长江存储“跳级”推出128层闪存，单颗容量133Tb

（文/观察者网 吕栋）4月13日，长江存储宣布，该公司跳过96层，成功研发128层QLC3D NAND闪存（型号：X2-6070），并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。

长江存储一期生产线月产能10万片，今年以来产能一直在爬坡。对于量产时间，长江存储向观察者网透露，配合前述产能，128层NAND闪存将于今年年底到明年上半年陆续量产。

去年9月，长江存储已开始量产基于Xtacking®架构的中国首款64层3D NAND闪存。对此，该公司指出，作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。

据介绍，QLC是继TLC（3 bit/cell）后3D NAND新的技术形态，具有大容量、高密度等特点，适合于读取密集型应用。每颗X2-6070 QLC闪存芯片拥有128层三维堆栈，共有超过3665亿个有效的电荷俘获型（Charge-Trap）存储单元，每个存储单元可存储4字位（bit）的数据，共提供1.33Tb的存储容量。

长江存储X2-6070 128L QLC 1.33Tb 3D NAND

长江存储市场与销售高级副总裁龚翊（Grace）表示：“作为闪存行业的新人，长江存储用短短3年时间实现了从32层到64层再到128层的跨越。这既是数千长存人汗水的凝聚，也是全球产业链上下游通力协作的成果。随着Xtacking®2.0时代的到来，长江存储有决心，有实力，有能力开创一个崭新的商业生态，让我们的合作伙伴可以充分发挥他们自身优势，达到互利共赢。”

此次同时发布的还有128层512Gb TLC（3 bit/cell）规格闪存芯片（型号：X2-9060）。

实现1.6Gbps传输速率

据长江存储介绍，得益于Xtacking® 架构对3D NAND控制电路和存储单元的优化，其64层TLC产品在存储密度、I/O性能及可靠性上都有不俗表现，上市之后广受好评。

在长江存储128层系列产品中，Xtacking®已全面升级至2.0，进一步释放3D NAND闪存潜能。在I/O读写性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq电压下实现1.6Gbps（Gigabits/s 千兆位/秒）的数据传输速率，为当前业界最高。

长江存储表示，由于外围电路和存储单元分别采用独立的制造工艺，CMOS电路可选用更先进的制程，同时在芯片面积没有增加的前提下Xtacking®2.0还为3D NAND带来更佳的扩展性。未来，长江存储将与合作伙伴携手，构建定制化NAND商业生态，共同推动产业繁荣发展。

该公司指出，其通过对技术创新的持续投入，已成功研发128层两款产品，并确立了在存储行业的技术创新领导力。凭借1.6Gb/s高速读写性能和1.33Tb高容量，长江存储通过X2-6070再次向业界证明了Xtacking®架构的前瞻性和成熟度，为今后3D NAND行业发展探索出一条切实可行的路径。

龚翊表示：“我们相信，长江存储128层系列产品将会为合作伙伴带来更大的价值，具有广阔的市场应用前景。其中，128层QLC版本将率先应用于消费级SSD，并逐步进入企业级服务器、数据中心等领域，以满足未来5G、AI时代多元化数据存储需求。”

容量超64层芯片5倍

长江存储介绍，QLC是继TLC（3 bit/cell）后3D NAND新的技术形态，具有大容量、高密度等特点，适合于读取密集型应用。每颗X2-6070 QLC闪存芯片拥有128层三维堆栈，共有超过3665亿个有效的电荷俘获型（Charge-Trap）存储单元，每个存储单元可存储4字位（bit）的数据，共提供1.33Tb的存储容量。

如果将记录数据的0或1比喻成数字世界的小“人”，一颗长江存储128层QLC芯片相当于提供3665亿个房间，每个房间住4“人”，共可容纳约14660亿“人”居住，是上一代64层单颗芯片容量的5.33倍。

闪存和SSD领域知名市场研究公司Forward Insights创始人兼首席分析师Gregory Wong认为：“QLC降低了NAND闪存单位字节（Byte）的成本，更适合作为大容量存储介质。随着主流消费类SSD容量迈入512GB及以上，QLC SSD未来市场增量将非常可观。”Gregory同时表示：“与传统HDD相比，QLC SSD更具性能优势。在企业级领域， QLC SSD将为服务器和数据中心带来更低的读延迟，使其更适用于AI计算，机器学习，实时分析和大数据中的读取密集型应用。在消费类领域，QLC将率先在大容量U盘，闪存卡和SSD中普及。”

（编辑：尹哲）

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单颗容量133Tb，长江存储128层3D NAND再度刷新三项业界之最

长江存储科技有限责任公司今天宣布其128层QLC 3D NAND闪存(型号：X2-6070)研发成功。同时发布的还有128层512Gb TLC(3 bit/cell)规格闪存芯片(型号：X2-9060)，用以满足不同应用场景的需求。目前，包括TLC和QLC在内的第一批工程样片已经在群联和联芸SSD平台上通过验证，测试数据显示，预装Win 10操作系统的联芸QLC SSD系统盘在开机12-15秒后即进入桌面显示。

