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nand系列26季中小容量存储界的黑马，集齐NANDDRAMNOR召唤神兽

发布时间 : 2025-03-17

作者 : 小编

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中小容量存储界的黑马，集齐NANDDRAMNOR召唤神兽

作者：Queenie

全球DRAM、NAND存储芯片基本由美日韩企业垄断，三星、SK海力士、美光、东芝等巨头顺势赚得盆满钵满。受制于资金和技术上的缺陷，我国本土的芯片制造企业仍然数量少、规模小、产品落后。存储是一个体量惊人的大市场，没有一个企业可以独吞这个蛋糕，业内预计，中小容量存储芯片市场规模将保持在60亿-100亿美元，物联网和智能终端的快速发展将不断扩大对中小容量存储芯片的需求。行业格局的演变以及存储大厂广泛专注于大容量的市场，为东芯这样专注中小容量存储芯片的半导体公司创造了历史性的发展机遇。

避开巨头，走小容量存储领域

东芯半导体有限公司(下称“东芯”)成立于2014年11月26日，是东方恒信资本控股集团有限公司通过下属企业发起设立的中国半导体设计公司。东芯半导体在成立不到半年的时间内就于2015年4月22日收购了韩国知名半导体厂商Fidelix的股权，成为其第一大股东和实际控制人。Fidelix的加入对东芯无异于锦上添花，需要强调的是，Fidelix在韩国是继三星、海力士之后的第三大存储器芯片生厂商。因此，东芯半导体有着和主流市场接触和竞争的机会，也有了引领国内存储技术发展的使命。是目前国内唯一可以同时提供NAND/ NOR/DRAM设计工艺和产品方案的本土存储芯片研发设计公司。

公司发展史简介：

2014年11月东芯半导体有限公司成立;

2015年6月收购韩国知名半导体厂商Fidelix15.28%的股权，成为第一大股东;

2015年 1Gb SRI NAND芯片在国内知名晶圆代工厂38nm工艺生产线上成功流片;

2016年7月 4Gb SLC NAND芯片在国内知名晶圆代工厂24nm工艺生产线上成功流片;

2017年3月获得上海市集成电路行业协会理事单位荣誉;同年50nm NOR Flash Wide Range 在国内知名晶圆代工厂成功流片;9月 2Gb SPI NAND芯片在国内知名晶圆代工厂38nm工艺生产线上成功流片;

2018年7月完成亿元级A轮融资;

在CITE 2019第七届中国电子信息博览会上东芯半导体展出了不少NOR和NAND产品，东芯产品应用广泛，在各种工业及消费类电子上都可以使用。产品主要分为SPI NOR，PPI NAND，SPI NAND，DDR，LPDDR，MCP六大系列。

东芯半导体展位一角

SPI NOR: 可提供具有通用SPI接口不同规格的存储器，性价比高，应用广泛。

PPI NAND: 自主设计，密度大，寿命长，适用于大数据读写，可以采用不同封装方式以便更灵活设计，应用广泛。

SPI/PPI NAND产品展示

SPI NAND：业内独创的单芯片方案，同时带有内部ECC。使其在满足数据传输效率的同时，节约了空间提高了稳定性，还提升了性价比。

SPI NAND产品展示

DDR3：标准SSTL接口, 具有8n-bit prefetch DDR架构，8个内部bank，在网络通信，消费电子，智能终端，物联网等领域都有广泛应用。LPDDR1及LPDDR2系列产品。LPDDR1电压低至1.8V，LPDDR2电压更低至1.2V，适合在移动互联网中类似智能终端，可穿戴/遥控设备等便携式产品中使用。

MCP：Flash和DDR合并封装，简化走线设计，节省空间，核心电压1.8V，不仅可用于常见有源器件，更可满足目前移动互联网和物联网对低功耗的需求。

在小容量闪存芯片开发方面，东芯半导体优势在于：一是，东芯在国内是目前少数能同时开发NAND/NOR/MCP/DRAM的芯片设计厂家;二是，坚持自主研发，拥有自主知识产权，目前已推出16Mb~128Mb SPI NOR产品并逐步形成系列;1Gb~4Gb PPI/SPI NAND系列产品。三是，东芯可提供完整的芯片应用解决方案，致力于产业化，并提供完善、周到的技术支持服务。

在市场策略方面，东芯与一些主流平台厂商展开了认证与合作，比如MTK8516，全志R16等。此外，东芯较看中物联网、智能家电以及人工智能相关领域。其所有的主流规格都有高低电压的产品，其中低功耗电压就是针对相关领域中大量无源设备对功耗比较敏感而设计。此外东芯与中芯国际有着良好的合作，能得到一定量的产能供应，并且东芯已经打入到了华为的存储器供应链当中。

未来发展方向

未来，东芯半导体将以两条市场主线进行产品和技术研究，利用先进的生产工艺，加大研制力度，通过从性能、质量、成本等方面的优势提升，缩短与国外竞争对手的差距，改变受制于国外的不利影响，实现存储芯片国产化进程。

傲腾+3D NAND全系列出击！2019英特尔内存存储日快报

9月26日，在韩国首尔举行的2019英特尔内存存储日上，英特尔正式介绍了一系列新的技术里程碑，并强调了其在以数据为中心的计算时代，推动内存与存储技术进步的持续投资与坚定承诺，包括面向云、人工智能和网络边缘应用，为客户提供独特的英特尔傲腾技术以及英特尔3D NAND解决方案。

英特尔公司高级副总裁兼非易失性存储解决方案事业部总经理Rob Crooke表示：“当今世界正在以惊人的速度产生数据，让各类企业越来越难以高效处理数据。从所有这些数据中获取价值的能力将是决定成败的关键，而在内存和存储层级结构中实现突破性的前沿创新，正是英特尔在这一领域的驱动力所在。”

▲英特尔公司高级副总裁兼非易失性存储解决方案事业部总经理Rob Crooke在2019英特尔内存/存储日上与全球媒体分享英特尔的内存/存储策略与愿景

内存和存储是英特尔的战略性增长业务。在内存与存储日上，英特尔重点展示了在以数据为中心的计算时代，英特尔持续进行的投入以及推动内存和存储技术发展的承诺。

▲从存储到网络、处理器、软件，英特尔企业级平台将得到全面升级。

本次大会上，英特尔正式宣布将在位于新墨西哥州Rio Rancho的工厂运营一条新的傲腾技术开发线，并宣布代号为“Barlow Pass”的第二代英特尔傲腾数据中心级持久内存将在2020年与下一代英特尔至强可扩展处理器一同发布。此外，英特尔于业内率先展示了用于数据中心级固态盘的144层QLC（四级单元）NAND，预计也将于2020年推出。