英睿达P5 Plus固态硬盘发布，采用最新176层NAND闪存

今日，美光旗下的存储品牌英睿达（Crucial）发布了 P5 Plus 系列NVMe固态硬盘，该产品支持PCIe 4.0×4通道，并采用了美光最新的176层3D TLC NAND闪存，能够提高顺序读写、随机读写速率，同时明显降低功耗。

英睿达P5 Plus的顺序读取速度为 6600MB/s，顺序写入速度为3600MB/s至5000MB/s，提供 500GB、1TB、2TB 三个规格，寿命分别为300TBW、600TBW、1200TBW。官方表示，该产品随机读取速度相比上一代产品提升67%，随机写入性能提高了40%。

产品目前已经在官网开售，500GB版售价107.99美元（约698.7元人民币），1TB版售价 179.99美元（约1164.54元人民币），2TB 版售价367.99美元（约2380.9元人民币）。

三星第9代V-NAND闪存生产首次采用钼材料，可降低层高和延迟

今年4月，三星宣布正式量产第9代V-NAND闪存，首批生产的是1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，相比上一代产品，单位面积存储密度提高了约50%，同时功耗降低了10%。三星还引入了新的技术，避免单元干扰并延长单元寿命，同时取消备用通道孔大幅减少了存储单元的平面面积。

据The Elec报道，三星在第9代V-NAND闪存的生产中，在金属化工艺过程中使用了钨，另一种则使用了钼（Mo）。目前行业内使用钨来降低层高已达到极限，换成钼可将层高再降低30%至40%，而且还能降低NAND的延迟。三星决定更多地使用钼，意味着NAND材料价值链将发生一些变化。

与六氟化钨（WF6）不同，机器需要将含有钼的原材料加热到600℃，才能将其从固体转换为气体。有业内人士透露，三星已从Lam Research公司引进了5台Mo沉积机，并计划明年再引进20台设备。三星正在从Entegris和Air Liquide采购钼，而Merck也向三星提供了样品。除了三星外，SK海力士、美光和铠侠也在寻求NAND生产中采用钼材料。

相比于六氟化钨，这些含钼的材料定价是其十倍。除了NAND闪存，钼材料未来还可能应用于DRAM和逻辑芯片。不少企业都瞄准了这个新市场，正在开发对应的含钼材料，这也意味着六氟化钨市场将不可避免地萎缩。

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