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各品牌nand参数 闪存将迎新周期,主控芯片Fabless德明利前景如何? IPO见闻
发布时间 : 2024-10-15
作者 : 小编
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闪存将迎新周期,主控芯片Fabless德明利前景如何? IPO见闻

闪存主控芯片厂商深圳市德明利技术股份有限公司(简称:德明利)日前递交深交所IPO申请,东莞证券为主承销商。

公司拟募资15.37亿元,募集的资金将主要用于3D NAND闪存主控芯片及移动存储模组解决方案技术改造及升级项目、SSD主控芯片技术开发、应用及产业化项目等。

全球存储卡市占率3.09%

招股书显示,德明利主要从事集成电路设计、研发及产业化应用,业务主要集中于闪存主控芯片设计、研发,存储模组产品应用方案的开发、优化,以及存储模组产品的销售。产品主要包括存储卡、存储盘、固态硬盘等存储模组。公司还在人机交互触控领域完成初步业务布局,目前已完成自研触摸控制芯片投片。

德明利存储模组产品主要由NAND Flash存储颗粒和闪存主控芯片组成。 闪存主控芯片主要是用于存储颗粒的存取控制、存储管理或与其他器件配合工作等作用的SoC芯片(系统级芯片),其对存储产品的性能、安全性、可靠性和使用寿命等有重要影响。闪存主控芯片一般需要配套相应的固件方案,固件方案为通过量产工具软件写入存储颗粒中由闪存主控芯片运行时调取使用的一系列程序、参数等,量产工具系产品量产过程中需要使用的辅助软件。闪存主控芯片与存储颗粒、PCB 板等必要的组件集成、封测后形成存储模组产品。

德明利自研闪存主控芯片、触控芯片等主要采用Fabless模式进行代工生产 ,即公司专注于从事集成电路的设计和产品销售环节,其余环节委托给芯片代工企业、封装和测试企业代工制造。

在盈利模式方面,德明利主要通过采购NAND Flash存储晶圆,将其与闪存主控芯片等进行封装、测试后形成存储模组,再将存储模组销售给下游品牌、厂家客户或渠道分销商赚取利润。NAND Flash价格以及存储晶圆利用率都对公司利润有巨大的影响。

NAND Flash产品价格的周期性波动特征较为明显 。2019年以来NAND Flash综合价格指数处于低位波动状态。公司表示,未来随着5G时代的到来,大量的数据存储需求出现,预计NAND Flash价格又将迎来新一轮上升周期。

在行业地位方面,根据中国闪存市场(CFM)数据推算,2020年公司在全球存储卡和存储盘等移动存储行业的市场占有率约为3.09%。存储卡产品销售数量约占全球存储卡销售总量的6.92%,存储卡和存储盘产品合计销售数量约占全球移动存储产品销售总量的5.86%。

外销比例较高、存储业务主要收入来源

财务方面,德明利2017—2019年和2020年1—6月公司营业收入分别为2.20亿元、7.50亿元、6.46万元和3.25亿元,扣除非经常性损益后归属于母公司所有者的净利润分别为711.98万元、4047.32万元、7278.84万元和2313.50万元,存储业务为公司营业收入的主要来源,人机交互业务尚处于前期市场开发阶段,收入占比相对较小。

公司外销占比较高,报告期内,公司外销收入金额分别占当期营业收入总额的85.05%、89.87%、88.99%和68.31%。

公司综合毛利率在同行处于中游水平。

人民币汇率波动对公司盈利有一定影响 。公司报告期各期汇兑损益的绝对值分别占当期利润总额的19.53%、19.63%、4.62%和0.89%。德明利表示,公司已不断平衡外币货币性资产及负债规模以降低汇兑损益对经营业绩的影响,但如果未来期间相关外币兑人民币的结算汇率发生较大幅度波动,公司仍将面临经营业绩受汇率波动影响较大的风险。

股权方面,公司董事长及总经理李虎及田华(二者系夫妻)为公司实控人,其中李虎手中股份占公司总股本的53.4816%,系公司控股股东。

本文来自华尔街见闻,欢迎下载APP查看更多

闪存制造哪家强?三星V-NAND V6对比东芝BiCS5

东芝在1987年发明了NAND闪存,时至今日我们已经用上了64层3D堆叠闪存制成的手机和电脑硬盘,96层堆叠的产品也已经开始逐步面世。不过我们今天要讨论的是下下代128层堆叠3D闪存产品。

尽管128层堆叠目前还停留在技术层面上,通过前不久的ISSCC(IEEE国际固态电路峰会)我们能够找到一些有关未来闪存技术的发展方向。

在3D闪存的发展历史上,东芝宣称自己是最早提出3D堆叠闪存技术的公司(2007年),不过最早将3D闪存带入大规模应用的则是三星(2013年,24层堆叠)。目前三星已经披露了第六代V-NAND的计划,预计采用11X层(110~120)堆叠。

与之对应的是东芝BiCS5,预计采用128层堆叠,二者都有TLC和QLC两种类型。下图是东芝在ISSCC上公开的BiCS5 3D TLC闪存关键参数,值得注意的是它同样采用4平面设计,写入速度较三星更高。

对比双方公开的参数信息可以发现,东芝BiCS5在存储密度和写入速度上拥有显著优势,而三星V-NAND V6则凭借更新的Toggle 4.0闪存接口取得了读取延迟方面的领先。(PCEVA小编注:Toggle是由东芝和三星在2010年共同提出的闪存接口规范,影响闪存芯片与固态硬盘主控之间的通信速度)

除了性能之外,成本控制同样是3D闪存技术优越性的一个体现。毕竟3D闪存的问世主要就是为了解决半导体制程微缩瓶颈,助力闪存存储密度不断上升、每GB价格不断下降。

通过单Die容量与面积计算的结果来看,东芝BiCS闪存在存储密度上的优势明显。不过这能否能最终转化为制造成本上的领先,还要受到其他诸多因素的共同影响。

以下是通过公开渠道收集到的各闪存原厂最新3D闪存技术规格,国产还需继续努力提升自身竞争力,发展技术创造成本优势,先渡过眼前闪存价格不断下降的寒冬。

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