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nand 16nm NV 16nm终极显卡性能成绩曝光：价格感人

发布时间 : 2025-01-20

作者 : 小编

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NV 16nm终极显卡性能成绩曝光：价格感人

各种传言纷纷确认，NVIDIA定于本月26日在台北发布16nm Pascal帕斯卡家族的最后一块显卡GeForce GTX 1070 Ti，11月2日开卖。

之所以说是最后一张卡是因为，明年初，使用GDDR6显存的Volta消费级GeForce显卡就来了，换用台积电12nm制程。

据VCZ报道，著名DX12游戏《奇点灰烬》内置的游戏Benchmark工具中出现了GTX 1070 Ti的测试成绩。画面设定为DX11 API、1440P分辨率、各项数据高。

6200分的成绩属于高频版GTX 1070能摸到、低频版GTX 1080同样可以下探，而GTX 1080非公高频产品则最高可达8200分。

不过，AOTS这份测试有个致命的问题，看不到显卡的频率数据，坦率来讲，纸面对比的意义不大 。

就目前的资料来看，GTX 1070 Ti仅比GTX 1080少了128个流处理器，虽然减配到GDDR5显存，但性能是值得期待的。

此外，1070 Ti拥有152个纹理单元、64个ROP单元，频率锁定为1607-1683MHz，预计海外会在429美元左右，国内则是3000-3500元 ，直捣AMD RX Vega 56。

小白也能看懂半导体制程工艺生产的秘密

　　昨天三星宣布全新的 10nm LPP 工艺已经投产了，而 LPP 工艺相比骁龙835使用的 LPE 工艺，性能提升了10%，功耗下降了15%。但作为一个辣鸡小编，其实我是看不太懂的，都是10nm制程，怎么还能提升性能呢？这些 LPP、LPE 都是指的什么，还有之前看到的 FinFET 这些词又都指的什么？相信和小编有同样疑问的读者不在少数，索性今天我们就来刨根问底一番，看看现在火热的半导体究竟有哪些秘密。

　　制程的秘密：多少nm很重要吗?

　　摩尔定律大家肯定都知道：每过18个月，单位面积上的晶体管数量增加一倍嘛！然而多年来半导体制程从65nm到32nm，再到28nm，还有近两年的14nm、16nm和10nm，感觉也没什么规律啊！这里我们就需要认识一下尺寸的计算方式，以及“半代升级”和“整代升级”的概念了。

　　首先，单位面积内晶体管数量翻倍并不意味着制程就要缩小一半，缩小一半的话单位面积晶体管数量不就翻4倍吗？所以如果要保证两倍的成长，那么整代升级应该乘以0.7。所以从14nm 到10nm，以及后面从10nm 到7nm，都是遵循了摩尔定律的整代升级。

　　但是在几年以前，我们却经历过一段“半代升级”的风潮，打破了0.7的规律。在 40nm 前后几年，正好是存储器需求飞速发展的时间段，考虑到0.9倍的制程升级就能将闪存容量提升1.24倍，且0.9倍的升级技术简单，半年就能完成，所以不少代工厂开始“半代升级”制程来帮助 NAND 闪存厂商抢占市场。

　　正常来说制程升级应该是45nm—32nm—22nm—14nm—10nm，也就是经典的Tick Tock。但是台积电当年在 45nm 之后却推出40nm，这也迫使英特尔和三星等厂商打破了规律，在2010年前后启用了 NAND 专属的 35nm 制程（有趣的是华为海思四核也用了35nm 制程）。而鸡贼的台积电后来又跳到 28nm，抢占制程高地，这显然让英特尔和三星很不开心，所以后期三星和英特尔都回到了正常的升级策略，并且从那以后，英特尔就一直对半代升级嗤之以鼻（恼羞成怒）。

　　而台积电在坚持了 20nm 和 16nm 两代之后，也主动回到了 10nm 的正轨。原因非常简单，因为 NAND 颗粒并不是制程越小性能越好，20nm 之后就会发生严重的电子干扰，所以在 20nm 制程后，各大厂商都转向了3D NAND 技术（如果大家对闪存有兴趣我们今后也可以科普），再往后大家也不在 NAND 的制程上较劲了。

　　工艺的秘密：这些字母其实很好懂

　　至于后缀的那些英文其实也不难理解，比如 FinFET 工艺（注意哦，多少纳米叫制程，而后缀指的是工艺），这一工艺最早由英特尔在22nm 制程时提出，而现在英特尔、台积电和三星都用的 FinFET 。

　　因为制程中 22nm 是指每个晶体管中两个栅极之间的距离，所以 22nm 并不是指晶体管尺寸，一般一个 22nm 制程的晶体管尺寸高达 90nm ，而栅极间距越小电子流动的时间就越短，所以性能就提升了。但是随着栅极距离越来越小，绝缘效果就会下降导致漏电，所以每经过几代制程升级，就需要有一次工艺升级来解决这个问题。FinFET 之前已经有过High-K、HKMG 等工艺了，而 FinFET 之后，我们还会见证 FD-SOI 、GAA的竞争。

　　至于 FinFET 的原理，它的全称是“鳍式场效晶体管”，简单说来就是讲栅极之间的绝缘层加高，来增强绝缘效果减少漏电现象，是不是觉得挺傻瓜的？但往往是看起来很简单的想法，实现起来却无比困难。

　　说完了 FinFET，我们还有最后一个后缀，就是昨天报道中的 LPP、LPE 了，其实这些指的都是同一代工艺中的不同种类，比如 LPE（Low Power Early）指早期低功耗工艺，而 LPP(Low Power Plus)指成熟的低功耗工艺，而适用于移动设备的 LP 系列其实还包含 LPC、LPU 。而且这些后缀并不是10nm 专属，三星 FinFET 工艺都是这样的命名方式，比如14nm FinFET 中，骁龙820是 LPP，而骁龙821则是 LPU。

　　并且除了 LP 系列之外，当然还有主打高性能的 HP(High Performance)系列，这其中又分为很多种，这里就不展开讲了。但是这也只是三星芯片的划分方法，像台积电虽然也是 FinFET 工艺，但是却分为了FinFET Plus、FinFET Compact 等几种。

　　生产的秘密：光刻机被卡脖子啦！

　　说完了技术，我们最后不如落到生产上聊一聊？毕竟随着工艺的提升，对于生产设备的要求也越来越高了，过去各家在蚀刻晶圆的过程中用的都是深紫外光微影系统，简称 DUV，而随着制程超过10nm，现在 DUV 已经满足不了精度要求，这时极紫外光微影系统（EUV）就上线了。

　　说到 EUV 是不是觉得很眼熟？没错，不久前三星刚刚以1.5亿欧元每台的价格从 ASML 订购了10台 EUV ，然而 ASML 这么久也一共才生产了23台，很显然，三星是想在 8nm/7nm 时代抢占先机。这已经不是他们第一次这么做了，当初在 OLED 的发展初期，他们就买走了市面上仅有7台蒸镀机中的5台（蒸镀是OLED 生产中的重要步骤），借此延缓了 LG 和京东方的 OLED 生产计划。

　　总而言之，现在半导体行业在进入10nm 时代之后，无疑将会面临制程、工艺以及生产的三重挑战，未来三星、台积电和 Intel 是会继续三足鼎立，还是会有人旧人掉队、新人加入呢？我们拭目以待！

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