三大存储器厂今年NAND资本支出不增反减 Q3 NAND Flash或供过于求
【三大存储器厂今年NAND资本支出不增反减 Q3 NAND Flash或供过于求】《科创板日报》26日讯，随着HBM高价产品贡献获利的快速成长，带动产能排挤及产业供需改善，各家存储器原厂2024年陆续重启资本支出进行投资。业界初估，三大存储器供应商的重心聚焦HBM及高价DRAM，尽管企业级储存需求强劲，但NAND Flash市场仍存在供过于求隐忧，相较于过去两年，三星电子、SK海力士及美光今年对NAND Flash资本投资不增反减。NAND Flash报价逐季走扬，各家原厂下半年的产能全面恢复正常水位，但市场估计，第三季NAND Flash或微幅供过于求，而NAND Flash价格上涨也将趋于平缓。（台湾电子时报）
三星重启NAND设备投资，三星1b DRAM正顺利量产 投研报告
甬兴证券近日发布电子行业存储芯片周度跟踪：三星重启NAND设备投资，三星1b DRAM正顺利量产。
以下为研究报告摘要：
NAND：NAND颗粒市场价格小幅波动，平泽P4工厂将投入NAND设备。根据DRAMexchange，上周（0715-0719）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.23%至0.08%，平均涨跌幅为-0.25%。其中15个料号价格持平，1个料号价格上涨，6个料号价格下跌。根据CFM闪存市场报道，三星电子已经开始为预计年底完工的平泽P4工厂订购NAND闪存生产设备，预计该工厂将安装NAND闪存、DRAM和代工生产线。三星电子此次重新启动设备投资，显示出其对市场完全恢复的信心。
DRAM：颗粒价格小幅波动，三星1b DRAM正顺利量产。根据DRAMexchange，上周（0715-0719）DRAM18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-9.48%至8.53%，平均涨跌幅为2.10%。上周12个料号呈上涨趋势，6个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道，三星电子下一代DRAM路线图进展良好，1b DRAM正在顺利量产，4F Square也正在顺利开发，三星将在内存领域保持超级差距，预计2025年开发出4F Square DRAM的初始样品。
HBM：SK海力士确定HBM4基础裸片工艺。根据CFM闪存市场报道，SK海力士将使用台积电的N5工艺版基础裸片构建其新一代HBM4产品，并确定与台积电在下一代高带宽存储器（HBM）量产上的合作分工。
市场端：渠道和行业SSD价格保持稳定。上周（0715-0719）eMMC价格持平，UFS价格持平。根据CFM闪存市场报道，本周渠道SSD和内存条市场变化不大，基本维持不变。行业市场方面，本周行业价格相对稳定。受渠道市场影响，国内部分行业客户报价偏低，海外市场和国内一些优质客户出价相对较为合理。嵌入式市场方面，因原厂官价仍未完全确定下游终端普遍不急于备货，观望氛围浓重；本周嵌入式价格趋于平稳。
投资建议
我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；
存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。
风险提示
中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。（ 甬兴证券 陈宇哲 ）
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