苹果迎接AI浪潮，酝酿为iPhone改用QLC NAND

IT之家 7 月 25 日消息，集邦咨询于 7 月 22 日发布市场研报，透露苹果公司正酝酿使用 QLC NAND 闪存，最早 2026 年用于 iPhone 产品中，让其存储上限达到 2TB。

QLC 和 TLC

TLC 的全称是 Triple Level Cell（三层单元） ，进一步增加存储密度，每个存储单元存储三位信息。

TLC NAND 的成本甚至低于 MLC NAND，使其成为消费电子产品和主流 SSD 的有吸引力选择。

QLC 的全称是 Quad-level cells（四层单元） ，每个单元可储存 4bit 数据，跟 TLC 相比，QLC 的储存密度提高了 33%。

QLC NAND 通常用于入门级消费者固态硬盘和大容量存储应用中，QLC NAND 的耐久度最低，通常 P / E Cycle（Program Erase Cycle）在 100 到 1000 之间。

制造商实施先进的错误校正机制、预留配置（OP）和 Wear leveling 以维持可靠性。

虽然 QLC NAND 可能不适合写入密集型工作负载，但它为日常使用提供了充足的存储容量，使固态硬碟在更广泛的用户范围内触手可及。

早有曝料苹果正推进 QLC NAND

最早曝料信息称苹果计划在 iPhone 14 系列上采用 QLC NAND，IT之家今年 1 月报道，苹果可能会在 iPhone 16 Pro 系列上采用 QLC NAND。

集邦咨询预估认为苹果公司正在加速推进 QLC NAND 换代，从而将内置存储上限提高到 2TB。

不过需要注意的是，虽然 QLC 的密度比 TLC 高，但速度却比后者慢；而且单个单元中存在更多的单元，它们的耐用性较差，这意味着它们能处理的写入周期比 TLC 少。

迎接大语言模型

苹果公司还在探索如何使用 NAND 闪存，而不是内存来存储大型语言模型（LLMs），从而能够在本地运行更多 AI 任务，因此过渡到 QLC NAND 可能有助于改善 Apple Intelligence 的表现。

NRAM技术可让固态硬盘的寿命无限延长

固态硬盘(Solid State Drives)是用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘，由控制单元和存储单元组成。虽然成本较高，但也正在逐渐普及到 DIY 市场。存储器厂商只需购买 NAND 存储器，再配合适当的控制芯片，就可以制造固态硬盘。SSD固态硬盘具有传统机械硬盘不具备的快速读写、质量轻、能耗低以及体积小等特点，因此被广泛应用于军事、车载、工控、视频监控、网络监控、网络终端、电力、医疗、航空、导航设备等领域。

正如前文提到的，厂商只需要 NAND 存储器加上控制芯片就能制造固态硬盘，但是 NAND 闪存会出现损耗现象一度让外界认为这种硬盘的耐用性(寿命)不会有多出色。然而测试结果显示，固态硬盘并没有我们想象中那么脆弱，它的正常工作寿命可以达到10年以上。

不过，考虑到 SSD固态硬盘也存在售价昂贵、硬件损坏后数据较难恢复等问题，如果利用新型的技术使得其寿命无限延长，就能够降低我们的消费成本以及确保数据的完好保存。

外媒 digitaltrends 于日前表示，一项名为 NRAM 的新型技术将取代目前的 NAND 闪存技术，也就是说，这项 NRAM 技术有可能无限延长 SSD 固态硬盘的使用寿命。

在 NAND 闪存中，所有的数据都由电荷保持，而电荷则起到了判断某段内存当中所包含的是 0 或 1 的作用，当用于固定电荷的绝缘层发生损耗，电荷判断的准确性则无法得到保证，这就是目前 SSD 固态硬盘寿命有限的原因。

但是，NRAM 技术利用的是电压控制碳纳米管来调节电阻、以纳米管的状态变换来存储 0 或 1 的工作原理，而纳米管跟 NAND 闪存所使用的电荷不同的是，它的耐久度足够实现接近无限次的读写循环，并且具备其他闪存所没有的耐热、耐寒、抗电磁干扰和辐射的特点。

值得一提的是，NRAM 技术所采用的碳纳米管能使得固态硬盘的数据读写速度达到 DDR4 通道的峰值。当然，就目前而言，这项新型技术并不会对市面上的消费级 SSD 固态硬盘产生非常明显的影响，但是其出色的耐久度已经引起了数据中心和超级计算机的注意。

研发公司表示，他们正在和两家大型半导体代工厂合作，将使用 20 纳米工艺制作出首批 NRAM 技术产品，但并未透露具体时间。■

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