长江存储“跳级”推出128层闪存，单颗容量133Tb

（文/观察者网 吕栋）4月13日，长江存储宣布，该公司跳过96层，成功研发128层QLC3D NAND闪存（型号：X2-6070），并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。

长江存储一期生产线月产能10万片，今年以来产能一直在爬坡。对于量产时间，长江存储向观察者网透露，配合前述产能，128层NAND闪存将于今年年底到明年上半年陆续量产。

去年9月，长江存储已开始量产基于Xtacking®架构的中国首款64层3D NAND闪存。对此，该公司指出，作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。

据介绍，QLC是继TLC（3 bit/cell）后3D NAND新的技术形态，具有大容量、高密度等特点，适合于读取密集型应用。每颗X2-6070 QLC闪存芯片拥有128层三维堆栈，共有超过3665亿个有效的电荷俘获型（Charge-Trap）存储单元，每个存储单元可存储4字位（bit）的数据，共提供1.33Tb的存储容量。

长江存储X2-6070 128L QLC 1.33Tb 3D NAND

长江存储市场与销售高级副总裁龚翊（Grace）表示：“作为闪存行业的新人，长江存储用短短3年时间实现了从32层到64层再到128层的跨越。这既是数千长存人汗水的凝聚，也是全球产业链上下游通力协作的成果。随着Xtacking®2.0时代的到来，长江存储有决心，有实力，有能力开创一个崭新的商业生态，让我们的合作伙伴可以充分发挥他们自身优势，达到互利共赢。”

此次同时发布的还有128层512Gb TLC（3 bit/cell）规格闪存芯片（型号：X2-9060）。

实现1.6Gbps传输速率

据长江存储介绍，得益于Xtacking® 架构对3D NAND控制电路和存储单元的优化，其64层TLC产品在存储密度、I/O性能及可靠性上都有不俗表现，上市之后广受好评。

在长江存储128层系列产品中，Xtacking®已全面升级至2.0，进一步释放3D NAND闪存潜能。在I/O读写性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq电压下实现1.6Gbps（Gigabits/s 千兆位/秒）的数据传输速率，为当前业界最高。

长江存储表示，由于外围电路和存储单元分别采用独立的制造工艺，CMOS电路可选用更先进的制程，同时在芯片面积没有增加的前提下Xtacking®2.0还为3D NAND带来更佳的扩展性。未来，长江存储将与合作伙伴携手，构建定制化NAND商业生态，共同推动产业繁荣发展。

该公司指出，其通过对技术创新的持续投入，已成功研发128层两款产品，并确立了在存储行业的技术创新领导力。凭借1.6Gb/s高速读写性能和1.33Tb高容量，长江存储通过X2-6070再次向业界证明了Xtacking®架构的前瞻性和成熟度，为今后3D NAND行业发展探索出一条切实可行的路径。

龚翊表示：“我们相信，长江存储128层系列产品将会为合作伙伴带来更大的价值，具有广阔的市场应用前景。其中，128层QLC版本将率先应用于消费级SSD，并逐步进入企业级服务器、数据中心等领域，以满足未来5G、AI时代多元化数据存储需求。”

容量超64层芯片5倍

长江存储介绍，QLC是继TLC（3 bit/cell）后3D NAND新的技术形态，具有大容量、高密度等特点，适合于读取密集型应用。每颗X2-6070 QLC闪存芯片拥有128层三维堆栈，共有超过3665亿个有效的电荷俘获型（Charge-Trap）存储单元，每个存储单元可存储4字位（bit）的数据，共提供1.33Tb的存储容量。

如果将记录数据的0或1比喻成数字世界的小“人”，一颗长江存储128层QLC芯片相当于提供3665亿个房间，每个房间住4“人”，共可容纳约14660亿“人”居住，是上一代64层单颗芯片容量的5.33倍。

闪存和SSD领域知名市场研究公司Forward Insights创始人兼首席分析师Gregory Wong认为：“QLC降低了NAND闪存单位字节（Byte）的成本，更适合作为大容量存储介质。随着主流消费类SSD容量迈入512GB及以上，QLC SSD未来市场增量将非常可观。”Gregory同时表示：“与传统HDD相比，QLC SSD更具性能优势。在企业级领域， QLC SSD将为服务器和数据中心带来更低的读延迟，使其更适用于AI计算，机器学习，实时分析和大数据中的读取密集型应用。在消费类领域，QLC将率先在大容量U盘，闪存卡和SSD中普及。”

（编辑：尹哲）

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SK海力士：全球首次成功研发128层4D Nand闪存

（观察者网讯）

据韩国《中央日报》6月27日报道，SK海力士宣布，该公司已经在全世界率先成功研发出128层4D Nand闪存芯片，将从今年下半年(7月~12月)开始投入量产。新产品比以往96层4D Nand芯片的生产效率提高了40%。

据SK hynix透露，该产品是业界最尖端的128层堆栈4D NAND，适用超均一垂直植入技术、高信赖多层薄膜构成技术、超高速低电力线路设计等技术。同时，该产品也是用TLC存储方式打造的NAND中，首次达到1TB容量的产品。

NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，在不超过4GB的低容量应用中表现得尤为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND被证明极具吸引力。NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。

6月26日，SK海力士宣布成功开发出“128层1Tb的TLC（Triple Level Cell）4D Nand闪存”，即将投入量产。距离该公司在去年10月开发出96层4D Nand闪存芯片过了8个月时间。据悉，最近DRAM和Nand闪存等存储芯片的价格不断下降，SK海力士今年第一季度已经出现亏损，现在似乎打算在Nand闪存领域寻找新的突破口。

据报道，相比传统的3D Nand闪存工程，4D Nand闪存解决了芯片设计过程中最为困扰的面积问题，大大提高了生产效率。SK海力士表示，“新产品使用同样的4D平台，通过对工程进行最佳优化，在比96层产品增加了32层储存单元的情况下，还将全部的工程程序减少了5%”。

SK海力士副总经理吴钟勋（音）表示，128层4D NAND将确保NAND项目的根本竞争力。该产品实现业界最多层堆栈、最高容量，将及时提供各种解决方案。

SK海力士计划从今年下半年开始正式开售128层4D闪存芯片，并接连推出各种产品解决方案。SK海力士还计划积极对云数据中心使用的企业级固态硬盘(SSD)、需要大容量存储芯片的5G移动通信智能手机市场展开攻略。

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