东芝传采用NIL技术生产NAND Flash，成本降一成

日经新闻今（3）日报导，全球第2大 NAND Flash 厂商东芝(Toshiba)将在 2017 年度采用被称为纳米压印(Nano-imprint Lithography；NIL)的新技术、生产使用于智能手机等产品的NAND Flash，藉此可让曝光工程(形成回路的工程)成本压低至采用现行技术的1/3水平，就整体制造工程来看，预估成本有望删减约1成。

报导指出，东芝正和大日本印刷(DNP)、Canon持续研发NIL技术，以期望藉由提高成本竞争力、对抗南韩三星电子。

据报导，东芝计划今后3年内对半导体事业砸下8,600亿日圆进行投资，其中部分资金将用来整备采用NIL技术的NAND Flash产线，且计划于2017年度开始进行生产、之后并计划利用预计于2018年度启用的新厂房进行量产。

因现行技术已难以进一步提高半导体性能，故包含东芝在内的全球半导体大厂正积极进行次世代技术的研发，而除了上述的NIL之外，荷兰设备厂ASML在获得美国英特尔(Intel)、南韩三星的支持下，正进行「极紫外光(EUV)曝光」技术的研发。

东芝3月18日宣布，将在2016年度-2018年度的3年间总计砸下约8,600亿日圆投资NAND型闪存(Flash Memory)，除将兴建3D Flash新厂房之外，也将对现有厂房进行设备更新、提高3D Flash的生产比重。

TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange最新报告显示，2016年Q1(1-3月)NAND Flash品牌商营收季减2.9%至80.64亿美元，已连续两季衰退。其中东芝NAND Flash营收季增12.8%、增幅远高于三星的1.2%。

Q1东芝NAND Flash全球市占率从2015年Q4(10-12月)的18.6%扬升至21.6%，与三星的市占差距从15个百分点缩小至13.5个百分点。

来源：MoneyDJ

韩国3D NAND闪存三季度有望占全球一半市场

【天极网网络频道】 据韩国媒体报道，市场调查机构调查显示，到今年三季度，三星电子、SK海力士等韩企的3D NAND闪存半导体在全球整体NAND闪存市场所占份额有望占据全球市场一半。

三星电子去年四季度在全球NAND闪存市场占有率为37.1%，排名第一，SK海力士以9.6%排名第五，东芝(18.3%)、西部数据(17.7%)和美光(10.6%)分别位列第二至第四。如果SK海力士成功收购东芝储存器，有望在NAND领域跃居第二。

韩国3D NAND闪存三季度有望占全球一半市场

此外，该机构还预测，今年一整年NAND供应都会较为紧张。这是因为苹果新品iPhone8即将下下半年面市，苹果公司因此需要大量的零配件，也就会导致NAND需求有所增加。

韩国3D NAND闪存三季度有望占全球一半市场

据悉，3D NAND在2D NAND的基础上，增加了回路垂直排列，大大提高了性能和容量，而新一代的韩产3D NAND将陆续上市。

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SLC和MLC分别是是Single-LevelCell单层单元和Multi-LevelCell多层单元的缩写,SLC的特点是成本高、容量小、速度快,而MLC的特点是容量大成本低,但是速度慢.....

本机配有两块硬盘,系统盘选用的是三星(SAMSUNG)970PRO512GNVMeM.2SSD固态硬盘,闪存选用三星V-NAND2-bitMLC,连续读取速度是不超过3500MB/...