长江存储X2-6070 128L QLC 1.33Tb 3D NAND

三项业界之最

X2-9060存储阵列面积的利用效率超过90%(存储阵列面积/芯片总面积)，阵列的读写速度(连续读写速度、随机读写速度)和可重复擦写次数，均面向消费级和企业级的主流市场设计。而QLC是继TLC(3bit/cell)后3D NAND新的技术形态，具有大容量、高密度等特点，适合于读取密集型应用。作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，X2-6070拥有业内已知型号产品中的三项之最：最高单位面积存储密度、最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。

每颗X2-6070 QLC闪存芯片拥有128层三维堆栈，共有超过3,665亿个有效的电荷俘获型(Charge-Trap)存储单元，每个存储单元可存储4字位(bit)的数据，共提供1.33Tb的存储容量。打一个形象的比喻，如果将记录数据的0或1比喻成数字世界的小“人”，一颗长江存储128层QLC芯片相当于提供3,665亿个房间，每个房间住4“人”，共可容纳约14,660亿“人”居住，是上一代64层单颗芯片容量的5.33倍。

得益于全新升级的Xtacking2.0架构，X2-6070和X2-9060在1.2V Vccq电压下实现了1.6Gbps(Gigabits/s千兆位/秒)的数据传输速率，I/O读写性能更强。而将读写速度从533Mbps提升到1.6Gbps，长江存储只用了大约2年的时间，业界则通常需要5年以上。同时，由于外围电路和存储单元分别采用独立的制造工艺，CMOS电路可选用更先进的制程，允许加入对系统更有利的扩展功能，并在此基础上进行定制化设计。例如这次长存的研发人员就在CMOS芯片内部设计了一些额外功能模块，能够帮助存储数据系统提升数据管理的性能，从而实现与控制器系统之间更好的协同。

在发展3D NAND的过程中，相关厂商通常采用两种不同的存储技术：电荷俘获技术(CTF, Charge Trap Flash)和浮栅(FG, Floating Gate)技术。长江存储联席首席技术官汤强对《电子工程专辑》表示，从浮栅技术转向电荷俘获技术目前已经成为业界趋势，前者所拥有的数据保持性优势正在被逐步缩小。而且相比之下，电荷俘获技术的可制造性更好、成本更低，越来越多的公司转向CT技术就说明了这一点，长江存储也不例外。

由于QLC在数据读取的延迟时间方面相对HDD更有优势，所以那些读取比较多，写入比较少的应用将会成为QLC NAND重点关注的市场，例如在线会议、在线视频、在线教育，以及1T以上传统HDD硬盘等。根据长江存储市场与销售高级副总裁龚翊的估计，未来3-5年内，仅HDD市场的替代率就将达到10%。

步子会不会迈的有些大？

作为闪存行业的新人，长江存储用短短3年时间实现了从32层到64层再到128层的跨越。这既是数千长存人汗水的凝聚，也是全球产业链上下游通力协作的成果。

龚翊在接受本刊专访时表示，32层NAND产品刚刚开始量产的时候，长存与世界主要竞争对手之间的差距还比较明显，大约落后4-5年；但到64层量产的时候，考虑到长存64层NAND密度其实相当于竞争对手的96层，所以彼此间真正的差距只有1年。而此次128层3D NAND产品的推出，不但表明长江存储基本上已经和业界主流处于同一水平线上，而且还在三个维度上做到了业界第一。随着Xtacking 2.0时代的到来，长江存储有决心，有实力，有能力开创一个崭新的商业生态，让合作伙伴可以充分发挥自身优势，达到互利共赢。

“未来，公司并不会将市场只局限在中国，而会是全球闪存市场。因此在合作伙伴的选择上，无论来自国内还是海外，长存都秉持开放态度，甚至正在考虑进行Xtacking技术品牌的认证和授权，希望通过这种方式不断地扩大生态合作伙伴的范围。”龚翊强调。

“从64层到128层，这个跨度确实比较大，肯定是包含一定风险的。但两个有利的条件，能够帮助我们在实现跨越的时候将风险降到最低。”汤强说，一是Xtacking架构，能够对CMOS晶圆和存储阵列晶圆进行分开优化、分开生产、分开研发，随着存储密度的不断加大，能够很好的解决工艺复杂度和外围电路与存储单元之间的集成，最大程度的化解在堆叠过程中遇到的各种问题；二是上游工艺机台设备市场在长江存储进行128层研发的时候已经比较成熟了，设备的可用性更好。

Xtacking架构最初源自武汉新芯的CMOS图像传感器制造工艺，经过不断的技术积累，被创新性地应用在NAND Flash上，逐渐形成了难度很高的键合架构。为了抵御未来有可能发生的知识产权纠纷，提前构建好自己的“护城河”，目前长江存储已经有超过200项的专利积累，每年的专利申请数量有大约1000项，同时也愿意与其他厂商进行专利的交叉授权。

根据规划，长江存储128层NAND产品的量产时间将在今年年底到2021年上半年之间，随着产能和良率的逐步提升，预计2021年将实现10万片/月的产能。

汤强说出于保密原则，他暂时还不能公布下一代产品的相关信息。“在研发上，我们一直秉承开放进取的态度，并不断努力、加快步伐以缩短与行业领先者差距。我们会在综合考虑市场需求、竞争对手动向、工艺机台准备程度等多重因素后，随时进行调整。”

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