，也较iPhone 6有很大提升，不过手机与平板这项表现都偏弱

SD NAND与eMMC优劣势对比

　　最近我们接触到一些客户，本来客户计划使用eMMC，但总觉得哪里不满意。后来跟客户做了深入沟通。你们真实的想要什么样的eMMC呢？他们给出的答案有：尺寸最小的eMMC; 最方便焊接的eMMC; 最小容量的eMMC; pin脚最少的eMMC; 功耗最低的eMMC; 擦写寿命最长的eMMC; 使用SLC NAND 晶圆的eMMC; 性能最稳定的eMMC等。

　　我们根据客户的要求进行了分析，觉得CS创世 SD NAND更适合这些客户。CS创世 SD NAND是迷你型eMMC; 6*8mm 尺寸小巧; 容量最小128MB,成本更优; 8pin脚,方便焊接; 内置SLC晶圆,10万次擦写寿命; 兼容SDIO,即贴即用; SD NAND和 eMMC在架构上，类似亲兄弟，都是内置NAND Flash晶圆+NAND Flash控制器+Firmware。

　　关于CS创世 SD NAND详细信息可以参考链接：http://www.longsto.com/product/31.html。那SD NAND和eMMC又有哪些不一样呢？在这里把CS创世 SD NAND和eMMC特性列出来：

　　可以看到客户有如下需求时，选择SD NAND会比eMMC更合适一些:

　　1：需要芯片尺寸小。贴片式SD卡是 6*8mm；eMMC是11.5*13mm；

　　关于它们的尺寸大小和封装，给大家看一张这个产品实物图的对比（从左往右）

　　2：要求小容量。SD NAND是128MB-4GB；eMMC容量≥16GB；

　　3：要求擦写寿命长，耐擦写。SD NAND是内置SLC NAND Flash晶圆,擦写次数可以达到5~10万次； eMMC使用MLC晶圆，擦写寿命3千次 （非主流），TLC晶圆，擦写寿命一般是500次左右（主流）。

　　4：要求方便焊接，pin脚少的。 SD NAND LGA-8封装，机贴手帖都方便； eMMC是153 Ball，BGA封装，焊接难度加大了不少。

　　5： 客户采用的CPU本身不支持eMMC接口，又需要大容量存储。这点在MCU平台上经常会碰到。这时候CS创世 SD NAND是不二选择 。

　　6：对PCB板层数要求比较少。很多客户做一些类似玩具，小家电等产品。基本上2层板就够用了。如果这个时候使用eMMC，那PCB板至少要变成4层。会增加硬件的布线难度和PCB的成本。

　　那什么情况下使用eMMC比较合适呢？

　　1，容量需求比较大。>= 8GB时。

　　2，主控支持eMMC。

　　3，PCB板面积够大且层数> 4层。使用eMMC，需要预留11.5*13mm的空间‘PCB至少4层板，需要埋盲孔；BGA 153个ball，0.5mm的pin间距。

　　想了解CS创世 SD NAND更多信息，请点击链接:http://www.longsto.com/product/31.html。

　　亲爱的卡友们，欢迎光临雷龙官网，如果看完文章之后还是有疑惑或不懂的地方，请联系我们，自己去理解或猜答案是件很累的事，请把最麻烦的事情交给我们来处理，术业有专攻，闻道有先后，雷龙发展专注存储行业13年，专业提供小容量闪存解决方案。

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