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自制nand编程器 新增NAND写入算法:跳过坏块并重建坏块表
发布时间 : 2024-10-06
作者 : 小编
访问数量 : 23
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新增NAND写入算法:跳过坏块并重建坏块表

宝剑锋从磨砺出,梅花香自苦寒来;

博观而约取,厚积而薄发。

有心的小伙伴可能在最新的软件版本里会看到,写入NAND时增加了一个新的算法:跳过坏块并重建坏块表

以海信5079板,MSD6A801芯片方案为例,先给大家演示RT809H写入NAND新算法。

先找一片坏块较多的Nand芯片,按方向放入RT809H编程器,锁好锁紧座。

点智能识别,选择NAND Falsh,稍等会自动识别到相同ID的芯片型号。

识别出两个芯片型号,选择跟芯片型号一致的K9K8G08U0D@TSOP48。

我们先点一下坏块检测,看看此芯片的坏块分布(坏块检测会破坏NAND芯片内数据,谨慎使用)。

检测到23个坏块,严格来说,基本算是残次品。

点设置,出现三个选项,硬拷贝;跳过坏块并重组数据;跳过坏块并重建坏块表。此板请选择“跳过坏块并重建坏块表 ”。

点写入,选择备份文件,开始自动写入。

可以看到界面上已经显示算法为“跳过坏块并重建坏块表”。

开始写入,耐心等待。。。

写入完成,接下来对写入后的NAND芯片进行验证,先把NAND芯片装回电视板卡。

连接上串口,同时监控打印信息。

通电,看到正常进入系统。同时监控显示画面,直到启动完成。

操作遥控,各项功能正常!

由于NAND使用领域的多样性和NAND自身的特殊性,坏块管理都不尽相同,就拿电视主板来说,我们通过大量板卡测试,和大量时间做了深入研究,发现不同的电视厂家,使用的坏块管理算法都不同,我们特此汇总了三种不同的算法,经过测试已经解决了目前在中国能够见到的电视主板NAND写入问题

NAND_AUTO读写芯片时,符合ONFI标准的芯片,读写成功率较高,比如海力士、镁光、ST、华邦等,而三星、东芝等厂商未加入此标准化组织,所以有可能参数识别错误导致读写后不能用,请提交NAND_AUTO读取得到的ID给我们,添加对应的芯片型号即可解决问题

国外用户如果遇到NAND读写问题,请提供好的板卡给我们测试。

没有哪种算法可以解决所有NAND复制问题,只能是遇到问题再研究新算法来解决问题。iFix爱修一直致力于为维修行业解决难题。

最近发现大家都在问一个比较实际的问题:RT809H以后会不会想其他编程器厂家一样,相同封装、不同型号的NAND芯片,使用不同的转接座?转接座的写入次数是多少?

这里是正式回答:RT809H编程器写入所有TSOP48封装的NAND芯片,只需要TSOP48通用座就可以了,永远不会限制写入次数!

视频演示,腾讯视频网址: https://v.qq.com/x/page/h0737szc7xu.html

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三星重新使用SLC作为Z-NAND的构建模块

三星公司对其高性能,低延迟的非易失性存储产品Z-NAND进行了一些新的讨论 。 Z-NAND旨在与英特尔用于构建Optane SSD和非易失性DIMM的3D Xpoint内存竞争。根据三星的说法,Z-NAND是3D V-NAND闪存的单级单元的实施名称,几乎支持每一种固态存储产品。

各公司已基本放弃制造SLC固态硬盘,支持每千兆字节多级单元(或每单元两位),三级单元,甚至四级单元的NAND SSD,后者具有更高密度和更低成本,但某些客户仍然需要每个单元提供高性能和耐用性。

这种需求是英特尔引入3D Xpoint内存并开始为数据中心提供Optane SSD的部分原因。像Aerospike这样的公司仍然购买一些最新的SLC固态硬盘作为内存数据库应用程序的缓存驱动器,但这些驱动器的供应最终开始减少,并为替代产品打开了大门。需要高性能和大数据空间的应用程序的增长显然促使三星再次开始为数据中心制作SLC NAND。

除了SLC的实施,三星表示其工程师致力于降低Z-NAND的编程时间,以帮助实现这些SSD的延迟目标。 Z-NAND驱动器在983 ZET的情况下也使用大型DRAM缓冲器,容量高达1.5 GB,这进一步有助于提高性能。

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